[招待講演]ナノリソグラフィー技術のデバイス応用
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概要
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近年の電子線リソグラフィー技術は10nmレベルまで達し、ナノサイズのデバイス作製が可能になった。ナノデバイスの魅力は、マクロスコピックな素子では実現不可能な機能を提供可能な点にある。例えばナノデバイスにより、量子効果の検出、単一電子帯電効果の増幅、原子・分子の直接ハンドリング等が可能となる。本稿では、上記機能を利用した3種のナノデバイス(極微細MOSFET、10値記憶可能な単一電子素子メモリ、ナノバイオ素子)について紹介する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-02-03
著者
-
馬場 寿夫
NEC基礎研
-
川浦 久雄
日本電気(株)ビジネスイノベーションセンター
-
阪本 利司
日本電気(株)デバイスプラットフォーム研究所
-
馬場 雅和
NEC
-
佐野 亨
NEC
-
阪本 利司
NEC基礎・環境研究所
-
川浦 久雄
NEC基礎・環境研究所
-
砂村 潤
NEC基礎・環境研究所
-
馬場 雅和
NEC基礎研究所
-
飯田 一浩
NEC基礎研究所
-
佐野 亨
NEC基礎研究所
-
井口 憲行
NEC基礎研究所
-
阪本 利司
Necデバイスプラットフォーム研究所
-
馬場 寿夫
Nec基礎研究所
-
阪本 利司
Nec 基礎・環境研
-
阪本 利司
日本電気(株)基礎・環境研究所
-
馬場 雅和
日本電気(株)基礎・環境研究所
-
馬場 雅和
Nec基礎研:crest-jst
-
砂村 潤
Nec基礎・環境研究所:科学技術振興機構
-
砂村 潤
日本電気株式会社
-
飯田 一浩
Nec 基礎・環境研
-
砂村 潤
ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部
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