納田 朋幸 | 三洋電機株式会社マイクロエレクトロニクス研究所
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概要
関連著者
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納田 朋幸
三洋電機株式会社マイクロエレクトロニクス研究所
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納田 朋幸
三洋電機
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浜田 弘喜
三洋電機株式会社フロンティアデバイス研究所
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納田 朋幸
三洋電機(株)マイクロエレクトロニクス研究所
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松尾 直人
兵庫県立大学大学院工学研究科
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浜田 弘喜
三洋電機(株)デジタルシステム研究所
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松尾 直人
兵庫県大
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松尾 直人
山口大学工学部
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河本 直哉
山口大学工学部
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阿部 寿
三洋電機株式会社マイクロエレクトロニクス研究所
著作論文
- ELA法によるポリシリコンの結晶成長について : 核形成と水素の関係
- 多結晶Si薄膜トランジスタの高性能化と高精細LCDライトバルブへの応用
- エキシマ・レーザ・アニールによる多結晶シリコンの結晶成長 : 水素と基板熱伝導度が臨界エネルギー密度に与える影響を考慮して
- エキシマレーザアニーリング時におけるディスク形状多結晶Si粒の形成(低温または高温多結晶Siとアクティブマトリックス型ディスプレイ用薄膜トランジスタ論文特集)
- エキシマ・レーザ・アニーリングにより形成された再結晶化多結晶シリコンの応力緩和
- エキシマ・レーザ・アニーリングにより形成された再結晶化多結晶シリコンの応力緩和
- ELA法によりSiO_2/SiN/glass基板上に形成されたpoly-Si薄膜の結晶成長と水素の関係
- エキシマ・レーザ・アニールにより形成された低温プロセス多結晶Siのキャラクタリゼーション
- エキシマ・レーザ・アニールにより形成した低温プロセス多結晶Si成長モデル : 転位論に基ずく検討
- ELA法によりSiO_2/SiN/glass基板上に形成されたpoly-si薄膜の結晶成長と水素の関係