馬場 寿夫 | NEC基礎研

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概要

• 同名の論文著者
• NEC基礎研の論文著者

関連著者

• 馬場 寿夫

  NEC基礎研

• 川浦 久雄

  日本電気(株)ビジネスイノベーションセンター

• 阪本 利司

  NEC基礎・環境研究所

• 川浦 久雄

  NEC基礎・環境研究所

• 馬場 寿夫

  Nec基礎研究所

• 阪本 利司

  日本電気(株)基礎・環境研究所

• 水田 正志

  NEC基礎研

• 阪本 利司

  日本電気(株)デバイスプラットフォーム研究所

• 阪本 利司

  Necデバイスプラットフォーム研究所

• 阪本 利司

  Nec 基礎・環境研

• 大森 恒彦

  高エ研

• 中西 彊

  名古屋大学・大学院理学研究科

• 吉岡 正和

  Kek

• 中西 彊

  名大理

• 竹内 康紀

  KEK

• 栗原 良将

  KEK

• 大森 恒彦

  KEK

• 多和田 正文

  名大理

• 青柳 秀樹

  名大理

• 津幡 充

  名大理

• 藤田 淳一

  NEC基礎研

• 落合 幸徳

  JST

• 落合 幸徳

  Nec基礎・環境研究所

• 藤田 淳一

  筑波大学大学院数理物質科学研究科

• 糸賀 賢二

  名大理

• 古屋 貴章

  KEK

• 中村 真介

  名大理

• 渡川 和晃

  理化学研究所X線自由電子レーザー計画推進本部

• 馬場 寿夫

  Nec基礎研究所、システムデバイス・基礎研究本部

• 植村 哲也

  Nec基礎研究所、システムデバイス・基礎研究本部

• 渡川 和晃

  独立行政法人理化学研究所 播磨研究所 放射光科学総合研究センター

• 鈴木 千尋

  名大理

• 奥見 正治

  名古屋大学・大学院理学研究科

• 渡川 和晃

  名大理

• 奥見 正治

  名大理

• 越河 勉

  総合研究大学院大

• 糸賀 賢二

  総合研究大学院大

• 青柳 秀樹

  高輝度光科学研究センター

• 青柳 秀樹

  (財)高輝度光科学研究センター・放射光研究所

• 馬場 雅和

  NEC

• 佐野 亨

  NEC

• 砂村 潤

  NEC基礎・環境研究所

• 馬場 雅和

  NEC基礎研究所

• 飯田 一浩

  NEC基礎研究所

• 佐野 亨

  NEC基礎研究所

• 井口 憲行

  NEC基礎研究所

• 落合 幸徳

  NECシリコンシステム研究所

• 松井 真二

  NEC基礎研究所

• 曽根 純一

  NEC基礎研究所

• 松井 真二

  兵庫県立大

• 松井 真二

  日本電気(株)基礎研究所

• 馬場 雅和

  日本電気(株)基礎・環境研究所

• 馬場 雅和

  Nec基礎研:crest-jst

• 砂村 潤

  Nec基礎・環境研究所:科学技術振興機構

• 砂村 潤

  日本電気株式会社

• 全 容震

  Nec基礎研究所、システムデバイス・基礎研究本部

• 曽根 純一

  東大

• 松井 真二

  Nec 基礎研

• 落合 幸徳

  Nec基礎・環境研

• 飯田 一浩

  Nec 基礎・環境研

• 砂村 潤

  ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部

• 栗原 良将

  高エ研

• 高橋 千賀子

  名大理

• 井田 貴之

  名大理

• 古田 史生

  名大理

• 和田 公路

  名大理

• 松本 浩

  KEK

• 竹内 康紀

  高エ研

• 吉岡 正和

  高エ研

• 谷本 育津

  名大理

• 青柳 秀樹

  総合研究大学院大

• 多和田 正文

  総合研究大学院大

• 津幡 充

  総合研究大学院大

• 渡川 和晃

  総合研究大学院大

• 中西 彊

  総合研究大学院大

• 中村 真介

  総合研究大学院大

• 超河 勉

  名大理

• 越河 勉

  名大理

• 松本 浩

  高工研

• 松本 浩

  高エネルギー加速器研究機構

• 古田 史生

  高エネルギー加速器研究機構

• 古田 史生

  高工研

• 和田 公路

  名古屋大学理学研究科

• 馬場 寿夫

  日本電気基礎研究所

• 水田 正志

  日本電気基礎研究所

• 落合 幸徳

  NEC基礎研究所

• 全 容振

  NEC基礎研究所、システムデバイス・基礎研究本部

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著作論文

• 30a-D-5 リニアコライダーに用いるマルチバンチ偏極電子ビームの生成実験
• 29a-C-2 リニアーコライダーの為の超格子半導体による偏極電子源の開発VI
• 1p-ZN-2 JLCのための超格子半導体によるスピン偏極電子源の開発IV
• 5p-A-9 JLCのための超格子半導体によるスピン偏極電子源の開発
• 27a-ZB-7 超格子半導体によるスピン偏極電子源の開発I
• DXセンター・エネルギーの局所環境効果
• [招待講演]ナノリソグラフィー技術のデバイス応用
• 微細MOSFET中のキャリア伝導
• 14nmゲートEJ-MOSFETの作製と電気的特性の評価
• 14 nmゲート EJ-MOSFETの作製と電気的特性の評価
• 30nmゲート長EJ-MOSFETの作製
• [招待講演]ナノリソグラフィー技術のデバイス応用
• 微細MOSFET中のキャリア伝導
• 30nmゲート長EJ-MOSFETの作製
• 80nmゲート長を有するセルフアラインSTT
• 80nmゲート長を有するセルフアラインSTT
• 表面トンネルトランジスタ

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