相補型原子スイッチを用いたプログラマブルロジックでのRTL記述からの回路マッピング(メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
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概要
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低電圧プログラミングが可能な相補型原子スイッチを用いた不揮発プログラマブルセルを開発し、3x3セルアレイ規模での回路のマッピングとその動作を実証した。相補型原子移動スイッチをCMOSスイッチに代わって用いることで、65nmテクノロジーノードにおいてリファレンスセルに比べ78%の小面積化を行い、さらに、プログラマブルセルの不揮発化を実現した。今回、任意回路を実現するための、RTLコードからコンフィギュレーションデータ生成までの一貫したツールチェーンを併せて開発した。本ツールを用いて2bit加算器のマッピングをおこない、3x3プログラマブルセルにおいて回路動作を確認した。
- 一般社団法人電子情報通信学会の論文
- 2013-04-04
著者
-
阪本 利司
日本電気(株)デバイスプラットフォーム研究所
-
井口 憲幸
日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
-
阪本 利司
Nec 基礎・環境研
-
波田 博光
超低電圧デバイス技術研究組合
-
宮村 信
超低電圧デバイス技術研究組合
-
多田 宗弘
超低電圧デバイス技術研究組合
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阪本 利司
超低電圧デバイス技術研究組合
-
伴野 直樹
超低電圧デバイス技術研究組合
-
岡本 浩一郎
超低電圧デバイス技術研究組合
-
井口 憲幸
超低電圧デバイス技術研究組合
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