エキシマ・レーザ・アニール法により形成されたpoly-Si 薄膜結晶成長の遷移領域に関する検討
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概要
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The crystal growth mechanisum for the poly-Si prepared by excimer laser annealing method is studied from a viewpoint of the transition stage between the solid phase crystallization for the low energy density and the nucleation and growth from the super cooled liquid for the high energy density. The preferred orientation, the crystallinity and the surface morphology are measured and the characteristics of the disk-shaped grain are clarified. Furthermore, the total mechanism of the recrystallized poly-Si is discussed.
- 山口大学工学部の論文
著者
-
浜田 弘喜
三洋電機株式会社フロンティアデバイス研究所
-
松尾 直人
兵庫県立大学大学院工学研究科
-
阿部 寿
三洋電機株式会社マイクロエレクトロニクス研究所
-
納田 朋幸
三洋電機株式会社マイクロエレクトロニクス研究所
-
納田 朋幸
三洋電機
-
松尾 直人
山口大
-
河本 直哉
山口大学工学部
-
松尾 直人
兵庫県大
-
田口 亮平
山口大学工学部電気電子工学科
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