極薄SiO_2膜の直接トンネル電流の検討
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
n-Si(100)上に形成された極薄SiO_2膜の低印加電圧領域における伝導機構をWKB近似に基づいて解析した。具体的には、DT電流解析式にSiO_2/n-Si界面における電子濃度、Siの表面量子化により生じる量子準位、トンネリングの実行膜厚、更に、室温における電子分布を考慮し計算を行った。その計算結果は、実測値をほぼ再現できた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-12-14
著者
関連論文
- レーザ・プラズマ軟X線照射がエキシマ・レーザによるa-Si膜の結晶化に与える効果(シリコン関連材料の作製と評価)
- エキシマレーザアニーリングにより形成された多結晶シリコンの成長様式 : グレーン形状と水素の関係についての検討(低温または高温多結晶Siとアクティブマトリックス型ディスプレイ用薄膜トランジスタ論文特集)
- ELA法によるポリシリコンの結晶成長について : 核形成と水素の関係
- 有機ELディスプレイ用水蒸気バリア膜の形成 : 低温触媒CVD装置の開発(半導体表面・界面制御と電子デバイスの信頼性, 信頼性一般)
- ELAポリシリコン薄膜の大粒径化 : 結晶成長と水素の関係(シリコン関連材料の作製と評価)
- ELA法により形成されたpoly-Si薄膜中の水素の挙動 : 下地SiN基板の水素分子濃度と結晶成長の関係(有機ELとTFT(シリコン、化合物、有機)及びディスプレイ技術)
- ELA法により形成されたpoly-Si薄膜中の水素の挙動 : 下地SiN基板の水素分子濃度と結晶成長の関係(有機ELとTFT(シリコン,化合物,有機)及びディスプレイ技術)
- Si共鳴トンネリングMOSトランジスタによる多値論理回路の可能性
- 水素変調ドープa-Si膜のエキシマレーザアニーリング
- a-Si中の水素原子とエキシマ・レーザ結晶化 : 核形成・成長に大きな影響を与えるか?(シリコン関連材料の作製と評価)
- ダブルSOI上に形成したトンネル誘電体TFTのAM-OLED駆動回路への応用(半導体材料・デバイス)
- 低温ELAプロセスにおいてa-Si膜中水素が結晶化に与える影響(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)
- 新構造TFTのAM-OLEDへの応用(シリコン関連材料の作製と評価)
- 固体YAG2 ωグリーンレーザーによる再結晶化シリコン薄膜の解析(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
- エキシマ・レーザによるシリコン結晶化の現状と展望(有機El, TFT,及び一般)
- チャネル形成領域両端に極薄誘電体膜をもつ新たなTFTの提案と理論検討(半導体材料・デバイス)
- 次世代素子、Si 共鳴トンネルMOS トランジスタの提案及び理論検討
- チャネル両端に極薄誘電体膜を持つ新たなTFTの提案と理論検討
- 反応性DC-スパッタリング法により作製されたHfO_2薄膜の界面特性の評価 : 界面シリケート層の形成とHfO_2薄膜中トラップの関係の考察
- ELA により形成された poly-Si 結晶成長様式 : グレイン形状と水素の関係
- シリコン共鳴トンネリングMOSトランジスタ : サブ0.1μm世代を見据えて
- C-11-10 Si共鳴MOSトランジスタ(SRTMOST)の提案
- ELA法により形成したpoly-Si薄膜の回復・再結晶を考慮した成長モデル : 転位論に基づいて
- SC-8-10 TFT用低温ポリシリコンの結晶成長
- Heガスを用いたスパッタ法によるSrTiO_3薄膜の作製
- 多パルス照射エキシマレーザアニーリングにより形成したシリコン薄膜
- エキシマ・レーザによるシリコン結晶化の現状と展望(有機El, TFT,及び一般)
- エキシマ・レーザによるシリコン結晶化の現状と展望(有機El, TFT,及び一般)
- SPC、ELA連続処理により形成された多結晶シリコンの結晶成長(半導体Si及び関連材料・評価)
