SPC、ELA連続処理により形成された多結晶シリコンの結晶成長(半導体Si及び関連材料・評価)
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概要
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固相成長(solid phase crystallization, SPC)の後エキシマ・レーザ・アニーリング(excimer laser anneal, ELA)、及びELAの後SPCを行うことにより形成された多結晶Si(polycrystalline-Si, poly-Si)の結晶性について調べた。内部応力の緩和がELAの前後にSPCを行うことにより生じた。また、欠陥密度はELAのみELAの後SPC、SPCの後ELAの順で小さくなった。590℃のSPCを300分行った後ELAを行うことにより低内部応力かつ低欠陥密度のpoly-Siを実現した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-12-12
著者
-
原田 泰典
兵庫県立大学大学院工学研究科
-
浜田 弘喜
三洋電機株式会社フロンティアデバイス研究所
-
浜田 弘喜
三洋電機(株)マイクロエレクトロニクス研究所
-
河本 直哉
山口大学工学部電気電子工学科
-
松尾 直人
兵庫県立大学大学院工学研究科
-
松尾 直人
姫路工業大学大学院 姫路市
-
河本 直哉
山口大学大学院理工学研究科
-
浜田 弘喜
三洋電機(株)デジタルシステム研究所
-
河本 直哉
山口大 工
-
原田 泰典
姫路工業大学大学院工学研究科
-
松尾 直人
山口大
-
河本 直哉
山口大学工学部
-
松尾 直人
兵庫県大
-
原田 泰典
兵庫県立大学大学院
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