田口 亮平 | 山口大学工学部電気電子工学科
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概要
関連著者
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河本 直哉
山口大学工学部
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田口 亮平
山口大学工学部電気電子工学科
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浜田 弘喜
三洋電機株式会社フロンティアデバイス研究所
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松尾 直人
兵庫県立大学大学院工学研究科
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松尾 直人
兵庫県大
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松尾 直人
山口大学工学部
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阿部 寿
三洋電機株式会社マイクロエレクトロニクス研究所
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田口 亮平
山口大学工学部
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納田 朋幸
三洋電機株式会社マイクロエレクトロニクス研究所
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納田 朋幸
三洋電機
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浜田 弘喜
三洋電機(株)デジタルシステム研究所
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阿部 寿
三洋電機(株)マイクロエレクトロニクス研究所
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納田 朋幸
三洋電機(株)マイクロエレクトロニクス研究所
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松尾 直人
山口大
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河本 直哉
山口大学大学院理工学研究科
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河本 直哉
山口大 工
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河本 直哉
山口大学工学部電気電子工学科
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浜田 弘喜
三洋電機(株)マイクロエレクトロニクス研究所
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宮井 良雄
三洋電機株式会社マイクロエレクトロニクス研究所
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綾 洋一郎
三洋電機(株)マイクロエレクトロニクス研究所
-
宮井 良雄
三洋電機(株)マイクロエレクトロニクス研究所
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浜田 弘喜
三洋電機株式会社 先進太陽光発電開発センター
著作論文
- ELA法によるポリシリコンの結晶成長について : 核形成と水素の関係
- エキシマレーザアニーリング時におけるディスク形状多結晶Si粒の形成(低温または高温多結晶Siとアクティブマトリックス型ディスプレイ用薄膜トランジスタ論文特集)
- エキシマ・レーザ・アニーリングにより形成された再結晶化多結晶シリコンの応力緩和
- エキシマ・レーザ・アニーリングにより形成された再結晶化多結晶シリコンの応力緩和
- ELA法によりSiO_2/SiN/glass基板上に形成されたpoly-Si薄膜の結晶成長と水素の関係
- ELA法によりSiO_2/SiN/glass基板上に形成されたpoly-si薄膜の結晶成長と水素の関係
- ELA法により,SiO_2 / SiN / glass基板上に形成されたpoly-Si薄膜の結晶成長と水素の関係
- a-Siのエキシマ・レーザ・アニーリングにより形成された再結晶化poly-Siの検討 : 薄膜中に含有された水素を考慮して
- a-Siのエキシマ・レーザ・アニーリングにより形成された再結晶化poly-Siの検討 : 薄膜中に含有された水素を考慮して
- SiN薄膜上に形成されたエキシマ・レーザ・アニール法によるpoly-Si薄膜の結晶性
- SiN薄膜上に形成されたエキシマ・レーザ・アニール法によるpoly-Si薄膜の結晶性
- エキシマ・レーザ・アニール法により形成されたpoly-Si 薄膜結晶成長の遷移領域に関する検討
- エキシマ・レーザ・アニール法により形成されたpoly-Si薄膜結晶成長の遷移領域に関する検討
- エキシマ・レーザー・アニーリングにより形成された低温プロセスPoly-Si膜の結晶成長 : Poly-Siグレインのエネルギー密度、ショット数への依存性
- エキシマ・レーザー・アニーリングにより形成された低温プロセスPoly-Si膜の結晶成長-Poly-Siグレインのエネルギー密度、ショット数への依存性-
- ELA法により形成されたpoly-Si薄膜のグレインの変化
- ELA法により形成されたpoly-Si薄膜のグレインの変化
- エキシマ・レーザ・アニーリングにより形成された再結晶化多結晶シリコンの応力緩和
- SiN薄膜上に形成されたエキシマ・レーザ・アニール法によるPoly-Si薄膜の結晶性 (低温ポリSi TFTと有機EL技術)