ナノインプリント技術の現状
スポンサーリンク
概要
著者
-
松井 真二
姫路工業大学高度産業科学技術研究所
-
宮本 岩男
東京理科大学 基礎工学研究科電子応用工学専攻
-
谷口 淳
東京理科大学基礎工学部
-
古室 昌徳
産総研
-
谷口 淳
東京理科大学
-
松井 真二
兵庫県立大
-
宮本 岩男
東京理科大学基礎工学部
-
宮本 岩男
東京理科大学
-
古室 昌徳
産業技術総合研究所次世代半導体センター
-
松井 真二
姫路工業大学理学部大学院高度研crest-jst
-
宮本 岩男
東京理科大学基礎工学研究科電子応用工学専攻
関連論文
- ニュースバルの到達点
- 23aPS-22 TiVCr系水素吸蔵合金表面の光電子分光(23aPS 領域5ポスターセッション(光電子分光・光誘起相転移等),領域5(光物性))
- レーザー生成プラズマ支援アブレーション(LIPAA)による透明材料の微細加工及びメカニズム研究
- 放射光STMによるナノスケールでの表面元素分析
- 軟X線放射光を用いた溶融Zn-Al系めっき上腐食生成物の構造解析
- 放射光-光電子分光法を用いた溶融Zn-Al系めっき上腐食生成皮膜の構造解析
- 溶融Zn-Al系めっき鋼板上酸化膜の皮膜構造に及ぼすAlの影響(腐食防食)
- 22aWA-1 レーザーアニールを利用したSi(111)清浄表面の電子状態
- Ti-Ni薄膜の形状回復力を用いた高接触力MEMSプローブカードの試作
- 集束イオンビーム照射と化学エッチングを併用した3次元微細構造形成 : 微細構造形成の高能率化(機械要素,潤滑,工作,生産管理など)
- ナノスケール機械加工と化学エッチングを併用した3次元極微細構造形成 : 第3報,エッチング加速作用のFIB照射条件依存性と3次元微細構造形成への応用(機械要素,潤滑,工作,生産管理など)
- 209 集束イオンビーム照射と化学エッチングを併用した極微細構造形成(OS6 超精密加工)
- ナノスケール機械加工と化学エッチングを併用した3次元極微細構造形成 : 第2報,集束イオンビーム照射を利用した3次元微細構造形成の可能性(機械要素,潤滑,工作,生産管理など)
- ナノ構造技術
- シリコン技術
- 30nmゲート長EJ-MOSFETの作製
- 中空格子構造金型によるUVナノインプリント時の樹脂の充填挙動の観察
- 東京理科大学基礎工学部電子応用工学科 谷口研究室
- ナノインプリント用金型の加工技術
- 光ナノインプリント用光硬化性樹脂とその特性評価法
- ナノテクノロジーとナノインプリント技術について
- レーザー生成プラズマ支援アブレーション(LIPAA)による透明材料の微細加工
- 集束イオンビームとアルカリエッチングを併用した極微細加工
- STM技術のマイクロエレクトロニクスへの応用(STM開発の現状と展望)
- ディジタルホログラフィを用いたマイクロ流れの高時間分解三次元計測に関する研究(流体工学,流体機械)
- ナノインプリントによる三次元ナノ構造の作製方法
- イオンビームを用いたCVDダイヤモンド薄膜の平滑化(第3報)-エッチバック法を用いた場合-
- ダイヤモンド(100)面のイオンビーム援用化学加工(第1報)-酸素ガスを吹き付けた場合-
- ダイヤモンドからの電界電子放出に関する研究 : 電界電子放出素子作製法の開発及び電界電子放出中のダイヤモンド表面の電子論的解析
- 水素ガスを用いたダイヤモンドの電子ビーム援用化学加工(第4報) -ボロンドープダイヤモンドの加工特性-
- 水素ガスを用いたダイヤモンドの電子ビーム援用化学加工(第3報) -加工形状のAFM観察-
- 水素ガスを用いたダイヤモンドの電子ビーム援用化学加工(第2報)-走査速度や加速電圧を変えた場合-
- EUV露光装置用光学素子加工技術の開発
- 118 FIB-CVD法で作製したDLCマイクロ構造体とSi基板間の界面微細構造(材料の超精密加工とマイクロ/ナノ加工の動向)
- ナノインプリント技術のホログラムへの応用
- SOGレジストの電子ビーム露光特性
- FIB-CVD法を用いて作製したDLC膜の微細構造解析
- FIB-CVD法によるDLC成形プロセスとその特性評価(マイクロマテリアル)
- ナノ・マイクロ加工のためのドライエッチング技術
- 三次元ナノインプリントにおける金型作製技術の現状と将来展望 (特集2 ナノインプリント技術の応用と将来展望)
- SOG(Spin On Glass)膜を用いた3次元モールドの作製技術 (特集 脚光をあびるナノインプリント技術)
- ナノインプリント技術の足跡 (特集 脚光をあびるナノインプリント技術)
- イオンビームと電子ビームを用いたダイヤモンドの微細加工
- 319 SOG をマスクとしたシンクロトロン放射光による微細加工
