市橋 鋭也 | NEC基礎研究所
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概要
関連著者
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市橋 鋭也
NEC基礎研究所
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市橋 鋭也
Nec基礎・環境研究所
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市橋 鋭也
Necナノエレクトロニクス研究所
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飯島 澄男
NEC基礎研
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Takeda Shingo
Faculty Of Science Himeji Institute Of Technology
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大野 裕
東北大金研
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竹田 精治
阪大院理
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鳥越 和尚
阪大院理
-
大野 裕
阪大院理
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Ohno Y
Jst‐presto Saitama Jpn
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Ohno Yoshikazu
Ulsi Laboratory Mitsubishi Electric Corporation
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Okamoto Yasunori
Research And Headquarters Kubota Corporation
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湯田坂 雅子
Aistナノチューブ研究センター
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二瓶 史行
NEC基礎研
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落合 幸徳
JST
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落合 幸徳
NEC基礎研究所
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落合 幸徳
Nec基礎・環境研究所
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竹田 精治
大阪大学・大学院理学研究科
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落合 幸徳
Nec基礎・環境研
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飯島 澄男
NECグリーンイノベーション研究所
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Takeda Shingo
Graduate School Of Science Himeji Inst. Of Tech.
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藤田 淳一
筑波大学大学院数理物質科学研究科
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石田 真彦
NEC基礎・環境研究所
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二瓶 史行
Nec基礎・環境研究所
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Nihey F
Nec Fundamental And Environmental Res. Lab. Tsukuba Jpn
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Nihey Fumiyuki
Nec Fundamental Research Laboratories
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竹田 精治
阪大・教養
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二瓶 史行
技術研究組合 単層cnt融合新材料研究開発機構
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竹田 精治
阪大理物
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飯島 澄男
名城大学大学院理工学研究科電気電子・情報・材料工学専攻
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飯島 澄男
科学技術振興事業団
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竹田 精治
阪大理学研究科
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湯田坂 雅子
科学技術振興事業団
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溝口 英二
東工大総理工
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泉水 信子
科学技術振興事業団
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泉水 信子
科技団・ナノチューブ状物質プロジェクト
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坂東 俊治
名城大学大学院理工学研究科電気電子・情報・材料工学専攻
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古戸 聖浩
阪大基礎工
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二瓶 史行
大阪大学大学院理学研究科物理学専攻
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Takeda Shuzaburo
Department Of Electro-photo-optics School Of Engineering Tokai University
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Nihey Fumiyuki
Fundamental Research Laboratories Nec Corporation
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小海 文夫
三重大工
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木村 滋
JASRI
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上殿 明良
筑波大数理
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上殿 明良
筑波大学電子物理工学系
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渡辺 匡人
NEC
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谷川 庄一郎
筑波大物理工
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渡辺 匡人
NEC基礎研究所
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上殿 明良
筑波大学物理工学科
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谷川 庄一郎
筑波大学物理工学科
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末永 和知
産総研ナノチューブ応セ
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末永 和知
科学技術振興事業団
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谷川 庄一郎
筑波大物質工学
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中村 和夫
東工大総理工 : Nec基礎研
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吉川 純
阪大院理
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秋田 知樹
産業技術総合研究所関西センター・ユビキタスエネルギー研究部門
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秋田 知樹
産総研関西
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市川 聡
阪大ナノ機構
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竹田 精冶
阪大院理
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市川 聡
産業技術総合研究所
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市川 聡
東京大学大学院新領域創成科学研究科
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渡辺 匡人
学習院大学理学部
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馬場 雅和
NEC基礎研究所
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湯田坂 雅子
科技団
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本郷 廣生
NEC基礎研
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小海 文夫
(財)産業創造研究所
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小海 文夫
産業創造研究所
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高橋 邦充
産業創造研究所
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湯田坂 雅子
NEC基礎研
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坂東 俊治
科学技術振興事業団
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板東 俊治
科学技術振興事業団
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熊谷 幹郎
産業創造研究所
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松井 真二
NEC基礎研究所
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小野 晴彦
マイクロエレ研
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本郷 廣生
東京工業大学工学部電気電子工学科
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望月 康則
NEC基礎研
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渡部 平司
NEC基礎研
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大久保 紀雄
NEC基礎研
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木村 滋
マイクロエレ研
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飯島 澄男
産業技術総合研 新炭素系材料開研セ
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熊谷 幹郎
(財)産業創造研究所柏研究所
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松井 真二
兵庫県立大
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松井 真二
日本電気(株)基礎研究所
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望月 康則
Necシステムデバイス研究所
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渡部 平司
NECシステムデバイス研究所
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馬場 雅和
Nec 基礎・環境研
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馬場 雅和
Nec基礎研:crest-jst
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吉川 純
東北大多元研:aist:阪大院理学研究科
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湯田坂 雅子
Nec基礎・環境研究所
-
本郷 廣生
NECグリーンイノベーション研究所
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丹原 匡彦
阪大院理
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松井 真二
Nec 基礎研
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渡邉 匡人
学習院大 理
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木村 滋
(財)高輝度光科学研究センター ナノテクノロジー総合支援プロジェクト推進室
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飯島 澄男
R&DG
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鈴木 徹
NEC光・超高研
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竹田 精治
大阪大学・産業科学研究所
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市川 聡
大阪大学ナノサイエンスデザイン教育研究センター
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谷川 庄一郎
筑波大学物質工
著作論文
- SiC/Si界面のボイド欠陥発生の陽電子消滅法による観察 : エピタキシャル成長IV
- 25aYC-5 ナノ領域に選択成長させた触媒からのナノワイヤ生成(25aYC ナノチューブ・ナノワイヤ・結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 15aPS-25 荒れた表面における吸着原子の表面拡散係数(領域 9)
- 17pTJ-1 メンブレン構造上の単層カーボンナノチューブの電気伝導
- 25aF-11 金超微粒子を用いた単層カーボンナノチューブの炭素不純物除去
- 29p-XA-14 単層カーボンナノチューブ生成における金属の影響
- 26p-YN-1 CO_2レーザー(CW)による室温での単層カーボンナノチューブの生成
- 27p-ZF-8 可視発光Siの作製と物性 : イオン照射フッ酸処理法と陽極化成法
- トップダウン微細加工によるカーボンナノチューブの位置制御技術
- 鉄触媒を用いた固相反応による非晶質カーボンピラーのチューブ化その場観察
- 鉄触媒を用いた固相反応による非晶質カーボンのチューブ化その場観察
- 28aXT-5 ラフネスを導入したSi表面上におけるAu原子の拡散(格子欠陥・ナノ構造)(領域10)
- 20pYD-5 電子線照射した Si(100) 表面上での吸着原子の拡散と集合
- 28pPSB-44 Si 表面ナノホールが存在する表面での Au 集合体の形成
- 30p-Q-9 シリコン及びゲルマニウムにおける表面ナノホールの生成条件
- 31a-E-14 超高真空電顕法によるシリコン薄膜の電子線照射効果の研究
- 高分解能電子顕微鏡法によるSi微小欠陥の観察
- 3a-Q-6 UHV-TEMによるSi表面の観察
- 27p-PSA-1 Si清浄表面のUHV-TEM観察
- 固相反応による鉄触媒からのCNT形成その場観察
- SbドープGa_In_P結晶における3倍周期構造(TP-A型自然超格子)の観察