微細MOSFET中のキャリア伝導
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概要
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10nmレベルのリソグラフィー技術をベースとしたテストデバイスを用いて、デカナノメートル以下の超微細MOSFETにおけるキャリア伝導特性を実験的に評価した。チャネル長25nm以下の領域では、十分なエネルギー緩和を経ずチャネルを走行するホットエレクトロンが顕著になることがわかった。10nm以下の領域では、ソース中の電子がトンネル効果により直接ドレインに達することが可能になり、サブスレッショルド係数を悪化させることもわかった。特に5nm以下では室温においてもトンネリング電流が顕著になり、ロジックLSIの低電圧・低消費電力駆動の大きな障害になることも示した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-02-09
著者
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馬場 寿夫
NEC基礎研
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川浦 久雄
日本電気(株)ビジネスイノベーションセンター
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阪本 利司
日本電気(株)デバイスプラットフォーム研究所
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阪本 利司
NEC基礎・環境研究所
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川浦 久雄
NEC基礎・環境研究所
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阪本 利司
Necデバイスプラットフォーム研究所
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馬場 寿夫
Nec基礎研究所
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阪本 利司
Nec 基礎・環境研
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阪本 利司
日本電気(株)基礎・環境研究所
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