14 nmゲート EJ-MOSFETの作製と電気的特性の評価
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
超微細MOSFETにおける動作やそこに現れる物理現象を調べるため、反転層で形成された超浅ソース/ドレインを有するEJ-MOSFET(Electrically variable shallow Junction MOSFET)を作製した。超高解像レジスト(calixarene)に電子線直描を行うことで、超微細ゲート長14nmを実現できた。ゲート長20nm以下の領域で、短チャンネル効果により大きなリーク電流が観測されたが、ゲート長14nmにおいても室温でトランジスタ動作を確認することができた。このリーク電流は量子効果ではなく、古典的な熱的プロセスによるものである。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-04-24
著者
-
馬場 寿夫
NEC基礎研
-
藤田 淳一
NEC基礎研
-
川浦 久雄
日本電気(株)ビジネスイノベーションセンター
-
阪本 利司
日本電気(株)デバイスプラットフォーム研究所
-
阪本 利司
NEC基礎・環境研究所
-
川浦 久雄
NEC基礎・環境研究所
-
落合 幸徳
NECシリコンシステム研究所
-
阪本 利司
Necデバイスプラットフォーム研究所
-
落合 幸徳
JST
-
落合 幸徳
Nec基礎・環境研究所
-
藤田 淳一
筑波大学大学院数理物質科学研究科
-
馬場 寿夫
Nec基礎研究所
-
阪本 利司
Nec 基礎・環境研
-
阪本 利司
日本電気(株)基礎・環境研究所
関連論文
- ナノブリッジのCu配線への埋め込み技術(低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用)
- 30a-D-5 リニアコライダーに用いるマルチバンチ偏極電子ビームの生成実験
- 29a-C-2 リニアーコライダーの為の超格子半導体による偏極電子源の開発VI
- 1p-ZN-2 JLCのための超格子半導体によるスピン偏極電子源の開発IV
- 5p-A-9 JLCのための超格子半導体によるスピン偏極電子源の開発
- 27a-ZB-7 超格子半導体によるスピン偏極電子源の開発I
- 28p-APS-31 Nd_Ce_xCuO_薄膜の電気特性の酸素濃度依存性(II)
- 28p-APS-30 傾斜基板上のBi系単結晶薄膜合成とその電気伝導異方性
- 28p-PS-38 IBS法による酸化物超伝導薄膜の特性
- Sub-10-nm平面型 Bulk CMOS におけるS/D直接トンネル電流特性
- Sub-10-nm平面型Bulk CMOSにおけるS/D直接トンネル電流特性(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- DXセンター・エネルギーの局所環境効果
- SET多値メモリの高温動作化に向けたゲート-アイランド間結合容量の制御
- 量子化機能回路に向けた表面トンネルトランジスタ(STT)の開発 (小特集:量子化機能素子) -- (量子化機能素子プロジェクトの進捗状況)
- 固体電解質を用いた3端子型ナノメートル金属スイッチ
- 3023 フェンス状ナノ構造配列を用いたDNA分離用マイクロ流路における分子の運動解析(J21 マイクロナノ理工学,J21 マイクロナノ理工学)
- 固体電解質ナノスイッチ
- 3端子固体電解質ナノスイッチ(新型不揮発性メモリ)
- 固体電解質を用いたナノスイッチ(新メモリ技術,メモリ応用技術,一般)
- 高性能LSIの機能切り替えを可能にするスイッチ素子 (特集 ここまできたモバイルITの材料技術--ユビキタス社会の基盤を支えるのはこれだ!)
