23aPS-22 TiVCr系水素吸蔵合金表面の光電子分光(23aPS 領域5ポスターセッション(光電子分光・光誘起相転移等),領域5(光物性))
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 2010-03-01
著者
-
春山 雄一
兵庫県立大高度研
-
寺岡 有殿
原子力機構
-
松井 真二
兵庫県立大高度研
-
松井 真二
兵庫県立大
-
春山 雄一
兵庫県立大学 高度産業科学技術研究所
-
春山 雄一
兵庫県立大
-
春山 雄一
姫路工大高度研
関連論文
- 28aPS-28 EuNi_2(Sl_Ge_x)_2(x=0.75, 0)の高分解能4d4f共鳴光電子分光
- 23aPS-22 TiVCr系水素吸蔵合金表面の光電子分光(23aPS 領域5ポスターセッション(光電子分光・光誘起相転移等),領域5(光物性))
- 24pYC-15 SPring-8原研軟X線ビームラインBL23SUにおけるMCD
- 23pPSB-21 EuNi_2(Si_Ge_x)_2の共鳴光電子分光II
- 放射光STMによるナノスケールでの表面元素分析
- 軟X線放射光を用いた溶融Zn-Al系めっき上腐食生成物の構造解析
- 放射光-光電子分光法を用いた溶融Zn-Al系めっき上腐食生成皮膜の構造解析
- 溶融Zn-Al系めっき鋼板上酸化膜の皮膜構造に及ぼすAlの影響(腐食防食)
- 30aXA-13 微小領域でのSRとレーザー組み合わせ実験のためのビームライン改造
- 22aWA-1 レーザーアニールを利用したSi(111)清浄表面の電子状態
- 光電子顕微鏡
- 25aYC-7 Ni, Co薄膜で観測される2正孔束縛状態サテライトの振る舞い
- 28a-Q-4 レーザーアニールによるSi(111)清浄表面の高温における電子状態
- Ti-Ni薄膜の形状回復力を用いた高接触力MEMSプローブカードの試作
- ナノ構造技術
- シリコン技術
- 30nmゲート長EJ-MOSFETの作製
- 26aPS-3 Arクラスターイオンビーム援用蒸着法により作成したDLC薄膜の電子状態II(ポスターセッション,領域5,光物性)
- 23pPSA-11 Arクラスターイオンビーム援用蒸着法により作成したDLC薄膜の電子状態(領域5ポスターセッション,領域5,光物性)
- 27p-ZF-8 可視発光Siの作製と物性 : イオン照射フッ酸処理法と陽極化成法
- 放射光を照射したPTFE表面に対する加熱効果の光電子分光による観察
- 放射光を照射したPTFE表面に対する加熱効果の光電子分光による観察
- 28p-YB-2 冷却中性原子ホログラフィー
- 集束イオンビームを用いたバイオナノツールの作製と応用
- 集束イオンビーム励起表面反応による化学気相成長法を用いた単一オルガネラ操作のためのバイオナノツールの作製と評価(ナノバイオ技術,次世代ナノテクノロジー論文)
- 細胞内操作のためのFIB-CVDによる細胞壁切断ツール及びナノネットの開発
- タンパク質モータのナノ・マイクロデバイスへの応用
- 電子線励起表面反応による3次元ナノ構造形成
- 電子ビーム励起表面反応を用いたナノメータエッチング
- 30nmゲート長EJ-MOSFETの作製
- 27aPS-5 フッ素含有ダイヤモンドライクカーボン薄膜の加熱温度依存性(領域5ポスターセッション,領域5,光物性)
- 機能性ダイヤモンドライクカーボン薄膜の光電子分光による評価
- 28pPSA-5 フッ素含有ダイヤモンドライクカーボン薄膜の電子状態(28pPSA 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 22aPS-11 水素含有ダイヤモンドライクカーボン薄膜の電子状態(22aPS 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- IV ニュースバル・ビームライン7Bを用いた物性研究(ナノ構造物性学)
- III 炭素系薄膜の局所構造解析(ナノ構造物性学)
- II 放射光励起反応ダイナミクスの解明(ナノ構造物性学)
- I ナノ構造形成技術(ナノ構造物性学)
- IV ニュースバル・ビームライン7Bを用いた物性研究(ナノ構造物性学,物質理学研究科)
- III 炭素系薄膜の局所構造解析(ナノ構造物性学,物質理学研究科)
- II 放射光励起反応ダイナミクスの解明(ナノ構造物性学,物質理学研究科)
- 静電駆動式ナノ引張試験デバイスによるカーボンナノワイヤの力学的特性評価
- 第4回ナノインプリント・ナノプリント技術国際会議報告
- 室温ナノインプリント技術
- 室温ナノインプリント技術(ナノ加工技術,次世代ナノテクノロジー論文)
- 集束イオンビーム励起化学気相成長法を用いて作製したダイアモンドライクカーボンナノスプリングの機械特性
- I ナノ構造形成技術(ナノ構造物性学,物質理学研究科)
- IV ニュースバル・ビームライン7Bを用いた物性研究(ナノ構造物性学)
