河本 直哉 | 山口大学大学院理工学研究科

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概要

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• 山口大学大学院理工学研究科の論文著者

関連著者

• 河本 直哉

  山口大学大学院理工学研究科

• 松尾 直人

  兵庫県立大学大学院工学研究科

• 河本 直哉

  山口大学工学部

• 河本 直哉

  山口大 工

• 松尾 直人

  山口大

• 河本 直哉

  山口大学工学部電気電子工学科

• 松尾 直人

  山口大学工学部

• 松尾 直人

  兵庫県大

• 浜田 弘喜

  三洋電機株式会社フロンティアデバイス研究所

• 浜田 弘喜

  三洋電機(株)デジタルシステム研究所

• 松尾 直人

  兵庫県立大学

• 浜田 弘喜

  三洋電機(株)マイクロエレクトロニクス研究所

• 松尾 直人

  山口大 工

• 阿部 寿

  三洋電機株式会社マイクロエレクトロニクス研究所

• 松尾 直人

  兵庫県立大学工学研究科

• 部家 彰

  兵庫県立大学工学研究科

• 部家 彰

  兵庫県立大学大学院工学研究科

• 田口 亮平

  山口大学工学部電気電子工学科

• 部家 彰

  兵庫県立大学大学院

• 部家 彰

  兵庫県立大学物質系

• 山野 耕治

  三洋電機(株)ニューマテリアル研究所

• 長谷川 勲

  三洋電機(株)マイクロエレクトロニクス研究所

• ファクルル アンワル

  山口大学工学部

• アンワル ファクルル

  山口大学工学部

• 田口 亮平

  山口大学工学部

• 納田 朋幸

  三洋電機株式会社マイクロエレクトロニクス研究所

• 納田 朋幸

  三洋電機

• AZIZ Fakhrul

  山口大学工学部

• 長谷川 勲

  三洋電機(株)マテリアル・デバイス研究所

• Anwar F

  山口大学工学部

• 山野 耕治

  三洋電機(株)マテリアル・デバイス研究所

• 阿部 寿

  三洋電機(株)マイクロエレクトロニクス研究所

• 納田 朋幸

  三洋電機(株)マイクロエレクトロニクス研究所

• 柴田 賢一

  三洋電機(株)研究開発本部アドバンストエナジー研究所

• 柴田 賢一

  三洋電機(株)マテリアル・デバイス研究所

• 柴田 賢一

  三洋電機(株)

• 柴田 賢一

  三洋電機株式会社・機能材料研究所

• 芹川 正

  大阪大学接合科学研究所

• 浜田 弘喜

  三洋電機株式会社 先進太陽光発電開発センター

• 松村 英樹

  北陸先端科学技術大学院大学

• 増田 淳

  北陸先端科学技術大学院大学材料科学研究科:(現)産業技術総合研究所

• 松村 英樹

  北陸先端科学技術大学院大学マテリアルサイエンス研究科

• 増田 淳

  北陸先端大

• 増田 淳

  北陸先端科学技術大学院大学材料科学研究科

• 原田 泰典

  兵庫県立大学大学院工学研究科

• 部家 彰

  石川県工試

• 余頃 祐介

  北陸先端科学技術大学院大学

• 余頃 祐介

  北陸先端科学技術大学院大学・材料科学研究科

• 山本 暁徳

  山口大学工学部

• 三浪 大介

  兵庫県立大学工学研究科

• 中村 昌隆

  兵庫県立大学工学研究科

• 芹川 正

  東京大学先端科学技術研究センター

• 宮井 良雄

  三洋電機株式会社マイクロエレクトロニクス研究所

• 原田 泰典

  兵庫県立大学大学院

• 山本 暁徳

  山口大学工学部電気電子工学科

• 部家 彰

  兵庫県立大学 大学院工学研究科

• 原田 泰典

  兵庫県立大学

• 松尾 直人

  姫路工業大学大学院 姫路市

• 玉川 孝一

  (株)アルバック

• 西森 才将

  山口大学工学部

• 羽山 昌宏

  (株)アルバック

• 山田 和史

  兵庫県立大学工学研究科

• 丹羽 正昭

  半導体理工学研究センター

• 宮井 良雄

  三洋電機(株)マイクロエレクトロニクス研究所

• 瀬里 泰洋

  北陸先端科学技術大学院大学材料科学研究科

• 三好 正毅

  山口大学工学部電気電子工学科

• 木原 洋幸

  山口大学工学部電気電子工学科サブナノデバイス集積化物理研究室

• 野崎 洋

  山口大学大学院理工学研究科

• 林 重徳

  松下電器産業(株)半導体社プロセス開発センター

• 山尾 正之

  山口大学大学院理工学研究科

• 松尾 直人

  山口大学大学院理工学研究科

• 丹羽 正昭

  山口大学大学院理工学研究科

• 林 重徳

  松下電子工業株式会社プロセス開発センター

• 原田 泰典

  姫路工業大学大学院工学研究科

• 松屋 直人

  山口大学工学部

• 松尾 直人

  兵庫県立大学工学部

• 林 重徳

  松下電器産業(株)