- ナノバイオチップによるDNA分離
- [招待講演]ナノリソグラフィー技術のデバイス応用
- SC-9-7 単一電子トランジスタを用いた多値記憶素子
- 微細MOSFET中のキャリア伝導
- ナノスケールMOSトランジスタと多値単一電子メモリの研究 (特集:Siナノデバイス)
- 14nmゲートEJ-MOSFETの作製と電気的特性の評価
- 電気化学反応を用いた金属ナノワイヤーの形成とそのデバイス応用
- LSI回路の再構成を可能とするナノブリッジ (ナノテクノロジー特集) -- (エレクトロニクス・フォトニクス)
- 固体電解質メモリー
- 14 nmゲート EJ-MOSFETの作製と電気的特性の評価
- 30p-Q-11 強磁場下クローン振動の遠赤外光応答
- 30p-Q-11 強磁場下クーロン振動の遠赤外光応答
- 7a-N-4 強磁場下量子ドットでのクーロン振動
- 7a-N-4 強磁場下量子ドットでのクローン振動
- ナノ構造技術
- 30nmゲート長EJ-MOSFETの作製
- 26pA-6 実時間位相制御原子ホログラフィー
- ナノブリッジのCu配線への埋め込み技術(低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用)
- 27p-ZF-8 可視発光Siの作製と物性 : イオン照射フッ酸処理法と陽極化成法
- トップダウン微細加工によるカーボンナノチューブの位置制御技術
- 鉄触媒を用いた固相反応による非晶質カーボンピラーのチューブ化その場観察
- 鉄触媒を用いた固相反応による非晶質カーボンのチューブ化その場観察
- 12pWF-10 固相反応による鉄触媒からのカーボンナノチューブ形成過程その場観察(ナノチューブ物性, 領域 7)
- 選択成長層からの固相拡散による浅接合トランジスタ
- 25p-YQ-13 Gray Scale Atom Holography
- 原子線ホログラフィ- (特集 干渉計の最近の動向)
- 28p-YB-2 冷却中性原子ホログラフィー
- カーボンナノチューブの抵抗評価と合成
- カーボンナノチューブトランジスタ
- カーボンナノチューブの高性能トランジスタへの応用
- CS-6-4 カーボンナノチューブ(CS-6.ナノデバイスのための薄膜・材料技術-有機と無機/金属から絶縁体-あらゆる可能性を求めて,エレクトロニクス2)
- 電子線励起表面反応による3次元ナノ構造形成
- 電子ビーム励起表面反応を用いたナノメータエッチング
- 集束イオンビームによるナノ立体構造作製とその機械的特性 (特集 ナノテクノロジー)
- [招待講演]ナノリソグラフィー技術のデバイス応用
- 微細MOSFET中のキャリア伝導
- 30nmゲート長EJ-MOSFETの作製
- 原子線ホログラフィー
- 原子線ホログラフィー
- 1次元細線における単一電子トラップ
- 1次元細線における単一電子トラップ
- 29p-J-4 ナノスケール磁性体の磁気特性 II
- 26p-YJ-1 ナノスケール磁性体における磁気特性
- 3a-G-3 Co/Al 人工格子の構造と磁性(II)
- SET多値メモリの高温動作化に向けたゲート-アイランド間結合容量の制御
- 80nmゲート長を有するセルフアラインSTT
- 80nmゲート長を有するセルフアラインSTT
- 表面トンネルトランジスタ
- 6a-PS-124 ナノスケール磁気ドット格子の磁気特性
- 12p-DF-3 1次元SET接合アレイの電流-電圧特性
- 技術解説 集束イオンビームを用いた立体ナノ構造形成技術
- 集束イオンビームによる超微細立体構造形成技術(荷電ビームを応用する加工と計測)
- カーボンナノチューブトランジスタ : デバイス化に向けた精密成長制御(表示記録用有機材料及びデバイス・一般)
- カーボンナノチューブトランジスタ : デバイス化に向けた精密成長制御(表示記録用有機材料及びデバイス・一般)
- 電子ビーム露光技術の現状と展望
- 第17回マイクロプロセス・ナノテクノロジー国際会議(MNC 2004)報告
- 単層カーボンナノチューブの位置・直径の制御技術
- カーボンナノチューブトランジスタ : デバイス化に向けた精密成長制御
- カーボンナノチューブトランジスタ : デバイス化に向けた精密成長制御
- カーボンナノチューブトランジスタ : デバイス化に向けた精密成長制御
- トランジスタ開発に向けたSWNT精密制御技術
- 高解像度電子線レジスト材料「カリックスアレーン」 (特集 ナノ加工技術)
- カーボンナノチューブの電子応用(ナノテクノロジ実装技術)
- 28p-M-2 超伝導単一電子トランジスタにおけるジョセフソン-準粒子サイクル
- シングルエレクトロニクス : 電子を一つずつ制御する技術
- 相補型原子スイッチを用いた不揮発プログラマブルセルとその回路マッピング実証(IEDM特集(先端CMOSテバイス・プロセス技術))
- 原子移動型スイッチを使ったスマート配線技術と低電力再構成回路への応用(配線・実装技術と関連材料技術)
- 相補型原子スイッチを用いたプログラマブルロジックでのRTL記述からの回路マッピング(メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
- 7pXF-14 反射型Double-slitを用いた原子波干渉の研究(量子エレクトロニクス,領域1)