p-Si(100)上に形成された極薄SiO_2膜の直接トンネル電流(半導体Si及び関連電子材料評価)
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概要
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p-Si(100)に形成された膜厚2.7〜3.3nmの熱酸化膜の低電圧領域における直接トンネリング(DT)を、電極間ポテンシャルとフェルミエネルギーの関係を考慮して導いた新DT電流関数により議論する。この関数の物理的解釈を示すと共に、以下の二点を議論する。Si基板からの逆方向電流に多谷構造縮退を考慮することによって低電圧領域における直接トンネル電流はかなり再現される。更に、電極側(poly-Si)からの電子に poly-Si中の平均有効質量を考慮すると、再現性はより向上する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-12-09
著者
-
松尾 直人
山口大学工学部
-
松尾 直人
兵庫県立大学大学院工学研究科
-
山内 純也
山口大学工学部電気電子工学科
-
北川 康範
山口大学工学部電気電子工学科
-
松尾 直人
兵庫県大
-
高見 義則
山口大学工学部電気電子工学科
-
北川 康範
山口大
-
山内 純也
山口大
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