浜田 弘喜 | 三洋電機株式会社フロンティアデバイス研究所
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概要
関連著者
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浜田 弘喜
三洋電機株式会社フロンティアデバイス研究所
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松尾 直人
兵庫県立大学大学院工学研究科
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松尾 直人
兵庫県大
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浜田 弘喜
三洋電機(株)デジタルシステム研究所
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松尾 直人
山口大学工学部
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河本 直哉
山口大学工学部
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松尾 直人
山口大
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河本 直哉
山口大学大学院理工学研究科
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納田 朋幸
三洋電機株式会社マイクロエレクトロニクス研究所
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納田 朋幸
三洋電機
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河本 直哉
山口大 工
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河本 直哉
山口大学工学部電気電子工学科
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納田 朋幸
三洋電機(株)マイクロエレクトロニクス研究所
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阿部 寿
三洋電機株式会社マイクロエレクトロニクス研究所
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浜田 弘喜
三洋電機(株)マイクロエレクトロニクス研究所
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田口 亮平
山口大学工学部電気電子工学科
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阿部 寿
三洋電機(株)マイクロエレクトロニクス研究所
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田口 亮平
山口大学工学部
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長谷川 勲
三洋電機(株)マイクロエレクトロニクス研究所
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長谷川 勲
三洋電機(株)マテリアル・デバイス研究所
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浜田 弘喜
三洋電機株式会社 先進太陽光発電開発センター
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柴田 賢一
三洋電機(株)研究開発本部アドバンストエナジー研究所
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柴田 賢一
三洋電機(株)マテリアル・デバイス研究所
-
綾 洋一郎
三洋電機(株)マイクロエレクトロニクス研究所
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三好 正毅
山口大学工学部電気電子工学科
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ファクルル アンワル
山口大学工学部
-
アンワル ファクルル
山口大学工学部
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宮井 良雄
三洋電機株式会社マイクロエレクトロニクス研究所
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AZIZ Fakhrul
山口大学工学部
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Anwar F
山口大学工学部
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柴田 賢一
三洋電機株式会社・機能材料研究所
-
山野 耕治
三洋電機(株)ニューマテリアル研究所
-
山野 耕治
三洋電機(株)マテリアル・デバイス研究所
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柴田 賢一
三洋電機(株)
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宮井 良雄
三洋電機(株)マイクロエレクトロニクス研究所
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松尾 直人
兵庫県立大学
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三浦 隆司
山口大学工学部電気電子工学科
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松村 英樹
北陸先端科学技術大学院大学
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増田 淳
北陸先端科学技術大学院大学材料科学研究科:(現)産業技術総合研究所
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松村 英樹
北陸先端科学技術大学院大学マテリアルサイエンス研究科
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増田 淳
北陸先端大
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松尾 直人
