電気的ストレスによるnおよびpチャネルPoly-Si TFTの劣化メカニズム
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概要
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水素化処理を施したnおよびpチャネルpoly-Si TFTの電気的ストレスによる劣化特性をしきい値電圧(Vth)とサブスレッショルド係数(S)を用いて調べた。様々なストレス印加条件、水素化条件におけるVthシフトとSシフトの振る舞いより、pチャネルデバイスはnチャネルデバイスに比べ、著しく劣化することが分かる。nチャネルデバイスの劣化はpoly-Si / SiO_2界面とpoly-Siグレイン境界でのSi-H結合の解離によるダングリングボンドの増加、およびチャネル領域からゲート酸化膜への電子注入によるトラップの発生によって引き起こされる。一方、pチャネルデバイスの劣化は界面とグレイン境界でのダングリングボンドの増加に加え、ソース側の酸化膜内への正孔と解離水素イオン注入によるホールトラップの発生によって引き起こされる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-03-13
著者
-
浜田 弘喜
三洋電機株式会社フロンティアデバイス研究所
-
納田 朋幸
三洋電機(株)マイクロエレクトロニクス研究所
-
納田 朋幸
三洋電機株式会社マイクロエレクトロニクス研究所
-
納田 朋幸
三洋電機
-
浜田 弘喜
三洋電機(株)デジタルシステム研究所
-
鄭 然植
慶大理工
-
永島 大
慶大理工
-
桑野 博
慶大理工
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