5p-A-3 層状物質VSe_2, NbSe_2, TaSe_2の角度分解逆光電子分光
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1989-09-12
著者
-
菅 滋正
東大物性研
-
木下 豊彦
東大物性研
-
生天目 博文
広大理
-
生天目 博文
東大理
-
松原 秀樹
Engineering Research Institute University Of Tokyo
-
三須 明
東理大理
-
野原 進一
東大理
-
野原 進一
東大物性研、東理大理
-
松原 秀樹
東大物性研
-
藤沢 雅美
東大物性研
-
内藤 方夫
NTT通研
-
田中 昭二
東海大理
-
田中 昭二
(財)国際超電導産業技術研究センター超電導工学研究所
-
内藤 方夫
Ntt
関連論文
- 28aPS-28 EuNi_2(Sl_Ge_x)_2(x=0.75, 0)の高分解能4d4f共鳴光電子分光
- 30a-P-3 PF BL-19A スピン分解光電子分光装置 II
- 28a-D-6 低温光電子分光による相転移と電子状態の研究
- 6a-PS-22 (La_Sr_x)_2MO_4 (M=Cu,Ni,Co,Fe)の電子状態
- 27a-RB-11 BaPb_Bi_xO_3の真空紫外線反射スペクトル
- 2a-F-5 SORによるTiS_2層間化合物の電子状態
- E. -E. Koch 編: Handbook on Synchrotron Radiation, Vols. 1A and 1B, North-Holland, Amsterdam and New York, 1983, 2vols. (1,165ページ), 24×16cm, 72,000円 (set).
- 31p-F-3 固体のVUV分光
- 31a-A-1 パイライト型化合物の光スペクトルと電子構造
- N. G. Basov編: Synchrotron Radiation, Consultants Bureau, New York and London, 1976, vii+224ページ, 27.5×21.5cm, $51.00 (Proceedings (Trudy) of the P. N. Lebedev Physics Institute, Vol. 80).
- 3a-W-10 PF BL-18Aにおける高分解能角度分解光電子分光
- 1. 座談会 : 日本のSOR物性研究の将来(シンクロトロン放射光による物性研究)
- 4a-Z-8 CdTe 1s 励起子の磁気反射スペクトルの理論的再現
- 31p GF-10 CuI, CuBrのZ_励起子ポラリトンに対するk一次項効果
- 3a-Q-7 I-VII,II-VI,III-V族化合物における励起子の磁気分光
- 立方型半導体における励起子の磁気光学効果
- 28p-ZF-4 DCNQI-Cu塩のUPSと、電子状態の考察
- 25a-ZD-11 アルカリ金属の内殻光電子スペクトル
- 25pWB-2 Yb/Si(001)2×3表面における電子状態および構造(表面・界面電子物性,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 24aPS-124 Yb吸着によりSi(111)表面上に誘起された(3×2)超構造の電子状態(表面・界面, 結晶成長,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 27pPSA-10 時間分解光電子分光によるSi(001)-(2×1)表面の酸化過程の研究(領域9ポスターセッション)(領域9)
- 19pPSB-16 C_/Siヘテロ接合の界面空準位と結合配置
- 22aWA-8 Si表面に吸着したC_の電子状態 : K共吸着量依存性II
- 25pW-11 Si表面に吸着したC_の電子状態 : K共吸着量依存性
- 23pPSB-21 EuNi_2(Si_Ge_x)_2の共鳴光電子分光II
- 30aYE-9 Au(111)表面上のPd薄膜における表面準位(表面界面電子物性(金属・有機))(領域9)
- 27aWP-12 放射光励起STMの開発と性能評価(2)(表面界面電子物性(半導体・無機))(領域9)
- 21aYD-5 放射光励起 STM の開発と性能評価
- 29pZH-9 S/GaAs (100) 上の Co クラスターの光電子分光
- 28p-H-3 Ce/Cu(110)の光電子分光
- 12a-DC-17 Ce/Ni(110)界面における化合物形成と電子構造
- 12a-DC-16 CeNiAl_4、CeNi_2Al_5の高分解能共鳴光電子分光
- 25p-ZD-2 Ni(110)のスピン分解光電子分光
- 25a-ZD-10 CeB_6の共鳴光電子分光
- 25a-ZD-6 CeNi_2Al_3の共鳴光電子分光
- 27p-ZS-9 シンクロトロン放射角度分解光電子分光法によるSi(001)2x1-Na表面の研究
- 領域3,9「高輝度放射光を利用した表面,ナノ領域磁性研究」(第57回年次大会シンポジウム(物性分科会)の報告)
- 26pL-1 はじめに
- 13a-PS-8 Smカルコゲナイドの共鳴光電子分光
- 13a-PS-7 Euカルコゲナイド結晶の共鳴光電子分光
- 30a-E-3 Ni(110)の角度分解共鳴光電子分光
- 28a-B-11 Ni単結晶の角度分解共鳴光電子分光
- 25p-PS-48 シンクロトロン放射光電子分光法によるK/Si(001)2x1表面の研究
- 25p-W-7 CeNi、LaNiの高分解能光電子分光
- 5p-A-3 層状物質VSe_2, NbSe_2, TaSe_2の角度分解逆光電子分光
- 26pXP-8 放射光PEEMを用いた,NiOの高分解能Ni-L端吸収スペクトルとMLD(領域5, 領域3, 領域8合同招待講演,領域5(光物性))