兵庫県立大学工学研究科
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増田 淳
北陸先端科学技術大学院大学材料科学研究科
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柴田 賢一
三洋電機株式会社 ニューマテリアル研究所
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余頃 祐介
北陸先端科学技術大学院大学
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余頃 祐介
北陸先端科学技術大学院大学・材料科学研究科
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松尾 直人
山口大 工
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土屋 博
三洋電機株式会社マイクロエレクトロニクス研究所
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松尾 直人
姫路工業大学大学院 姫路市
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中田 真一
山口大学工学部電気電子工学科
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高見 義則
山口大学工学部電気電子工学科
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原田 泰典
兵庫県立大学大学院工学研究科
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鷲尾 邦彦
日本電気(株)NECネットワークス制御システム事業本部
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瀬里 泰洋
北陸先端科学技術大学院大学材料科学研究科
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山本 暁徳
山口大学工学部
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木原 洋幸
山口大学工学部電気電子工学科サブナノデバイス集積化物理研究室
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松尾 直人
山口大学大学院理工学研究科
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野崎 嵩裕
山口大学工学部電気電子工学科
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高見 義範
山口大学工学部電気電子工学科
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浜田 弘喜
三洋電機マイクロエレクトロニクス研究所
-
衣笠 彰則
山口大学工学部
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浜田 弘喜
三洋電機
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原田 泰典
姫路工業大学大学院工学研究科
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松屋 直人
山口大学工学部
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佐藤 勝司
日本電気
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小崎 清普
進工業
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中村 中
進工業
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小山 正
日本板硝子
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竹野 祥瑞
三菱電機
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西川 幸男
松下電器産業
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山内 純也
山口大学工学部電気電子工学科
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北川 康範
山口大学工学部電気電子工学科
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鷲尾 邦彦
Nec
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小山 正
日本板硝子 技研
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鷲尾 邦彦
日本電気(株)制御システム事業本部
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綾 洋一郎
三洋電気(株)マイクロエレクトロニクス研究所
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Anwar Fakhrul
山口大学工学部電気電子工学科
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納田 朋幸
三洋電気(株)マイクロエレクトロニクス研究所
-
浜田 弘喜
三洋電気(株)マイクロエレクトロニクス研究所
-
野崎 崇裕
山口大学工学部電気電子工学科
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浜田 弘喜
山洋電機株式会社マイクロエレクトロニクス研究所
-
綾 洋一郎
三洋電機株式会社マイクロエレクトロニクス研究所
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鄭 然植
慶大理工
-
永島 大
慶大理工
-
桑野 博
慶大理工
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原田 泰典
兵庫県立大学大学院
-
北川 康範
山口大
-
山内 純也
山口大
-
鷲尾 邦彦
日本電気
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山本 暁徳
