28a-Q-4 レーザーアニールによるSi(111)清浄表面の高温における電子状態

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概要

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• 社団法人日本物理学会の論文
• 1999-03-15

著者

• 春山 雄一

  姫工大高度研

• 木下 豊彦

  東大物性研

• 田中 慎一郎

  阪大産研

• 田中 慎一郎

  分子研UVSOR

• 春山 雄一

  分子研UVSOR

• 春山 雄一

  兵庫県立大

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