319 SOG をマスクとしたシンクロトロン放射光による微細加工
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概要
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We found that Spin On Glass (SOG) material acts as positive-type electron beam resist, and fine line pattern was obtained using electron beam exposure and following buffered HF development. Thus, SOG is the candidate material for high aspect ratio and fine pattern mask to organic materials such as polymethylmethacrylate (PMMA) by synchrotron radiation (SR) exposure. In this report, etching of PMMA by SR using SOG mask was examined. The SR, which emitted rom BL6 at the New SUBARU in Himeji Institute of technology, exposed to PMMA thorough SOG mask with fire patterns at room temperature. As a result, SOG mask layer was etched 263nm by SR and PMMA was etched 355nm by SR. Therefore, SOG was effective mask for PMMA, and this process would be able to do LIGA process without development.
- 社団法人日本機械学会の論文
- 2002-11-19
著者
-
松井 真二
姫路工業大学高度産業科学技術研究所
-
神田 一浩
兵庫県立大学 高度産業科学技術研究所
-
松井 真二
姫工大高度研
-
谷口 淳
東京理科大学基礎工学部
-
宮本 岩男
東京理科大学基礎工学部
-
谷口 淳
東理大
-
竹澤 悟
東理大
-
神田 一浩
姫工大
-
宮本 岩男
東理大
-
竹澤 悟
東京理科大学基礎工学部
-
宮本 岩男
東京理科大学基礎工学研究科電子応用工学専攻
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