山口大学工学部電気電子工学科
-
衣笠 彰則
山口大学工学部電気電子工学科
-
西川 幸男
松下電器産業(株)生産技術本部生産技術研究所
著作論文
- エキシマレーザアニーリングにより形成された多結晶シリコンの成長様式 : グレーン形状と水素の関係についての検討(低温または高温多結晶Siとアクティブマトリックス型ディスプレイ用薄膜トランジスタ論文特集)
- ELA法によるポリシリコンの結晶成長について : 核形成と水素の関係
- 多結晶Si薄膜トランジスタの高性能化と高精細LCDライトバルブへの応用
- ELAポリシリコン薄膜の大粒径化 : 結晶成長と水素の関係(シリコン関連材料の作製と評価)
- ELA法により形成されたpoly-Si薄膜中の水素の挙動 : 下地SiN基板の水素分子濃度と結晶成長の関係(有機ELとTFT(シリコン、化合物、有機)及びディスプレイ技術)
- ELA法により形成されたpoly-Si薄膜中の水素の挙動 : 下地SiN基板の水素分子濃度と結晶成長の関係(有機ELとTFT(シリコン,化合物,有機)及びディスプレイ技術)
- エキシマ・レーザによるシリコン結晶化の現状と展望(有機El, TFT,及び一般)
- チャネル形成領域両端に極薄誘電体膜をもつ新たなTFTの提案と理論検討(半導体材料・デバイス)
- シリコン共鳴トンネリングMOSトランジスタ : サブ0.1μm世代を見据えて
- C-11-10 Si共鳴MOSトランジスタ(SRTMOST)の提案
- ELA法により形成したpoly-Si薄膜の回復・再結晶を考慮した成長モデル : 転位論に基づいて
- 多パルス照射エキシマレーザアニーリングにより形成したシリコン薄膜
- エキシマ・レーザによるシリコン結晶化の現状と展望(有機El, TFT,及び一般)
- エキシマ・レーザによるシリコン結晶化の現状と展望(有機El, TFT,及び一般)
- SPC、ELA連続処理により形成された多結晶シリコンの結晶成長(半導体Si及び関連材料・評価)
- エキシマ・レーザ・アニールによる多結晶シリコンの結晶成長 : 水素と基板熱伝導度が臨界エネルギー密度に与える影響を考慮して
- ELA法により形成されたpoly-Si薄膜中の水素の挙動 : 下地SiN基板の水素分子濃度と結晶成長の関係(有機ELとTFT(シリコン、化合物、有機)及びディスプレイ技術)
- エキシマ・レーザ再結晶化におけるpoly-Si薄膜作製 : 両面核生成の効果(有機ELとTFT(シリコン、化合物、有機)及びディスプレイ技術)
- エキシマ・レーザ再結晶化におけるpoly-Si薄膜作製 : 両面核生成の効果(有機ELとTFT(シリコン,化合物,有機)及びディスプレイ技術)
- エキシマ・レーザ再結晶化におけるpoly-Si薄膜作製 : 両面核生成の効果(有機ELとTFT(シリコン,化合物,有機)及びディスプレイ技術)
- エキシマ・レーザ・アニールによる多結晶シリコンの結晶成長 : 水素と基板熱伝導度が臨界エネルギー密度に与える影響を考慮して
- エキシマレーザアニーリング時におけるディスク形状多結晶Si粒の形成(低温または高温多結晶Siとアクティブマトリックス型ディスプレイ用薄膜トランジスタ論文特集)
- エキシマ・レーザ・アニーリングにより形成された再結晶化多結晶シリコンの応力緩和
- エキシマ・レーザ・アニーリングにより形成された再結晶化多結晶シリコンの応力緩和
- ELA法によりSiO_2/SiN/glass基板上に形成されたpoly-Si薄膜の結晶成長と水素の関係
- 電気・電子産業分野
- エキシマ・レーザ・アニールにより形成された低温プロセス多結晶Siのキャラクタリゼーション
- エキシマ・レーザ・アニールにより形成した低温プロセス多結晶Si成長モデル : 転位論に基ずく検討
- Si共鳴トンネリングMOSトランジスタの特性計算 : 相互コンダクタンスとサブスレッショルド係数
- Si共鳴トンネルMOSトランジスタの理論的研究
- Si共鳴トンネルMOSトランジスタの理論的研究
- 極薄誘電体膜トンネル現象のMOSトランジスタへの応用
- 極薄誘電体膜トンネル現象のMOSトランジスタへの応用
- ELA法によりSiO_2/SiN/glass基板上に形成されたpoly-si薄膜の結晶成長と水素の関係
- ELA法により,SiO_2 / SiN / glass基板上に形成されたpoly-Si薄膜の結晶成長と水素の関係
- C-11-1 Si共鳴トンネリングMOSトランジスタ(SRTMOST)の検討 : 論理回路への応用
- a-Siのエキシマ・レーザ・アニーリングにより形成された再結晶化poly-Siの検討 : 薄膜中に含有された水素を考慮して
- a-Siのエキシマ・レーザ・アニーリングにより形成された再結晶化poly-Siの検討 : 薄膜中に含有された水素を考慮して
- SiN薄膜上に形成されたエキシマ・レーザ・アニール法によるpoly-Si薄膜の結晶性
- SiN薄膜上に形成されたエキシマ・レーザ・アニール法によるpoly-Si薄膜の結晶性
- Si共鳴トンネリングMOSトランジスタ(SRTMOST)のダブルバリヤ/Si界面障壁高さに関する考察 : ゲート長との関係
- エキシマ・レーザ・アニール法により形成されたpoly-Si 薄膜結晶成長の遷移領域に関する検討
- エキシマ・レーザ・アニール法により形成されたpoly-Si薄膜結晶成長の遷移領域に関する検討
- エキシマ・レーザー・アニーリングにより形成された低温プロセスPoly-Si膜の結晶成長 : Poly-Siグレインのエネルギー密度、ショット数への依存性
- エキシマ・レーザー・アニーリングにより形成された低温プロセスPoly-Si膜の結晶成長-Poly-Siグレインのエネルギー密度、ショット数への依存性-
- ELA法により形成されたpoly-Si薄膜のグレインの変化
- ELA法により形成されたpoly-Si薄膜のグレインの変化
- ELA法により形成したpoly-Si薄膜の回復・再結晶を考慮した成長モデル : 転移論に基づいて
- エキシマ・レーザー・アニールにより形成した低温多結晶Siのキャラクタリゼイション
- 多結晶Si薄膜の結晶欠陥と結晶粒径の関係
- 多結晶Si薄膜トランジスタの高性能化と高精細LCDライトバルブへの応用
- 電気的ストレスによるnおよびpチャネルPoly-Si TFTの劣化メカニズム
- 高性能多結晶Si薄膜トランジスタの作製と高精細LCDライトバルブの特性改善
- 固相成長とエキシマレーザアニール法で形成したPoly-Si薄膜の特性評価
- 低温Poly-Si TFTを用いたアクティブマトリックス型有機ELディスプレイ
- 低温Poly-Si TFTを用いたアクティブマトリックス型有機ELディスプレイ
- 低温Poly-Si TFTを用いたアクティブマトリックス型有機ELディスプレイ
- SC-8-2 Poly-Si TFT技術の現状と今後の展開