30p-Q-9 シリコン及びゲルマニウムにおける表面ナノホールの生成条件
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概要
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- 社団法人日本物理学会の論文
- 1999-03-15
著者
-
市橋 鋭也
NEC基礎研究所
-
竹田 精治
阪大院理
-
飯島 澄男
NEC基礎研
-
飯島 澄男
NECグリーンイノベーション研究所
-
Takeda Shingo
Faculty Of Science Himeji Institute Of Technology
-
竹田 精治
大阪大学・大学院理学研究科
-
市橋 鋭也
Necナノエレクトロニクス研究所
-
市橋 鋭也
Nec基礎・環境研究所
-
丹原 匡彦
阪大院理
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