Si共鳴トンネリングMOSトランジスタによる多値論理回路の可能性
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概要
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シリコン共鳴トンネリングMOSトランジスタ(SRTMOST)による論理回路により,多値論理回路の可能性を検討した.CMOSのインバータ回路におけるN-MOSFETを二つのN-SRTOMOSの並列回路に置き換えた.出カ特性は高電位低電位のほかに二つのプラトーな領域が現れた.この結果はSRTMOSTを使った論理回路により,多値論理回路を実現できることを示すものである.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-12-01
著者
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