相補型原子スイッチを用いた不揮発プログラマブルセルとその回路マッピング実証(IEDM特集(先端CMOSテバイス・プロセス技術))
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
低電圧プログラミングが可能な相補型原子スイッチを用いた不揮発プログラマブルセルを設計し、3x3セルアレイ規模での回路マッピングを65nmCMOSプラットフォームにおいて実証した。ルックアップテーブルのデータメモリおよびプログラマブル配線の切り替えスイッチの各々に合計368個の相補型原子移動スイッチを適用することで、CMOSスイッチを用いたリファレンスセルと比べて78%の小面積化と、プログラマブルセルの不揮発化を実現した。また任意回路を実現するための、RTLコードからコンフィギュレーションデータ生成までの一貫したツールチェーンを併せて開発し、4bitカウンタのマッピングを例題にセルアレイ動作を実証した。
- 一般社団法人電子情報通信学会の論文
- 2013-01-23
著者
-
波田 博光
Necデバイスプラットフォーム研究所
-
阪本 利司
日本電気(株)デバイスプラットフォーム研究所
-
井口 憲幸
日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
-
阪本 利司
Nec 基礎・環境研
-
波田 博光
超低電圧デバイス技術研究組合
-
宮村 信
超低電圧デバイス技術研究組合
-
多田 宗弘
超低電圧デバイス技術研究組合
-
阪本 利司
超低電圧デバイス技術研究組合
-
伴野 直樹
超低電圧デバイス技術研究組合
-
岡本 浩一郎
超低電圧デバイス技術研究組合
-
井口 憲幸
超低電圧デバイス技術研究組合
関連論文
- C-12-1 大規模システムLSI向け積層フレックスメモリ(C-12.集積回路,一般セッション)
- ナノブリッジのCu配線への埋め込み技術(低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用)
- Sub-10-nm平面型 Bulk CMOS におけるS/D直接トンネル電流特性
- Sub-10-nm平面型Bulk CMOSにおけるS/D直接トンネル電流特性(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 固体電解質を用いた3端子型ナノメートル金属スイッチ
- 固体電解質ナノスイッチ
- 3端子固体電解質ナノスイッチ(新型不揮発性メモリ)
- 固体電解質を用いたナノスイッチ(新メモリ技術,メモリ応用技術,一般)
- 高性能LSIの機能切り替えを可能にするスイッチ素子 (特集 ここまできたモバイルITの材料技術--ユビキタス社会の基盤を支えるのはこれだ!)
- ナノバイオチップによるDNA分離
- [招待講演]ナノリソグラフィー技術のデバイス応用
- SC-9-7 単一電子トランジスタを用いた多値記憶素子
- 微細MOSFET中のキャリア伝導
- ナノスケールMOSトランジスタと多値単一電子メモリの研究 (特集:Siナノデバイス)
- 14nmゲートEJ-MOSFETの作製と電気的特性の評価
- 電気化学反応を用いた金属ナノワイヤーの形成とそのデバイス応用
- LSI回路の再構成を可能とするナノブリッジ (ナノテクノロジー特集) -- (エレクトロニクス・フォトニクス)
- 固体電解質メモリー
- 14 nmゲート EJ-MOSFETの作製と電気的特性の評価
- 30p-Q-11 強磁場下クローン振動の遠赤外光応答
- 30p-Q-11 強磁場下クーロン振動の遠赤外光応答
- 7a-N-4 強磁場下量子ドットでのクーロン振動
- 7a-N-4 強磁場下量子ドットでのクローン振動
- ナノブリッジのCu配線への埋め込み技術(低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用)
- [招待講演]ナノリソグラフィー技術のデバイス応用
- 微細MOSFET中のキャリア伝導
- BIO R&D バイオチップに用いる人工ナノ構造分離材の開発
- ナノバイオチップによるDNA分離 (特集1 バイオとガラス)
- 1次元細線における単一電子トラップ
- 1次元細線における単一電子トラップ
- 相補型原子スイッチを用いた不揮発プログラマブルセルとその回路マッピング実証(IEDM特集(先端CMOSテバイス・プロセス技術))
- 原子移動型スイッチを使ったスマート配線技術と低電力再構成回路への応用(配線・実装技術と関連材料技術)
- 相補型原子スイッチを用いたプログラマブルロジックでのRTL記述からの回路マッピング(メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)