連鎖重合反応のナノスケール制御による導電性分子ワイヤーの作成

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 2002-08-25

著者

• 青野 正和

  理化学研究所

• 青野 正和

  物材機構mana

• 大川 祐司

  物材機構MANA

• 青野 正和

  大阪大学大学院工学研究科精密科学専攻

• 大川 祐司

  理化学研究所表面界面工学研究室

関連論文

• 23pGP-4 走査型トンネル顕微鏡誘起発光法を用いた磁性研究(23pGP ナノ構造・局所光学現象,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 12p-DH-7 Si(001)2×1表面上の欠陥周辺からの異方的な電界蒸発
• 30p-H-2 STMにおけるSi(001)2×1表面からの電界蒸発
• 原子単位での加工とその機構(「超」を実現するテクノロジー)
• 走査トンネル顕微鏡における探針と Si 表面との相互作用およびその原子操作への応用
• 28a-Y-8 STMにおける電界蒸発の機構
• 28a-Y-6 STMによる電界イオン放出の理論
• 30p-ZF-4 STMにおける電界蒸発と表面加工 II
• 27p-E-6 STMにおける電界蒸発と表面加工
• STMにおける試料と探針からの電界蒸発 (走査プロ-ブ顕微鏡の最前線)
• 23aGP-1 BigDFTを用いた大規模第一原理計算による表面連鎖重合反応メカニズムの考察(23aGP 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• ナノブリッジのCu配線への埋め込み技術(低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用)
• 29aWD-3 Si(111)-7x7 表面における磁化誘起表面 SHG と表面スピン寿命
• 20aRH-3 Si(111)-7×7における磁化誘起SHGの位相測定
• 28a-Q-8 Si(111)-7x7 および"1x1"表面構造の非線形分光スペクトル II
• 31p-YF-6 Si(111)-7×7および"1×1"表面構造の非線形分光スペクトル
• 7a-PS-13 Si(111)-7x7 表面準位の非線形分光測定とスペクトル解析
• 29a-PS-22 Si(111)-7x7表面準位の非線形分光測定II
• 31p-PSB-39 Si(111)面7×7⇔"1×1"相転移過渡応答の表面SHG法による研究III
• 30a-PS-16 SI(111)7×7⟺"1×1"相転移過渡応答の表面SHG法による研究II
• 29a-J-2 Si(111)7×7⇔"1×1"相転移過度応答の表面SHG法による研究
• 24pWB-9 放射光STMの開発 : 実空間・原子スケールでの元素識別への試み(表面・界面電子物性,領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 2p-PSA-43 Si(111)7×7⇔"1×1"相転移における過渡応答の応答解析
• 固体電解質を用いた3端子型ナノメートル金属スイッチ
• 固体電解質を用いたナノスイッチ(新メモリ技術,メモリ応用技術,一般)
• 21aPS-74 放射光STM装置を用いたSi(111)表面上Geナノアイランドの解析(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 22pTB-5 ルブレン単結晶FETの短チャネル化(22pTB 有機FET2・分子デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
• 電気化学反応を用いた金属ナノワイヤーの形成とそのデバイス応用
• 30p-BPS-26 同軸型直衝突イオン散乱分光装置(CAICISS)の開発とその応用
• 31a-T-1 CAICISSにおけるイオンと中性原子の加速管による分離
• 5p-W-6 CaF_2/Si(111)界面におけるCaSi_2の構造と形成過程のCAICISSによる研究
• 5p-W-5 CAICISSによる表面およびバルクの構造解析
• 29a-P-10 同軸型直衝突イオン散乱分光(CAICISS)の分光器の設計と製作
• 走査マルチプローブ顕微鏡を使ったナノワイヤーの電気輸送特性計測
• 25aYH-2 STM探針によるC_分子間の局所重合反応 : 重合度の制御(ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)
• ナノブリッジのCu配線への埋め込み技術(低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用)
• 誘電体多層膜構造によるモルフォ蝶型発色体の作製
• 導電性高分子を用いた分子ワイヤ素子の開発
• 23aXA-8 STM探針による異種分子間ナノ接合の形成(23aXA 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• モルフォ・ブルー再現基板の作製と, その最適化
