23aGP-1 BigDFTを用いた大規模第一原理計算による表面連鎖重合反応メカニズムの考察(23aGP 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 2010-03-01
著者
-
館山 佳尚
物材機構MANA
-
青野 正和
東理大理
-
青野 正和
物材機構mana
-
胡 春平
物材機構MANA
-
桑原 裕司
大阪大学大学院工学研究科
-
Goedecker Stefan
バーゼル大
-
大川 祐司
物材機構MANA
-
館山 佳尚
物材機構mana:物材機構環境拠点:jstさきがけ:jst-crest
-
青野 正和
大阪大学大学院工学研究科精密科学専攻
-
青野 正和
物質・材料研究機構,MANA
関連論文
- 21aHT-1 共鳴内殻励起軟X線照射による単層カーボンナノチューブへの欠陥導入の機構について(21aHT 格子欠陥・ナノ構造(炭素系物質),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 20pGL-4 TiO_2 anatase/水界面の水分子吸着に関する第一原理分子動力学シミュレーション(20pGL 表面ダイナミクス・水素ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23pGP-4 走査型トンネル顕微鏡誘起発光法を用いた磁性研究(23pGP ナノ構造・局所光学現象,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 走査トンネル顕微鏡における探針と Si 表面との相互作用およびその原子操作への応用
- STMにおける試料と探針からの電界蒸発 (走査プロ-ブ顕微鏡の最前線)
- 23aGP-1 BigDFTを用いた大規模第一原理計算による表面連鎖重合反応メカニズムの考察(23aGP 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- ナノブリッジのCu配線への埋め込み技術(低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用)
- 29aWD-3 Si(111)-7x7 表面における磁化誘起表面 SHG と表面スピン寿命
- 20aRH-3 Si(111)-7×7における磁化誘起SHGの位相測定
- 28a-Q-8 Si(111)-7x7 および"1x1"表面構造の非線形分光スペクトル II
- 31p-YF-6 Si(111)-7×7および"1×1"表面構造の非線形分光スペクトル
- 7a-PS-13 Si(111)-7x7 表面準位の非線形分光測定とスペクトル解析
- 29a-PS-22 Si(111)-7x7表面準位の非線形分光測定II
- 31p-PSB-39 Si(111)面7×7⇔"1×1"相転移過渡応答の表面SHG法による研究III
- 30a-PS-16 SI(111)7×7⟺"1×1"相転移過渡応答の表面SHG法による研究II
- 29a-J-2 Si(111)7×7⇔"1×1"相転移過度応答の表面SHG法による研究
- 24pWB-9 放射光STMの開発 : 実空間・原子スケールでの元素識別への試み(表面・界面電子物性,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 2p-PSA-43 Si(111)7×7⇔"1×1"相転移における過渡応答の応答解析
- 固体電解質を用いた3端子型ナノメートル金属スイッチ
- 固体電解質を用いたナノスイッチ(新メモリ技術,メモリ応用技術,一般)
- 21aPS-74 放射光STM装置を用いたSi(111)表面上Geナノアイランドの解析(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22pTB-5 ルブレン単結晶FETの短チャネル化(22pTB 有機FET2・分子デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
- 電気化学反応を用いた金属ナノワイヤーの形成とそのデバイス応用
- 30p-BPS-26 同軸型直衝突イオン散乱分光装置(CAICISS)の開発とその応用
- 31a-T-1 CAICISSにおけるイオンと中性原子の加速管による分離
- 5p-W-6 CaF_2/Si(111)界面におけるCaSi_2の構造と形成過程のCAICISSによる研究
- 5p-W-5 CAICISSによる表面およびバルクの構造解析
- 29a-P-10 同軸型直衝突イオン散乱分光(CAICISS)の分光器の設計と製作
- 走査マルチプローブ顕微鏡を使ったナノワイヤーの電気輸送特性計測
- 25aYH-2 STM探針によるC_分子間の局所重合反応 : 重合度の制御(ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)
- ナノブリッジのCu配線への埋め込み技術(低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用)
- 誘電体多層膜構造によるモルフォ蝶型発色体の作製
- 導電性高分子を用いた分子ワイヤ素子の開発
- 23aXA-8 STM探針による異種分子間ナノ接合の形成(23aXA 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- モルフォ・ブルー再現基板の作製と, その最適化
- 26pRJ-12 第一原理計算によるSi原子鎖へのPドーピングの効果(ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 21pWH-2 C_分子間反応の局所制御(表面界面ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 30aPS-17 C_単分子層膜中での分子間結合の局所制御(30aPS 領域9ポスターセッション(表面,界面,結晶成長),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 20aYE-6 第一原理計算によるC_分子の重合・脱重合反応過程の解明(表面ナノ構造量子物性,ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 20aYE-5 STM探針によるC_分子の局所重合および脱重合反応の制御(表面ナノ構造量子物性,ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 20aYE-4 STM探針を用いた導電性高分子鎖へのキャリア注入現象(表面ナノ構造量子物性,ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 20aYE-3 単-ErSi_2ナノワイヤ中の局所的電気抵抗変化 : 二探針STMによる計測(表面ナノ構造量子物性,ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 29aWD-3 Si(111)-7x7 表面における磁化誘起表面 SHG と表面スピン寿命
