ナノブリッジのCu配線への埋め込み技術(低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用)
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概要
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Cu配線をNanoBridgeの下部電極と一体化させることで、銅配線の銅自体をイオン供給源として利用することができるようになり、混載かつ低コスト化が容易となる。本スイッチを埋め込むために必要な技術に関して述べ、提案した構造を試作し、スイッチングの初期特性を得たことを報告する。
- 2009-07-09
著者
-
青野 正和
東理大理
-
青野 正和
大阪大学大学院工学研究科
-
青野 正和
物材機構mana
-
波田 博光
Necデバイスプラットフォーム研究所
-
辻 幸秀
Necデバイスプラットフォーム研究所
-
桑原 祐司
理研
-
阪本 利司
日本電気(株)デバイスプラットフォーム研究所
-
桑原 裕司
大阪大学大学院工学研究科
-
阪本 利司
Necデバイスプラットフォーム研究所
-
多田 宗弘
NECデバイスプラットフォーム研究所
-
伴野 直樹
NECデバイスプラットフォーム研究所
-
青野 正和
物質材料研究機構
-
青野 正和
大阪大学大学院工学研究科精密科学専攻
-
阪本 利司
Nec 基礎・環境研
-
阪本 利司
日本電気(株)基礎・環境研究所
-
辻 幸秀
NECグリーンイノベーション研究所
-
青野 正和
物質・材料研究機構,MANA
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