松井 真二 | Nec 基礎研

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概要

• 同名の論文著者
• Nec 基礎研の論文著者

関連著者

• 松井 真二

  Nec 基礎研

• 松井 真二

  日本電気(株)基礎研究所

• 松井 真二

  兵庫県立大

• 藤田 淳一

  筑波大学大学院数理物質科学研究科

• 落合 幸徳

  JST

• 落合 幸徳

  Nec基礎・環境研究所

• 馬場 雅和

  Nec 基礎・環境研

• 松井 真二

  日本電気(株)

• 藤田 淳一

  NEC基礎研

• 松井 真二

  NEC基礎研究所

• 馬場 雅和

  日本電気(株)基礎・環境研究所

• 落合 幸徳

  Nec基礎・環境研

• 藤田 淳一

  日本電気(株)基礎研

• 藤田 淳一

  日本電気(株)

• 森永 実

  レーザー新世代研究センター

• 馬場 寿夫

  NEC基礎研

• 菊田 惺志

  東大・工

• 清水 富士夫

  電通大レーザー量子・物質

• 川浦 久雄

  日本電気(株)ビジネスイノベーションセンター

• 阪本 利司

  NEC基礎・環境研究所

• 川浦 久雄

  NEC基礎・環境研究所

• 清水 富士夫

  電気通信大学 レーザー新世代研究センター

• 落合 幸徳

  NEC基礎研究所

• 曽根 純一

  NEC基礎研究所

• 落合 幸徳

  日本電気(株)基礎研究所

• 藤田 淳一

  Nec基礎研究所

• 藤田 淳一

  Nec基研

• 馬場 寿夫

  Nec基礎研究所

• 清水 富士夫

  電通大レーザーセンター:crest

• 菊田 惺志

  (財)高輝度光科学研究センター

• 清水 富士夫

  東京大学工学部

• 渡部 平司

  NECシステムデバイス研究所

• 阪本 利司

  日本電気(株)基礎・環境研究所

• 皆藤 孝

  エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社

• 曽根 純一

  東大

• 清水 富士夫

  電通大ils

• 村上 浩一

  筑波大学, 筑波大特プロ"ナノサイエンス"

• 目良 裕

  東大工

• 前田 康二

  東大工

• 大野 雄高

  名大工

• 木村 滋

  JASRI

• 市橋 鋭也

  NEC基礎研究所

• 松井 真二

  姫路工業大学高度産業科学技術研究所

• 奥野 恒久

  和歌山大シス工

• 大野 雄高

  名古屋大学大学院工学研究科量子工学専攻

• 伊東 千尋

  和歌山大シス工

• 目良 裕

  東大院工

• 本間 芳和

  東京理科大学

• 松井 真二

  兵庫県立大高度研

• 須原 理彦

  首都大学東京大学院理工学研究科

• 山田 明

  東工大

• 上田 修

  金沢工大

• 石橋 幸治

  理研

• 清水 富士夫

  東大工

• 中嶋 健

  東京工業大学

• 森田 清三

  阪大院

• 馬場 雅和

  NEC基礎研究所

• 重川 秀実

  筑波大物質工

• 粟野 祐二

  慶大

• 荒川 太郎

  横浜国大

• 石橋 幸治

  (独)理化学研究所 石橋極微デバイス工学研究室

• 本間 芳和

  東理大理

• 荻野 俊郎

  横国大

• 高橋 琢二

  東大

• 佐野 芳明

  沖電気

• 中嶋 健

  東工大

• 松本 和彦

  阪大

• 篠塚 雄三

  和歌山大

• 徳光 永輔

  東工大

• 荒川 太郎

  横国大

• 小林 慶裕

  阪大

• 佐藤 信太郎

  富士通研

• 赤澤 方省

  NTT

• 渡辺 精一

  北大

• 尾崎 信彦

  和歌山大

• 荻野 俊郎

  横浜国立大学大学院工学研究院

• 本間 芳和

  日本電信電話(株)ntt物性科学基礎研究所

• 佐野 芳明

  沖電気工業株式会社研究開発本部

• 森田 清三

  阪大理

• 須原 理彦

  首都大

• 岸本 哲夫

  東大工

• 小野 晴彦

  マイクロエレ研

• 安田 正美

  東大工

• 森永 実

  東大工

• 皆藤 孝

  セイコーインスツルメント株式会社 科学機器事業部

• 渡辺 精一

  北大・工学部

• 望月 康則

  NEC基礎研

• 渡部 平司

  NEC基礎研

• 大久保 紀雄

  NEC基礎研

• 木村 滋

  マイクロエレ研

• 本間 芳和

  東理大

• 石田 真彦

  NEC基礎・環境研究所

• 岸本 哲夫

  電通大先端セ

• 本間 芳和

  日本電信電話株式会社 Ntt物性科学基礎研究所

• 篠塚 雄三

  和歌山大学大学院システム工学研究科

• 山下 浩

  日本電気(株) Ulsiデバイス開発研究所 微細加工技術開発部

• 大野 雄高

  名大

• 奥野 恒久

  和歌山大

• 重川 秀実

  筑波大

• 望月 康則

  Necシステムデバイス研究所

• 橋 亜紀子

  東大工

• 村上 浩一

  筑波大

• 森田 清三

  阪大

• 馬場 雅和

  Nec基礎研:crest-jst

• 渡部 平司

  日本電気(株)基礎研究所

• 市橋 鋭也

  Nec基礎・環境研究所

• 渡部 平司

  Necシリコンシステム研究所

• 渡部 平司

  日本電気(株)

• 伊東 千尋

  和歌山大

• 森永 実

  東京大学工学部物理工学科

• 山田 明

  東工大量子セ

• 松井 真二

  姫路工大高度産業科学技術研究所

• 皆藤 孝

  セイコーインスツルメンツ(株)科学機器事業部

• 前田 康二

  東大、工

• 松井 真二

  姫路工業大学理学部大学院高度研crest-jst

• 松井 真二

  Nec 基礎研究所

• 安田 正美

  産業技術総合研究所計測標準研究部門時間周波数科波長標準研究室

• 木村 滋

  (財)高輝度光科学研究センター ナノテクノロジー総合支援プロジェクト推進室

• 相崎 尚昭

  日本電気(株) ULSIデバイス開発研究所

• 前田 康二

  東大 工

• 山下 浩

  日本電気(株)エレクトロンデバイス

• 皆藤 孝

  セイコーイソスツルメンツ (株) 科学機器事業部

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著作論文

• ナノ構造技術
• 30nmゲート長EJ-MOSFETの作製
• 27p-ZF-8 可視発光Siの作製と物性 : イオン照射フッ酸処理法と陽極化成法
• 28p-YB-2 冷却中性原子ホログラフィー
• 電子線励起表面反応による3次元ナノ構造形成
• 電子ビーム励起表面反応を用いたナノメータエッチング
• 塩素吸着Si(111)7×7でのSTMによる原子サイズの表面構造形成
• STMによる極微細加工技術
• STMによる微細加工
• 30nmゲート長EJ-MOSFETの作製
• 原子線ホログラフィー
• 技術解説 集束イオンビームを用いた立体ナノ構造形成技術
• 集束イオンビームによる超微細立体構造形成技術(荷電ビームを応用する加工と計測)
• 高温超伝導体へのイオン・電子ビ-ム照射効果
• 電子ビーム露光技術の現状と展望
• ナノメータ微細加工技術の現状と展望
• 電子ビーム描画技術の現状と将来

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