- 28a-D-5 低温光電子分光実験装置
- 28p-PS-13 Ce_2SbのUPS
- 28p-PS-6 YbSb_2のUPSとdHvA効果
- 28p-B-17 TiS_2層間化合物の光電子分光
- 3a-TC-17 Sm_3Se_2の共鳴光電子分光
- 30p-D-10 Si(111)√×√-Ag, Ga, Sn表面内殻準位シフト
- 30p-E-18 Rhombohedral AsのSOR角度分解光電子分光
- 3a-TC-18 遷移金属ダイカルコゲナイドの光電子分光
- 21aPS-17 Tl吸着Ge(111)表面の電子状態(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21aPS-17 Tl吸着Ge(111)表面の電子状態(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21aPS-17 Tl吸着Ge(111)表面の電子状態(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21aPS-14 角度分解光電子分光法によるGe(111)3×1-Tl表面の電子状態の研究(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 28aSC-1 NiO(100)表面における反強磁性磁区ドメインの加熱効果の観察(28aSC 領域9,領域3合同 表面・界面磁性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 28aSC-1 NiO(100)表面における反強磁性磁区ドメインの加熱効果の観察(28aSC 領域9,領域3合同 表面・界面磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 14aXD-2 SR-PEEM による酸素 K 吸収端での NiO(100) 表面の反強磁性磁区ドメイン観察(表面・界面磁性, 領域 3)
- 14aXD-2 SR-PEEM による酸素 K 吸収端での NiO(100) 表面の反強磁性磁区ドメイン観察(表面・界面磁性, 領域 9)
- 27pPSA-9 Si表面上のGdナノ細線の光電子分光(領域9ポスターセッション)(領域9)
- 23aWA-5 放射光光電子顕微鏡による微小領域表面磁性の研究
- 21aYD-12 Si 表面上の Gd 一次元鎖構造の光電子分光
- 2a-Q-7 c(2×2)S/Fe(100)表面のスピン・角度分解電子分光
- 3p-F-16 Ni単結晶の光電子スピン分解低速電子線回折分光スペクトル(II)
- 3p-F-10 鉄カルコゲナイド遍歴フェリ磁性体のスピン編極光電子分光
- 12a-DC-18 Ni単結晶温度依存スピン分解光電子分光
- 13a-E-9 微結晶Siの軟X線反射スペクトル
- 25p-ZD-1 PF BL-19Aスピン分解光電子分光装置
- 27a-B-12 (V_Cr_X)_2O_3の光電子分光
- 30aXA-13 微小領域でのSRとレーザー組み合わせ実験のためのビームライン改造
- 22aWA-1 レーザーアニールを利用したSi(111)清浄表面の電子状態
- 25aYC-7 Ni, Co薄膜で観測される2正孔束縛状態サテライトの振る舞い
- 28a-Q-4 レーザーアニールによるSi(111)清浄表面の高温における電子状態
- 31p-XB-9 DMTSA-BF_4の光電子分光
- 29a-H-1 CeB_6の共鳴光電子分光 II
- 29a-G-7 Si(111)3×1-NaとSi(111)δ7×7-NaにおけるSi2p内殻準位シフト
- 27p-B-1 YbB_6の共鳴光電子分光
- 24aN-1 Fe/Ag(001)表面のスピン分解光電子回折
- 27aYQ-6 Si(111)3×1 ,5×1 ,8×2-Baの光電子分光II : 角度分解光電子分光
- 22aWA-2 Si(111)3×1,5×1,8×2-Baの光電子分光I : (表面内殻準位シフト)
- 31aZE-13 内殻光電子分光による Si(111)√x√-(Ag, Na) 表面の研究
- 6a-ZA-2 La_Sr_xCuO_4、La_Sr_xNiO_4の光電子分光
- 30p-L-13 CuFeS_2の共鳴光電子分光
- 30a-B-13 アモルファスシリコンの軟X線反射スペクトル
- 28p-PS-26 酸化物高温超伝導体の電子分光(UPS, ELS)
- 28a-D-8 逆光電子分光実験 I
- 27p-RB-2 BaPb_Bi_xO_3のUPSスペクトル
- 6a-ZA-11 Nd_Ce_xCuO_4の共鳴光電子分光
- 6a-ZA-7 Bi系酸化物超伝導体の光電子分光
- 30a-LC-10 BaPb_Bi_xO_3のバンド構造と真空紫外線反射スペクトル(低温)
- 28a-LM-4 黒リンの共鳴光電子放出(イオン結晶・光物性)
- 30a-PS-14 CeCu_4Al_8の磁性と共鳴光電子分光(磁性(価数揺動))
- 2p-A2-7 KDP, DKDPの真空紫外反射スペクトルの温度変化(2p A2 誘電体,誘電体)
- 31p-PS-160 Cu系超伝導酸化物と、その周辺物質の光学スペクトル(31p PS 低温(酸化物超伝導))
- 31p-J-1 XPSとUPSによる価数揺動物質Yb_4X_3(X:As,Sb,Bi)系の研究(31pJ イオン結晶・光物性(SOR,VUV))
- 1p-D5-9 SORを用いたKDP結晶の真空紫外反射スペクトル(I)(1p D5 イオン結晶・光物性(SOR・VUV),イオン結晶・光物性)
- 2p-PS-22 U_3P_4の電子状態のシンクロトロン放射光電子分光(2p PS 磁性(近藤格子等))