ナノスケールの物性や機能をどう測るか -ナノ構造の「構築」から「計測」へ-
スポンサーリンク
概要
著者
-
青野 正和
理化学研究所
-
奥田 太一
東大物性研
-
喬 山
理化学研究所表面界面工学研究室
-
櫻井 亮
物材機構MANA
-
呉 章華
理化学研究所表面界面工学研究室
-
中山 知信
理化学研究所表面界面工学研究室
-
奥田 太一
理化学研究所表面界面工学研究室
-
羹 春生
理化学研究所表面界面工学研究室
-
櫻井 亮
理化学研究所表面界面工学研究室
-
THIRSTRUP Carsten
理化学研究所表面界面工学研究室
-
Thirstrup C.
Vir-tech
-
櫻井 亮
理化学研究所
関連論文
- 20pGJ-1 光電子顕微鏡によるNiO反強磁性磁壁内スピン構造の観察(20pGJ 磁壁,磁化ダイナミクス,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 23pHL-3 Si(111)1x1水素終端面の角度分解共鳴光電子分光(23pHL 光電子分光(表面・薄膜・低次元物質・新分光法),領域5(光物性))
- 12p-DH-7 Si(001)2×1表面上の欠陥周辺からの異方的な電界蒸発
- 30p-H-2 STMにおけるSi(001)2×1表面からの電界蒸発
- 原子単位での加工とその機構(「超」を実現するテクノロジー)
- 28a-Y-8 STMにおける電界蒸発の機構
- 28a-Y-6 STMによる電界イオン放出の理論
- 30p-ZF-4 STMにおける電界蒸発と表面加工 II
- 27p-E-6 STMにおける電界蒸発と表面加工
- 24pYH-12 MSi(M=Mn,Co)の角度分解光電子分光2(光電子分光(表面・超薄膜・低次元物質),領域5,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 21aTK-1 MSi(M=Mn,Co)の角度分解光電子分光(光電子分光(超伝導体・強相関係),領域5,光物性)
- 27aYG-10 BiSb合金超薄膜の電子状態及び輸送特性(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 28aPS-28 EuNi_2(Sl_Ge_x)_2(x=0.75, 0)の高分解能4d4f共鳴光電子分光
- 光電子頭微鏡による反強磁性NiOの磁壁構造の直接観察
- 30aTL-3 シリコンの光電子分光 : ボロン濃度依存性II(30aTL ダイヤモンド超伝導他,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 26pXA-12 X線磁気二色性,線二色性,及び光電子顕微鏡を用いたNiO(100)における反強磁性磁区構造の詳細観察(新分光法,MCD/MLD,領域5,光物性)
- 21pPSA-14 Fe/NiO(100)界面における交換結合状態(21pPSA 領域3ポスターセッション,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 21pQG-13 静磁気的に結合したミクロンサイズ磁気円盤配列における磁気渦コアダイナミクスの観測(21pQG スピントロニクス・微小領域磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 22aPS-72 反強磁性NiO表面上のFe超薄膜の磁化特性(領域3ポスターセッション(薄膜・人工格子,スピングラス,量子スピン系),領域3,磁性,磁気共鳴)
- 20aQE-7 シリコンの光電子分光 : ボロン濃度依存性(20aQE ダイヤモンド・Si超伝導,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 20aPS-13 Si(111)表面上に形成したDyシリサイド薄膜の電子構造(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 25pWB-2 Yb/Si(001)2×3表面における電子状態および構造(表面・界面電子物性,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 24aPS-124 Yb吸着によりSi(111)表面上に誘起された(3×2)超構造の電子状態(表面・界面, 結晶成長,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 27pPSA-10 時間分解光電子分光によるSi(001)-(2×1)表面の酸化過程の研究(領域9ポスターセッション)(領域9)
- 23pPSB-21 EuNi_2(Si_Ge_x)_2の共鳴光電子分光II
- 30aYE-9 Au(111)表面上のPd薄膜における表面準位(表面界面電子物性(金属・有機))(領域9)
- 27aWP-12 放射光励起STMの開発と性能評価(2)(表面界面電子物性(半導体・無機))(領域9)
- 21aYD-5 放射光励起 STM の開発と性能評価
- 29pZH-9 S/GaAs (100) 上の Co クラスターの光電子分光
- 27pTX-12 高分解能スピン分解光電子分光によるBi_Sb_x量子スピンホール相の研究(27pTX 量子ホール効果/半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 21pXJ-7 LEED,STM,ARPESによるSi(111)-√×√R30°-Mnの研究(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 26pXP-8 放射光PEEMを用いた,NiOの高分解能Ni-L端吸収スペクトルとMLD(領域5, 領域3, 領域8合同招待講演,領域5(光物性))
- 24aXB-1 放射光励起STMによる元素分析(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 21aPS-17 Tl吸着Ge(111)表面の電子状態(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21aPS-17 Tl吸着Ge(111)表面の電子状態(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21aPS-17 Tl吸着Ge(111)表面の電子状態(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21aPS-14 角度分解光電子分光法によるGe(111)3×1-Tl表面の電子状態の研究(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21aXB-1 高効率スピン分解光電子分光装置の開発の現状(光電子分光・放射光真空紫外分光・軟X線発光・散乱,領域5(光物性))
- 21aXB-1 高効率スピン分解光電子分光装置の開発の現状(光電子分光・放射光真空紫外分光・軟X線発光・散乱,領域5(光物性))