- III アモルファスカーボン薄膜の局所構造解析(ナノ構造物性学)
- II 放射光を用いた機能性表面の創製(ナノ構造物性学)
- I ナノ構造形成技術(ナノ構造物性学)
- 21aPS-12 Si(100)表面上に蒸着したAu薄膜の加熱効果(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24aPS-125 Si(111)表面上におけるAu薄膜の電子状態(表面・界面, 結晶成長,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 技術解説 集束イオンビームを用いた立体ナノ構造形成技術
- 集束イオンビームによる超微細立体構造形成技術(荷電ビームを応用する加工と計測)
- 30aPS-25 STMによるAu-Si(100)表面の観察(30aPS 領域9ポスターセッション(表面,界面,結晶成長),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 15aPS-18 光電子分光による Si(100) 表面上に蒸着した Au 薄膜の電子状態の観察(領域 9)
- 27pPSA-8 内殻光電子分光によるSi(100)表面上のAu薄膜(領域9ポスターセッション)(領域9)
- 21aYD-9 Si(100) 表面上における Au 薄膜の電子状態
- 30pPSA-18 PTFE に対する軟 X 線照射効果
- 集束イオンビームによる立体ナノ構造形成技術とナノインプリント技術
- 集束イオンビーム化学気相成長法(FIB-CVD)を用いた3端子ナノマニピュレータ
- FIB-CVDによるピラーを用いた多種材料のヤング率測定
- マイクロ引張試験チップによるカーボンナノワイヤの機械・電気特性評価に関する研究(S05-1 ナノ・マイクロ材料の強度評価,S05 薄膜の強度物性と信頼性)
- 新機能を創造するナノインプリント技術 : —総論と将来展望—
- ナノインプリント技術の現状
- ナノインプリント技術の現状と応用展望
- 集束イオンビーム化学気相成長法を用いたナノ電磁石の作製
- ナノインプリントと表面科学 : 発想の Quantum Jump
- 兵庫県立大学 高度産業科学技術研究所
- CT-2-2 ナノプロセスの基礎と応用(CT-2.ナノ・メカ・バイオ機能材料のデバイス・システムへの応用の新展開,チュートリアル講演,ソサイエティ企画)
- 集束イオンビームによる立体ナノ構造形成技術とその応用
- 新しいアプローチによるチップ作製技術 : ナノインプリント技術の基礎と応用
- ナノインプリント技術
- ナノインプリント技術
- 電子ビーム露光技術の現状と展望
- マイクロコンタクトプリントとナノインプリントによる電子回路形成
- ミクロンサイズ磁気円盤配列における磁気ダイナミクスの時間分解光電子顕微鏡観測
- 27pPSA-16 フッ素含有単分子膜の光電子分光による評価(27pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23pPSA-9 フッ素含有自己組織化膜の電子状態(23pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- ナノ加工の歴史と創造性
- 周期構造がインプリントされた高分子フィルムの光学基本特性の規格化周期依存性(光機能性有機材料・デバイス,光非線形現象,一般)
- 周期構造がインプリントされた高分子フィルムの光学基本特性の規格化周期依存性(光機能性有機材料・デバイス,光非線形現象,一般)
- 周期構造がインプリントされた高分子フィルムの光学基本特性の規格化周期依存性
- 26pPSB-16 CVD法により作成したフッ素含有薄膜の電子状態(26pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 周期構造がインプリントされた高分子フィルムの光学基本特性の規格化周期依存性
- 28pPSB-3 光反応性高分子液晶の軟X線吸収分光による研究(28pPSB 領域5ポスターセッション(放射光・励起子・フォトニック結晶・超高速現象ほか),領域5(光物性))
- PA48 光配向高分子液晶へのナノインプリントと構造複屈折特性(分子配向エレクトロニクス,ポスター発表,2012年日本液晶学会討論会)
- 6pPSB-16 ニュースバル・ビームライン7Bの性能評価(表面界面結晶成長,領域9)
- 27pPSA-18 光配向性高分子液晶の軟X線吸収分光による表面配向性の評価(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 28pPSA-39 斜め光照射した光反応性高分子液晶膜の表面配向性(28pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面・結晶成長))