- エキシマ・レーザ・アニールによる多結晶シリコンの結晶成長 : 水素と基板熱伝導度が臨界エネルギー密度に与える影響を考慮して
- ELA法により形成されたpoly-Si薄膜中の水素の挙動 : 下地SiN基板の水素分子濃度と結晶成長の関係(有機ELとTFT(シリコン、化合物、有機)及びディスプレイ技術)
- エキシマ・レーザ再結晶化におけるpoly-Si薄膜作製 : 両面核生成の効果(有機ELとTFT(シリコン、化合物、有機)及びディスプレイ技術)
- エキシマ・レーザ再結晶化におけるpoly-Si薄膜作製 : 両面核生成の効果(有機ELとTFT(シリコン,化合物,有機)及びディスプレイ技術)
- エキシマ・レーザ再結晶化におけるpoly-Si薄膜作製 : 両面核生成の効果(有機ELとTFT(シリコン,化合物,有機)及びディスプレイ技術)
- エキシマ・レーザ・アニールによる多結晶シリコンの結晶成長 : 水素と基板熱伝導度が臨界エネルギー密度に与える影響を考慮して
- エキシマレーザアニーリング時におけるディスク形状多結晶Si粒の形成(低温または高温多結晶Siとアクティブマトリックス型ディスプレイ用薄膜トランジスタ論文特集)
- エキシマ・レーザ・アニーリングにより形成された再結晶化多結晶シリコンの応力緩和
- エキシマ・レーザ・アニーリングにより形成された再結晶化多結晶シリコンの応力緩和
- ELA法によりSiO_2/SiN/glass基板上に形成されたpoly-Si薄膜の結晶成長と水素の関係
- アンジュレータ光源を使用した軟X線励起によるa-Si膜表面のSi原子移動
- エキシマレーザ・アニール法で形成した多結晶シリコン膜中のディスク状結晶粒の評価
- 水素輸送堆積法におけるペンタセン膜特性の水素流量依存性
- アンジュレータ光源を使用した軟X線励起によるa-Si膜中のSi原子移動(シリコン関連材料の作製と評価)
- 原子状水素アニール処理によるペンタセンTFTの絶縁膜界面特性の向上(TFTの材料・デバイス技術・応用及び一般)
- 原子状水素を利用したプラスチック基板の表面改質
- 加熱触媒体上で生成した原子状水素を用いたプラスチック基板の表面処理
- 低温ELAプロセスにおいてa-Si膜中水素が結晶化に与える影響(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)
- 低温ELAプロセスにおいてa-Si膜中水素が結晶化に与える影響(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)
- 凹凸多結晶Si上の極薄酸化・窒化・酸化複合膜の低電圧領域での電気伝導に関する理論的考察
- Heガスを用いたスパッタ法によるSrTiO_3薄膜の作製
- エキシマレーザ・アニールpoly-Si膜のディスク状結晶粒成長における水素の効果(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
- エキシマレーザ・アニールpoly-Si膜のディスク状結晶粒成長における水素の効果(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
- WKB近似法による極薄SiO_2膜のトンネル電子の有効質量に関する解析
- 極薄SiO_2膜の低電圧領域における直接トンネル電流解析 : 多谷構造縮退と非弾性散乱の効果
- 極薄Si酸化膜の直接トンネル伝導の解析
- 極薄誘電体膜の低電圧領域における直接トンネル電流の理論検討
- Si(100),(111)表面への有機炭素吸着と自然酸化膜成長の関係
- 極薄誘電体膜の低電圧領域における直接トンネル電流近似関数
- 極薄誘電体膜の低電圧領域における直接トンネル電流近似関数
- 極薄酸化・窒化・酸化複合膜の低電圧領域における電気伝導機構のWKB近似による理論的解析
- 電界集中下における極薄酸化・窒化・酸化複合膜の電気伝導に関する量子力学的解析
- 有機ELディスプレイ用水蒸気バリア膜の形成 : 低温触媒CVD装置の開発(半導体表面・界面制御と電子デバイスの信頼性, 信頼性一般)