- 28aPS-20 TDDFTによるspin-polarized系の励起状態ダイナミクス計算(領域11ポスターセッション,領域11,統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理)
- 28aRC-8 TDDFTによる非断熱結合係数の全電子計算手法(28aRC 電子系(密度汎関数法),領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
- 30aXH-2 実時間発展TDDFTを用いた分子の光励起状態の電子-核ダイナミクス(30aXH 電子系(密度汎関数法),領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
- 27aYF-2 化学ポテンシャル一定の第一原理MDによる水溶液中の電子移動反応の解析(密度汎関数法,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
- 27pPSA-38 水素終端Si(001)表面における水素原子の反応性散乱過程の量子論(領域9ポスターセッション)(領域9)
- 27pPSA-25 Si系の第一原理/強結合ハイブリッド計算(領域9ポスターセッション)(領域9)
- STM探針によるポリマーナノワイヤーの任意位置形成 (粒子線の高度利用(5))
- LB法によるポリジアセチレン分子膜の作製とその評価
- 低速イオン散乱分光法の低真空下での応用
- イオン散乱分光法によるPt/YSZ界面の構造評価
- 独立駆動2探針STMの開発
- 23pWB-7 Si(001)表面上のビスマス原子細線の構造 I. : X線定在波法による界面構造解析
- イオンビーム利用の基礎と現状 IV. イオンビームアナリシス 8. 同軸型直衝突イオン散乱スペクトロメトリ
- 4a-YD-5 原子層単位で形成されたSrCuO_2薄膜の表面及び基板との界面の状態
- 12p-DJ-11 CAICISS・FI-STMによるSi(111)-3x1K表面構造
- 25p-L-1 イオンビームによって反跳された吸着原子の挙動
- 25a-Y-12 Si(111)表面における金属クラスターの形成と再配列過程 : STMによる観察
- 同軸型直衝突イオン散乱分光法(CAICISS)
- 29p-BPS-54 表面金属クラスターの形成と分解のCAICISSによる時間分解観察
- 27p-R-13 Si(111)√×√-Ag表面の電子状態とSTM像の理論計算
- 24a-PS-37 Si(111)√×√-Ag表面上への原子吸着のCAICISSによる研究
- 24a-PS-4 CAICISSによるイオンの中性化確率の3次元空間分布測定
- イオン散乱分光と表面構造の動的観察 (キャラクタリゼ-ション技術の新しい展開--ナノ-サブナノ領域材料評価技術)
- 4P-E-4 CAICISSによる表面・界面の構造解析
- 4a-ps-40 CaF/Si(111)のT、T_4、H_3サイト構造モデルの比較検討 : CAICISSによる定量解析
- 4a-PS-39 Si(111)√3x√3-Ag構造におけるAg原子の位置 : CAICISSによる定量解析
- 4a-PS-38 Si(111)表面上のAgのエピタキシャル成長における拡散と核発生
- 30a-TA-10 Ag/Si(111)エピタキシャル成長初期過程のCAICISSによるリアルタイム追跡
- Si(111)-7×7〓"1×1"構造相転移の過渡応答:表面原子拡散
- チップで描く高分子鎖配線
- 一次元重合分子鎖の構築とその電子状態評価
- 表面におけるドミノ倒し現象 : STM誘起連鎖重合反応
- 連鎖重合反応のナノスケール制御による導電性分子ワイヤーの作成
- ナノドミノ倒しによる構造完全な分子細線の作成(最近の研究から)
- 分子ワイヤの形成と分子デバイスの展望
- 共役高分子ナノワイヤーの任意位置作成 : 連鎖重合反応のナノスケール制御
- 分子の鎖でナノワイヤーをつくる (特集 化学が拓くナノテクノロジー)
- 24pY-2 ジアセチレン化合物の重合反応のSTM観察と制御
- 31a-K-1 Si(111)表面準位の表面SHG法による分光測定
- 18aPS-15 磁化誘起SHG測定に用いる超高真空チェンバー窓の光学歪みの評価
- 31p-F-8 Si(111)表面の酸化反応における核形成、成長モデル
- Si(111)-7x7表面準位の非線形分光測定
- 単原子層の原子構造
- 29a-P-9 同軸型直衝突イオン散乱分光(CAICISS) : 新しい材料表面・界面評価法
- 局在表面プラズモン共鳴効果を利用した有機電界発光素子の高効率化
- 化学的ハンダづけ?!--単分子デバイス回路実現に大きな前進
- 28aTG-8 高輝度硬X線とSTMを組み合わせた1nmスケール元素分析(28aTG 領域9,領域5合同シンポジウム:光と走査プローブ顕微鏡の融合によるナノサイエンス,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24aRC-8 高輝度硬X線とSTMを組み合わせた1nmスケール元素分析(24aRC 領域9,領域5合同シンポジウム:光と走査プローブ顕微鏡の融合によるナノサイエンス,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23pPSA-11 放射光STMによるナノスケール表面元素分析 : 金属-半導体界面の元素コントラスト評価(23pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22pRC-5 Si(111)-(√7×√3)-In表面における超伝導電流の観測(22pRC 表面界面電子物性(表面伝導・光電子分光),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22pGQ-14 ダイヤモンド中磁性不純物欠陥の安定性に関するDFTスピン汚染問題(22pGQ 格子欠陥・ナノ構造(半導体・誘電体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 5.局所的なイオン移動を利用したナノイオニクスデバイス : 原子スイッチ(ナノデバイス)
- マテリアルニュース&トピックス 「フラーレンON/OFF材料」の特徴とその可能性
- アトムトランジスタ
- 原子スイッチの現状と将来 : 新しいエレクトロニクスの創成を目指して(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 20pHC-10 モルフォ蝶発色のFDTD解析 : 乱雑構造の役割(20pHC フォトニック結晶・超イオン導電体,領域5(光物性))
- 27aXZA-8 応力と電圧印加による単結晶酸化すずワイヤの欠陥生成・消滅(27aXZA 表面界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))