エキシマ・レーザによるシリコン結晶化の現状と展望(有機El, TFT,及び一般)
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概要
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アモルファス-Si (a-Si)をエキシマ・レーザにより結晶化した低温多結晶シリコン(polycrystalline silicon, poly-Si)薄膜に関し、主として筆者のグループで行って来た研究について解説する。 a-Si内の水素が結晶化に及ぼす効果、及びpoly-Si膜中の内部応力とグレインの関係について明らかにし、それらの現象を我々のグループで考案した結晶化モデルにより説明する。これらの結果を基にレーザ結晶化に関して展望を述べる.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-04-09
著者
-
松尾 直人
兵庫県立大学
-
浜田 弘喜
三洋電機株式会社フロンティアデバイス研究所
-
浜田 弘喜
三洋電機(株)マイクロエレクトロニクス研究所
-
河本 直哉
山口大学工学部電気電子工学科
-
松尾 直人
兵庫県立大学大学院工学研究科
-
河本 直哉
山口大学大学院理工学研究科
-
浜田 弘喜
三洋電機(株)デジタルシステム研究所
-
河本 直哉
山口大 工
-
松尾 直人
山口大
-
河本 直哉
山口大学工学部
-
松尾 直人
兵庫県大
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