松尾 直人 | 山口大 工
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概要
関連著者
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松尾 直人
山口大 工
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松尾 直人
山口大学工学部
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松尾 直人
兵庫県立大学大学院工学研究科
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河本 直哉
山口大学大学院理工学研究科
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河本 直哉
山口大 工
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河本 直哉
山口大学工学部
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松尾 直人
兵庫県立大学工学研究科
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河本 直哉
山口大学工学部電気電子工学科
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松尾 直人
兵庫県立大学
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松尾 直人
山口大
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部家 彰
兵庫県立大学工学研究科
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部家 彰
兵庫県立大学大学院工学研究科
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部家 彰
兵庫県立大学大学院
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部家 彰
兵庫県立大学物質系
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芹川 正
大阪大学接合科学研究所
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山本 暁徳
山口大学工学部電気電子工学科
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部家 彰
石川県工試
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山本 暁徳
山口大学工学部
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浜田 弘喜
三洋電機株式会社フロンティアデバイス研究所
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三浪 大介
兵庫県立大学工学研究科
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中村 昌隆
兵庫県立大学工学研究科
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芹川 正
東京大学先端科学技術研究センター
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木原 洋幸
山口大学工学部電気電子工学科サブナノデバイス集積化物理研究室
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松尾 直人
兵庫県大
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部家 彰
兵庫県立大学 大学院工学研究科
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小柳 剛
山口大院
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松尾 直人
山口大学工学部電気電子工学科
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鹿嶋 徹哉
山口大学工学部
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衣笠 彰則
山口大学工学部
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吉村 知之
山口大学工学部
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小柳 剛
山口大学工学部
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松原 覚衛
山口大学工学部
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松原 覚衛
山口東京理科大学;基礎工学部電子基礎工学科
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山田 和史
兵庫県立大学工学研究科
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高見 義則
山口大学工学部電気電子工学科
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北川 康則
山口大学工学部
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浜田 弘喜
三洋電機株式会社 先進太陽光発電開発センター
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衣笠 彰則
山口大学工学部電気電子工学科
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原田 泰典
兵庫県立大学大学院工学研究科
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原田 泰典
兵庫県立大学
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山野 耕治
三洋電機(株)ニューマテリアル研究所
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丹羽 正昭
半導体理工学研究センター
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浜田 弘喜
三洋電機(株)マイクロエレクトロニクス研究所
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長谷川 勲
三洋電機(株)マイクロエレクトロニクス研究所
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南川 俊治
石川県工業試験場
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南川 俊治
石川県工試
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ファクルル アンワル
山口大学工学部
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アンワル ファクルル
山口大学工学部
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松尾 直人
姫路工業大学大学院 姫路市
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玉川 孝一
(株)アルバック
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西森 才将
山口大学工学部
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羽山 昌宏
(株)アルバック
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中村 健二
山口大学工学部電気電子工学科 サブナノデバイス集積化物理研究室
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野崎 洋
山口大学大学院理工学研究科
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林 重徳
松下電器産業(株)半導体社プロセス開発センター
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山尾 正之
山口大学大学院理工学研究科
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松尾 直人
山口大学大学院理工学研究科
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丹羽 正昭
山口大学大学院理工学研究科
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野崎 嵩裕
山口大学工学部電気電子工学科
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高見 義範
山口大学工学部電気電子工学科
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浜田 弘喜
三洋電機(株)デジタルシステム研究所
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林 重徳
松下電子工業株式会社プロセス開発センター
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AZIZ Fakhrul
山口大学工学部
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Fakhrul A
山口大 工
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長谷川 勲
三洋電機(株)マテリアル・デバイス研究所
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Anwar F
山口大学工学部
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原田 泰典
兵庫県立大学大学院
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山野 耕治
三洋電機(株)マテリアル・デバイス研究所
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林 重徳
松下電器産業(株)
著作論文
- 水素変調ドープa-Si膜のエキシマレーザアニーリング
- a-Si中の水素原子とエキシマ・レーザ結晶化 : 核形成・成長に大きな影響を与えるか?(シリコン関連材料の作製と評価)
- ダブルSOI上に形成したトンネル誘電体TFTのAM-OLED駆動回路への応用(半導体材料・デバイス)
- 低温ELAプロセスにおいてa-Si膜中水素が結晶化に与える影響(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)
- 新構造TFTのAM-OLEDへの応用(シリコン関連材料の作製と評価)
- 固体YAG2 ωグリーンレーザーによる再結晶化シリコン薄膜の解析(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
- チャネル形成領域両端に極薄誘電体膜をもつ新たなTFTの提案と理論検討(半導体材料・デバイス)
- 次世代素子、Si 共鳴トンネルMOS トランジスタの提案及び理論検討
- チャネル両端に極薄誘電体膜を持つ新たなTFTの提案と理論検討
- 反応性DC-スパッタリング法により作製されたHfO_2薄膜の界面特性の評価 : 界面シリケート層の形成とHfO_2薄膜中トラップの関係の考察
- ELA により形成された poly-Si 結晶成長様式 : グレイン形状と水素の関係
- シリコン共鳴トンネリングMOSトランジスタ : サブ0.1μm世代を見据えて
- Heガスを用いたスパッタ法によるSrTiO_3薄膜の作製
- エキシマ・レーザ・アニールによる多結晶シリコンの結晶成長--水素と基板熱伝導度が臨界エネルギー密度に与える影響を考慮して
- エキシマ・レーザ・アニールによる多結晶シリコンの結晶成長 : 水素と基板熱伝導度が臨界エネルギー密度に与える影響を考慮して
- 低温ELAプロセスにおいてa-Si膜中水素が結晶化に与える影響(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)
- 低温ELAプロセスにおいてa-Si膜中水素が結晶化に与える影響(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)
- Heガスを用いたスパッタ法によるSrTiO_3薄膜の作製
- エキシマレーザ・アニールpoly-Si膜のディスク状結晶粒成長における水素の効果(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
- エキシマレーザ・アニールpoly-Si膜のディスク状結晶粒成長における水素の効果(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
- p型、n型si(100)上の極薄SiO_2膜のDT電流のWKB近似による検討
- 極薄SiO_2膜の直接トンネル電流の検討
- 有機ELの保護膜形成技術 (特集 有機・無機EL技術動向とその応用)
- エキシマレーザ・アニールで作製した多結晶シリコン膜のディスク状結晶粒 : a-Si膜中の水素の影響