• 26pRJ-12 第一原理計算によるSi原子鎖へのPドーピングの効果(ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 21pWH-2 C_分子間反応の局所制御(表面界面ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 30aPS-17 C_単分子層膜中での分子間結合の局所制御(30aPS 領域9ポスターセッション(表面,界面,結晶成長),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 20aYE-6 第一原理計算によるC_分子の重合・脱重合反応過程の解明(表面ナノ構造量子物性,ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 20aYE-5 STM探針によるC_分子の局所重合および脱重合反応の制御(表面ナノ構造量子物性,ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 20aYE-4 STM探針を用いた導電性高分子鎖へのキャリア注入現象(表面ナノ構造量子物性,ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 20aYE-3 単-ErSi_2ナノワイヤ中の局所的電気抵抗変化 : 二探針STMによる計測(表面ナノ構造量子物性,ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 29aWD-3 Si(111)-7x7 表面における磁化誘起表面 SHG と表面スピン寿命
• STM探針によるポリマーナノワイヤーの任意位置形成 (粒子線の高度利用(5))
• LB法によるポリジアセチレン分子膜の作製とその評価
• 低速イオン散乱分光法の低真空下での応用
• イオン散乱分光法によるPt/YSZ界面の構造評価
• 独立駆動2探針STMの開発
• 23pWB-7 Si(001)表面上のビスマス原子細線の構造 I. : X線定在波法による界面構造解析
• 日本の基礎研究はこれからどうなるか(これからの日本の基礎研究)
• イオンビーム利用の基礎と現状 IV. イオンビームアナリシス 8. 同軸型直衝突イオン散乱スペクトロメトリ
• 29p-BPS-54 表面金属クラスターの形成と分解のCAICISSによる時間分解観察
• 24a-PS-37 Si(111)√×√-Ag表面上への原子吸着のCAICISSによる研究
• 24a-PS-4 CAICISSによるイオンの中性化確率の3次元空間分布測定
• イオン散乱分光と表面構造の動的観察 (キャラクタリゼ-ション技術の新しい展開--ナノ-サブナノ領域材料評価技術)
• 4a-ps-40 CaF/Si(111)のT、T_4、H_3サイト構造モデルの比較検討 : CAICISSによる定量解析
• 4a-PS-39 Si(111)√3x√3-Ag構造におけるAg原子の位置 : CAICISSによる定量解析
• 4a-PS-38 Si(111)表面上のAgのエピタキシャル成長における拡散と核発生
• 30a-TA-10 Ag/Si(111)エピタキシャル成長初期過程のCAICISSによるリアルタイム追跡
• Si(111)-7×7〓"1×1"構造相転移の過渡応答:表面原子拡散
• チップで描く高分子鎖配線
• 一次元重合分子鎖の構築とその電子状態評価
• 表面におけるドミノ倒し現象 : STM誘起連鎖重合反応
• 連鎖重合反応のナノスケール制御による導電性分子ワイヤーの作成
• ナノドミノ倒しによる構造完全な分子細線の作成(最近の研究から)
• 分子ワイヤの形成と分子デバイスの展望
• 共役高分子ナノワイヤーの任意位置作成 : 連鎖重合反応のナノスケール制御
• 分子の鎖でナノワイヤーをつくる (特集 化学が拓くナノテクノロジー)
• 24pY-2 ジアセチレン化合物の重合反応のSTM観察と制御
• 31a-K-1 Si(111)表面準位の表面SHG法による分光測定
• ナノスケールの物性や機能をどう測るか -ナノ構造の「構築」から「計測」へ-
• 走査プローブ法によるリソグラフィーの方向性-ナノ構造の構築からその物性や機能の計測へ-
• 18aPS-15 磁化誘起SHG測定に用いる超高真空チェンバー窓の光学歪みの評価
• 液晶分子を用いたクーロンブロケイド : 単一電子トランジスター
• 液晶分子における常温での単一電子トンネリング
• 514 渦電流法による異材接合界面の微小部電気抵抗測定
• 23aW-12 水素終端Si(001)表面のナノ構造からのSTM発光
• シリコンダングリングボンドからなるナノ構造のSTM誘起発光
• STMリソグラフィーによるシリコンダングリングボンド細線の形成とその修飾
• 水素終端Si(001)表面からのSTMによる水素脱離II
• 1a-YA-3 水素終端Si(100)表面からのSTMによる水素脱離
• 原子のマニピュレーション(トピックス, あんてな)
• 表面計測技術
• 表面解析装置への利用 : 真空を物質解明に利用する
• 低速イオンの固体表面における電荷交換
• 直衝突イオン散乱法 (ICISS)
• 中エネルギー同軸型直衝突イオン散乱分光装置(ME-CAICISS) : 特性と今後の展望
• 電解研磨ステンレス鋼XHV (極高真空) 槽の試作 (I)
• 有機導体β-(ET)_2I_3表面ステップの安定性と走査トンネル顕微鏡探針による分子除去
• 電解研磨および電解複合研磨処理によるステンレス鋼真空槽のガス放出特性
• イオン散乱法 (ISS)
• 走査トンネル顕微鏡 (STM) による表面原子像観察と探針材質
• 新しい材料表面・界面評価法-同軸型直衝突イオン散乱分光法 (CAICISS)
• アトムクラフト (原子層制御から原子制御へ)
• 室温排気の試験容器における極高真空の発生 (極高真空シンポジュ-ムプロシ-ディングス)

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク