80nmゲート長を有するセルフアラインSTT

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概要

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表面トンネルトランジスタ(STT)の高速動作を目指して、電子ビーム露光と再成長を用いてセルフアライン構造を有する微細STT素子の作製を行なった。ゲート領域での再成長層の形状は、ゲート長と再成長層の膜厚により大きく変化することが分かった。再成長中、ゲート領域のエッジでは(111)ファセットが、中央部では(100)面がそれぞれ形成されるが、ゲート長が150nm以下になると成長速度の遅い(111)ファセットだけが残り最終的な再成長層の形状は三角形になる。再成長層形状制御により良好なトンネル接合を有するゲート長80nmのSTTが実現でき、またその特性評価からゲート変調された明瞭な負性抵抗特性を観測し、正常なトランジスタ動作していることを確認したので報告する。
社団法人電子情報通信学会の論文
2001-02-22

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