アンジュレータ光源を使用した軟X線励起によるa-Si膜中のSi原子移動(シリコン関連材料の作製と評価)
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概要
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アンジュレータ光源から発生した軟X線をa-Si膜(膜厚1,50nm)に照射したときの特性変化を検討した.照射前後で表面粗さRaは0.63nmから1.70nmへ変化した.これに対応して電気抵抗値も増加した.膜厚が薄い場合,単位原子当たりの光の吸収量が大きい.フォトンによるSi原子の振動励起がトリガーとなり,膜厚方向へ働く力が大きくなる.Si原子の移動が連続的に生じ凝集現象が起き,表面形状が変化したと考えられる.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2008-11-28
著者
-
高梨 泰幸
兵庫県立大学
-
松尾 直人
兵庫県立大学
-
部家 彰
兵庫県立大学物質系
-
神田 一浩
兵庫県立大学 高度産業科学技術研究所
-
部家 彰
石川県工試
-
松尾 直人
兵庫県立大学大学院工学研究科
-
高梨 泰幸
兵庫県立大学大学院物質系工学専攻
-
松尾 直人
兵庫県立大学工学研究科
-
部家 彰
兵庫県立大学工学研究科
-
神田 一浩
兵庫県立大学高度産業科学技術研究所
-
部家 彰
兵庫県立大学大学院工学研究科
-
神田 一浩
兵庫県立大
-
松尾 直人
兵庫県立大学工学部
-
部家 彰
兵庫県立大学大学院
-
部家 彰
兵庫県立大学 大学院工学研究科
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