- 有機ELディスプレイ用水蒸気バリア膜の形成 : 低温触媒CVD装置の開発(半導体表面・界面制御と電子デバイスの信頼性, 信頼性一般)
- 固体YAG2 ωグリーンレーザーによる再結晶化シリコン薄膜の解析(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
- レーザプラズマ軟X線照射により形成された擬似結晶核を介したa-Si膜の結晶化(シリコン関連材料の作製と評価)
- フレキシブル・ディスプレイ実現に向けた多結晶シリコン薄膜低温大粒径化
- エキシマ・レーザ・アニールにより形成された低温プロセス多結晶Siのキャラクタリゼーション
- Siウエファ表面への有機炭素吸着と自然酸化膜形成
- エキシマ・レーザ・アニールにより形成した低温プロセス多結晶Si成長モデル : 転位論に基ずく検討
- Si共鳴トンネリングMOSトランジスタの特性計算 : 相互コンダクタンスとサブスレッショルド係数
- Si共鳴トンネルMOSトランジスタの理論的研究
- Si共鳴トンネルMOSトランジスタの理論的研究
- 極薄誘電体膜トンネル現象のMOSトランジスタへの応用
- 極薄誘電体膜トンネル現象のMOSトランジスタへの応用
- ELA法によりSiO_2/SiN/glass基板上に形成されたpoly-si薄膜の結晶成長と水素の関係
- ELA法により,SiO_2 / SiN / glass基板上に形成されたpoly-Si薄膜の結晶成長と水素の関係
- C-11-1 Si共鳴トンネリングMOSトランジスタ(SRTMOST)の検討 : 論理回路への応用
- a-Siのエキシマ・レーザ・アニーリングにより形成された再結晶化poly-Siの検討 : 薄膜中に含有された水素を考慮して
- a-Siのエキシマ・レーザ・アニーリングにより形成された再結晶化poly-Siの検討 : 薄膜中に含有された水素を考慮して
- p型、n型si(100)上の極薄SiO_2膜のDT電流のWKB近似による検討
- SiN薄膜上に形成されたエキシマ・レーザ・アニール法によるpoly-Si薄膜の結晶性
- SiN薄膜上に形成されたエキシマ・レーザ・アニール法によるpoly-Si薄膜の結晶性
- Si共鳴トンネリングMOSトランジスタ(SRTMOST)のダブルバリヤ/Si界面障壁高さに関する考察 : ゲート長との関係
- p-Si(100)上に形成された極薄SiO_2膜の直接トンネル電流のWKB近似に基づく解析
- エキシマ・レーザ・アニール法により形成されたpoly-Si 薄膜結晶成長の遷移領域に関する検討
- エキシマ・レーザ・アニール法により形成されたpoly-Si薄膜結晶成長の遷移領域に関する検討
- 極薄SiO_2膜の直接トンネル電流の検討
- エキシマ・レーザー・アニーリングにより形成された低温プロセスPoly-Si膜の結晶成長 : Poly-Siグレインのエネルギー密度、ショット数への依存性
- エキシマ・レーザー・アニーリングにより形成された低温プロセスPoly-Si膜の結晶成長-Poly-Siグレインのエネルギー密度、ショット数への依存性-
- ELA法により形成されたpoly-Si薄膜のグレインの変化
- ELA法により形成されたpoly-Si薄膜のグレインの変化
- ELA法により形成したpoly-Si薄膜の回復・再結晶を考慮した成長モデル : 転移論に基づいて
- Si表面への有機炭素原子吸着とネーティブオキサイド成長の関係
- p-Si(100)上に形成された極薄SiO_2膜の直接トンネル電流(半導体Si及び関連電子材料評価)
- エキシマ・レーザー・アニールにより形成した低温多結晶Siのキャラクタリゼイション
- 多結晶Si薄膜の結晶欠陥と結晶粒径の関係
- 原子状水素アニール処理によるペンタセンTFTの絶縁膜界面特性の向上(TFTの材料・デバイス技術・応用及び一般)
- ペンタセンOTFTの膜質評価および電気伝導機構の考察(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
- 有機ELの保護膜形成技術 (特集 有機・無機EL技術動向とその応用)
- エキシマレーザ・アニールで作製した多結晶シリコン膜のディスク状結晶粒 : a-Si膜中の水素の影響