- 単結晶ダイヤモンドの反応性イオンビーム援用化学加工とXPSによる照射損傷評価
- SOGを用いて製作したダイヤモンドのマイクロ加工
- 先端エネルギビーム加工の原理
- F_2レーザー表面改質による紫外線透過ポリマーの親水化と細胞観察用マイクロチップの作製
- 集束イオンビームを用いた立体ナノメカニカルデバイスの作製
- マイクロメカニズムとしてのSTM (マイクロメカニズム)
- 単結晶ダイヤモンドのリアクティブイオンビーム加工-ナフテン酸金属塩をマスクとした微細パターンの形成-
- アクティブダンパで指を制振させたグリッパの研究(第2報)
- ナフテン酸金属塩の酸素イオンビーム加工特性
- ダイヤモンドのリアクティブイオンビーム援用化学加工(第1報)-加工特性について-
- 単結晶ダイヤモンド(100)面の酸素ラジカル加工(第1報) -加工特性について-
- ダイヤモンドバイトの酸素イオンビーム加工(第1報) -切れ刃の先鋭化とマイクロチッピングの除去-
- ECR型イオン源を用いた単結晶ダイヤモンドの酸素イオンビーム加工
- ダイヤモンド(100)面のイオンビーム援用化学加工(第2報) -比加工速度の試料温度依存性について-
- ダイヤモンド探針の酸素イオンビーム加工(第1報) -形状変化の計算機シミュレーション-
- ECR型イオン源を用いたダイヤモンド(100)面の酸素イオンビーム加工(第3報)-加工速度のガス圧力依存性について-
- 集束ビーム加工による形状創成(3次元微細形状創成技術)
- イオンビームを用いたCVDダイヤモンド薄膜の平滑化(第2報)-エッチバック法を用いた場合-
- 集束イオンビームによる三次元ナノテクノロジーの展開
- 集束イオンビームを用いた3次元ナノ構造形成技術
- 集束イオンビームによる立体ナノ構造形成技術 (特集 光ナノ加工)
- WS.4-2 集束イオンビームを用いた立体ナノ構造形成技術
- ナノ構造形成技術の動向と最近の話題
- 海外における精密工学の動向(精密工学の新たな展開)
- 第4回ナノインプリント・ナノプリント技術国際会議報告
- 第14回マイクロプロセス・ナノ工学国際会議報告
- C112 Micro digital-holographic PTVによるマイクロ流路内高時間分解3次元計測(OS-11 ナノスケール伝熱I)
- 表面活性化接合によるナノインプリントリソグラフィー
- ナノテクノロジー構築体制(ナノテクノロジー構築最前線 : その哲学と動向)
- ナノインプリント技術の現状と動向
- 産業技術 ナノテク微細加工の最前線 インプリントによるナノ加工
- ダイヤモンドを用いたナノインプリントリソグラフィ
- 電子線誘起金属膜堆積による微小MIMトンネル接合形成
- 圧力印加による新半導体リソグラフィー技術
- ナノインプリント技術の現状
- 電子ビーム露光技術の現状と展望
- 20pTD-5 集束イオンビーム励起表面反応による立体ナノ構造形成技術とその応用
- D235 イオン表面衝突過程における2次電子へのエネルギー伝達に関する量子分子動力学解析(分子動力学1)
- A224 イオン表面衝突過程における電子へのエネルギー伝達に関する量子分子動力学解析(マイクロ・ナノスケール7)
- A131 大規模分子動力学を用いた集束イオンビームにおけるナノ領域スパッタリング(マイクロ・ナノスケール3)
- 水素ガスを用いたダイヤモンドの電子ビーム援用化学加工(第1報) -ダイヤモンド(110)面の加工特性-
- 酸素ガスを用いたダイヤモンドの電子ビーム援用化学加工(第5報) -電子ビームの照射面積を広くした場合-
- 集束イオンビーム装置の現状
- FIBによる極微細加工技術
- 電子・集束イオンビーム援用化学加工によるダイヤモンドの微細加工:電子ビームとイオンビームにおける加工特性の違い
- ダイヤモンドのイオンビーム・電子ビーム加工
- スピンオングラスをマスクとしたダイヤモンドの微細加工
- 電子・集束イオンビーム援用化学加工によるダイヤモンドの微細加工
- 高精度表面加工技術の動向 (特集 ナノ加工・ナノ計測)
- 電子ビーム援用化学加工山法によるダイヤモンドの微細パターン形成
- レジストプロセスを用いた単結晶ダイヤモンドの微細加工
- 酸素ガスを用いたダイヤモンドの電子ビーム援用化学加工(第1報) : 加工特性と線や矩形パターンの作製
- 酸素ガスを用いたダイヤモンドの電子ビーム援用化学加工(第4報)-加速電圧を変えた場合-
- ナノインプリント用金型作製技術
- 酸素ガスを用いたダイヤモンドの電子ビーム援用化学加工(第3報)-線パターンや矩形パターンの加工特性-
- C-7-3 回折光学素子を用いたホログラフィックメモリーの検討(C-7.磁気記録・情報ストレージ)