27p-ZF-8 可視発光Siの作製と物性 : イオン照射フッ酸処理法と陽極化成法
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概要
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- 社団法人日本物理学会の論文
- 1992-09-14
著者
-
木村 滋
JASRI
-
市橋 鋭也
NEC基礎研究所
-
馬場 雅和
NEC基礎研究所
-
落合 幸徳
JST
-
落合 幸徳
NEC基礎研究所
-
松井 真二
NEC基礎研究所
-
落合 幸徳
Nec基礎・環境研究所
-
小野 晴彦
マイクロエレ研
-
望月 康則
NEC基礎研
-
渡部 平司
NEC基礎研
-
大久保 紀雄
NEC基礎研
-
木村 滋
マイクロエレ研
-
松井 真二
兵庫県立大
-
松井 真二
日本電気(株)基礎研究所
-
望月 康則
Necシステムデバイス研究所
-
渡部 平司
NECシステムデバイス研究所
-
馬場 雅和
Nec 基礎・環境研
-
馬場 雅和
Nec基礎研:crest-jst
-
市橋 鋭也
Nec基礎・環境研究所
-
松井 真二
Nec 基礎研
-
落合 幸徳
Nec基礎・環境研
-
木村 滋
(財)高輝度光科学研究センター ナノテクノロジー総合支援プロジェクト推進室
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