3a-Q-6 UHV-TEMによるSi表面の観察
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1994-08-16
著者
関連論文
- 27pYC-9 低速陽電子によるSi基板の炭化により導入された空孔型欠陥の研究
- SiC/Si界面のボイド欠陥発生の陽電子消滅法による観察 : エピタキシャル成長IV
- 25aYC-5 ナノ領域に選択成長させた触媒からのナノワイヤ生成(25aYC ナノチューブ・ナノワイヤ・結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 29a-ZB-1 IPによるカーボンナノチューブの電子回折図形の評価
- 15aPS-25 荒れた表面における吸着原子の表面拡散係数(領域 9)
- 17pTJ-1 メンブレン構造上の単層カーボンナノチューブの電気伝導
- 28aYX-9 単層カーボンナノチューブにおけるホッピング伝導
- 25aF-11 金超微粒子を用いた単層カーボンナノチューブの炭素不純物除去
- 29p-XA-14 単層カーボンナノチューブ生成における金属の影響
- 26p-YN-1 CO_2レーザー(CW)による室温での単層カーボンナノチューブの生成
- 27p-ZF-8 可視発光Siの作製と物性 : イオン照射フッ酸処理法と陽極化成法
- トップダウン微細加工によるカーボンナノチューブの位置制御技術
- 鉄触媒を用いた固相反応による非晶質カーボンピラーのチューブ化その場観察
- 鉄触媒を用いた固相反応による非晶質カーボンのチューブ化その場観察
- 12pWF-10 固相反応による鉄触媒からのカーボンナノチューブ形成過程その場観察(ナノチューブ物性, 領域 7)
- 12p-N-3 微粒子線の実験I. : 粒子速度の測定
- 28aXT-5 ラフネスを導入したSi表面上におけるAu原子の拡散(格子欠陥・ナノ構造)(領域10)
- 20pYD-5 電子線照射した Si(100) 表面上での吸着原子の拡散と集合
- 28pPSB-44 Si 表面ナノホールが存在する表面での Au 集合体の形成
- 26a-O-6 Ba_2YCu_3O_結晶の双晶と表面ステップ
- 技術解説/新製品・新技術 カーボンナノチューブへの微細電極形成法
- カーボンナノチューブの発見と高分解能電子顕微鏡
- 30p-Q-9 シリコン及びゲルマニウムにおける表面ナノホールの生成条件
- 31a-E-14 超高真空電顕法によるシリコン薄膜の電子線照射効果の研究
- 高分解能電子顕微鏡法によるSi微小欠陥の観察
- 3a-Q-6 UHV-TEMによるSi表面の観察
- 27p-PSA-1 Si清浄表面のUHV-TEM観察
- 4a-S-3 Au超微粒子の微細構造
- 12p-N-4 微粒子線の実験II : 粒子の成長機構
- 固相反応による鉄触媒からのCNT形成その場観察
- SbドープGa_In_P結晶における3倍周期構造(TP-A型自然超格子)の観察
- 9aSE-1 サファイア基板上の単層カーボンナノチューブのCVD成長(成長,構造,ガス吸着,領域7)