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著作論文

• エキシマレーザアニーリングにより形成された多結晶シリコンの成長様式 : グレーン形状と水素の関係についての検討(低温または高温多結晶Siとアクティブマトリックス型ディスプレイ用薄膜トランジスタ論文特集)
• ELA法によるポリシリコンの結晶成長について : 核形成と水素の関係
• ELAポリシリコン薄膜の大粒径化 : 結晶成長と水素の関係(シリコン関連材料の作製と評価)
• ELA法により形成されたpoly-Si薄膜中の水素の挙動 : 下地SiN基板の水素分子濃度と結晶成長の関係(有機ELとTFT(シリコン、化合物、有機)及びディスプレイ技術)
• ELA法により形成されたpoly-Si薄膜中の水素の挙動 : 下地SiN基板の水素分子濃度と結晶成長の関係(有機ELとTFT(シリコン,化合物,有機)及びディスプレイ技術)
• 水素変調ドープa-Si膜のエキシマレーザアニーリング
• a-Si中の水素原子とエキシマ・レーザ結晶化 : 核形成・成長に大きな影響を与えるか?(シリコン関連材料の作製と評価)
• ダブルSOI上に形成したトンネル誘電体TFTのAM-OLED駆動回路への応用(半導体材料・デバイス)
• 低温ELAプロセスにおいてa-Si膜中水素が結晶化に与える影響(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)
• 新構造TFTのAM-OLEDへの応用(シリコン関連材料の作製と評価)
• 固体YAG2 ωグリーンレーザーによる再結晶化シリコン薄膜の解析(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
• エキシマ・レーザによるシリコン結晶化の現状と展望(有機El, TFT,及び一般)
• チャネル形成領域両端に極薄誘電体膜をもつ新たなTFTの提案と理論検討(半導体材料・デバイス)
• 反応性DC-スパッタリング法により作製されたHfO_2薄膜の界面特性の評価 : 界面シリケート層の形成とHfO_2薄膜中トラップの関係の考察
• ELA により形成された poly-Si 結晶成長様式 : グレイン形状と水素の関係
• 多パルス照射エキシマレーザアニーリングにより形成したシリコン薄膜
• エキシマ・レーザによるシリコン結晶化の現状と展望(有機El, TFT,及び一般)
• エキシマ・レーザによるシリコン結晶化の現状と展望(有機El, TFT,及び一般)
• SPC、ELA連続処理により形成された多結晶シリコンの結晶成長(半導体Si及び関連材料・評価)
• エキシマ・レーザ・アニールによる多結晶シリコンの結晶成長 : 水素と基板熱伝導度が臨界エネルギー密度に与える影響を考慮して
• ELA法により形成されたpoly-Si薄膜中の水素の挙動 : 下地SiN基板の水素分子濃度と結晶成長の関係(有機ELとTFT(シリコン、化合物、有機)及びディスプレイ技術)
• エキシマ・レーザ再結晶化におけるpoly-Si薄膜作製 : 両面核生成の効果(有機ELとTFT(シリコン、化合物、有機)及びディスプレイ技術)
• エキシマ・レーザ再結晶化におけるpoly-Si薄膜作製 : 両面核生成の効果(有機ELとTFT(シリコン,化合物,有機)及びディスプレイ技術)
• エキシマ・レーザ再結晶化におけるpoly-Si薄膜作製 : 両面核生成の効果(有機ELとTFT(シリコン,化合物,有機)及びディスプレイ技術)
• エキシマ・レーザ・アニールによる多結晶シリコンの結晶成長 : 水素と基板熱伝導度が臨界エネルギー密度に与える影響を考慮して
• エキシマレーザアニーリング時におけるディスク形状多結晶Si粒の形成(低温または高温多結晶Siとアクティブマトリックス型ディスプレイ用薄膜トランジスタ論文特集)
• エキシマ・レーザ・アニーリングにより形成された再結晶化多結晶シリコンの応力緩和
• エキシマ・レーザ・アニーリングにより形成された再結晶化多結晶シリコンの応力緩和
• ELA法によりSiO_2/SiN/glass基板上に形成されたpoly-Si薄膜の結晶成長と水素の関係
• 低温ELAプロセスにおいてa-Si膜中水素が結晶化に与える影響(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)
• 低温ELAプロセスにおいてa-Si膜中水素が結晶化に与える影響(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)
• エキシマレーザ・アニールpoly-Si膜のディスク状結晶粒成長における水素の効果(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
• エキシマレーザ・アニールpoly-Si膜のディスク状結晶粒成長における水素の効果(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
• 固体YAG2 ωグリーンレーザーによる再結晶化シリコン薄膜の解析(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
• フレキシブル・ディスプレイ実現に向けた多結晶シリコン薄膜低温大粒径化
• ELA法によりSiO_2/SiN/glass基板上に形成されたpoly-si薄膜の結晶成長と水素の関係
• ELA法により,SiO_2 / SiN / glass基板上に形成されたpoly-Si薄膜の結晶成長と水素の関係
• a-Siのエキシマ・レーザ・アニーリングにより形成された再結晶化poly-Siの検討 : 薄膜中に含有された水素を考慮して
• エキシマ・レーザ・アニーリングにより形成された再結晶化多結晶シリコンの応力緩和
• エキシマレーザ・アニールで作製した多結晶シリコン膜のディスク状結晶粒 : a-Si膜中の水素の影響

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