2重注入電流-電圧特性におけるJ〓V2電圧範囲の決定(技術談話室)
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
- 電気的ストレスによるnおよびpチャネルPoly-Si TFTの劣化メカニズム
- Ptをド-プしたMOSデバイス
- Pt拡散MOS構造における界面準位密度および酸化膜内電荷の電気的特性に与える影響
- 交流電解研磨法を用いたSTM用探針作製時のWワイヤ-の研磨に与える気泡の影響
- 31p-E-12 分子動力学シミュレーションによる摩擦力の温度依存性の検討
- Si中Ptの拡散機構とその濃度分布の均一化
- 少数キャリア注入による多数キャリアの振舞
- 負性抵抗を有する二重注入電流-電圧特性
- 2重注入電流-電圧特性におけるJ〓V2電圧範囲の決定(技術談話室)
- SEM法 (ウエ-ハのライフタイム測定法(技術ノ-ト))
- 負性抵抗を有する2重注入電流-電圧特性の理論解析(技術談話室)
- 2つの深い不純物準位を有するダイオ-ドにおける2重注入電流
- 一つの深い不純物準位を有する長いp-i-nダイオ-ドにおける2重注入電流理論
- 光伝導減衰法による2つの深い不純物準位の捕獲確率の理論解析
- Ni拡散Siダイオ-ドにおける二重注入電流-電圧特性(技術談話室)