- 28aSC-1 NiO(100)表面における反強磁性磁区ドメインの加熱効果の観察(28aSC 領域9,領域3合同 表面・界面磁性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 28aSC-1 NiO(100)表面における反強磁性磁区ドメインの加熱効果の観察(28aSC 領域9,領域3合同 表面・界面磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 30pRD-3 Si(111)1次元表面超構造上Ag薄膜の量子井戸状態・III(30pRD 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 30pRD-2 スピン・角度分解光電子分光による(√×√)BiAg/Ag量子薄膜の研究(30pRD 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 29pVA-3 高効率スピン分解光電子分光によるFe_3O_4/MgO(001)薄膜の研究(29pVA 光電子分光(表面・薄膜・低次元物質等),領域5(光物性))
- 26pTD-5 Si(111)一次元表面超構造上に形成された金属薄膜の電子状態(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 24pXJ-9 Si(111)一次元表面超構造上のAg薄膜の量子井戸状態(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 20pZA-8 角度分解光電子分光法によるMnSi(100)の電子状態の研究(光電子分光・逆光電子分光・軟X線発光・理論,領域5,光物性)
- 14aXD-2 SR-PEEM による酸素 K 吸収端での NiO(100) 表面の反強磁性磁区ドメイン観察(表面・界面磁性, 領域 3)
- 14aXD-2 SR-PEEM による酸素 K 吸収端での NiO(100) 表面の反強磁性磁区ドメイン観察(表面・界面磁性, 領域 9)
- 27pPSA-9 Si表面上のGdナノ細線の光電子分光(領域9ポスターセッション)(領域9)
- 23aWA-5 放射光光電子顕微鏡による微小領域表面磁性の研究
- 21aYD-12 Si 表面上の Gd 一次元鎖構造の光電子分光
- 26aYG-2 酸素吸着Ti/Si(001)表面の構造と電子状態II(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 22pPSA-6 Si(001)表面におけるTiシリサイド形成過程へのサーファクタント効果の検討(22pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22aXA-5 酸素吸着Ti/Si(001)表面の構造と電子状態(22aXA 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22aWA-1 レーザーアニールを利用したSi(111)清浄表面の電子状態
- 26aTD-2 Ti/Si(001)表面におけるシリサイド形成過程と局所電子状態の考察(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 24pXJ-11 Ti/Si(001)表面における拡散過程の解析(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 24aN-1 Fe/Ag(001)表面のスピン分解光電子回折
- 30pRD-5 Au/Ge(001)表面の電子状態II(30pRD 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27aYG-7 Bi/Ge(111)-"2×1"表面の原子構造と電子状態(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 22aXA-3 Bi/Ge(111)-(√×√)R30°表面の電子状態とRashba効果(22aXA 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27aYQ-6 Si(111)3×1 ,5×1 ,8×2-Baの光電子分光II : 角度分解光電子分光
- 22aWA-2 Si(111)3×1,5×1,8×2-Baの光電子分光I : (表面内殻準位シフト)
- 29pPSB-40 テンプレート効果とCoシリサイドクラスターの原子・電子構造の研究(29pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 31aZE-13 内殻光電子分光による Si(111)√x√-(Ag, Na) 表面の研究
- 22pPSA-81 Mn吸着したSi(111)√×√-Ag表面のSTMおよび光電子分光測定II(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 19pPSB-13 Ge(001)面上の銀薄膜の成長 : 価電子帯光電子分光
- 23aWA-5 放射光光電子顕微鏡による微小領域表面磁性の研究
- 22pPSA-76 Alナノクラスター表面相上のCoクラスターの原子・電子構造研究(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 22aXB-10 Alナノクラスター表面相上のCoクラスターの原子・電子構造研究IV(表面界面構造,22aXB 微粒子・クラスタ,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 日本の基礎研究はこれからどうなるか(これからの日本の基礎研究)
- イオンビーム利用の基礎と現状 IV. イオンビームアナリシス 8. 同軸型直衝突イオン散乱スペクトロメトリ
- 4a-PS-39 Si(111)√3x√3-Ag構造におけるAg原子の位置 : CAICISSによる定量解析
- 表面におけるドミノ倒し現象 : STM誘起連鎖重合反応
- 連鎖重合反応のナノスケール制御による導電性分子ワイヤーの作成
- ナノスケールの物性や機能をどう測るか -ナノ構造の「構築」から「計測」へ-
- 走査プローブ法によるリソグラフィーの方向性-ナノ構造の構築からその物性や機能の計測へ-
- 液晶分子を用いたクーロンブロケイド : 単一電子トランジスター
- 液晶分子における常温での単一電子トンネリング
- 514 渦電流法による異材接合界面の微小部電気抵抗測定
- 23aW-12 水素終端Si(001)表面のナノ構造からのSTM発光
- シリコンダングリングボンドからなるナノ構造のSTM誘起発光
- STMリソグラフィーによるシリコンダングリングボンド細線の形成とその修飾
- 水素終端Si(001)表面からのSTMによる水素脱離II
- 1a-YA-3 水素終端Si(100)表面からのSTMによる水素脱離
- 原子のマニピュレーション(トピックス, あんてな)
- 表面計測技術
- 表面解析装置への利用 : 真空を物質解明に利用する
- 低速イオンの固体表面における電荷交換
- 直衝突イオン散乱法 (ICISS)
- 中エネルギー同軸型直衝突イオン散乱分光装置(ME-CAICISS) : 特性と今後の展望
- 電解研磨ステンレス鋼XHV (極高真空) 槽の試作 (I)
- 有機導体β-(ET)_2I_3表面ステップの安定性と走査トンネル顕微鏡探針による分子除去
- 電解研磨および電解複合研磨処理によるステンレス鋼真空槽のガス放出特性
- イオン散乱法 (ISS)
- 走査トンネル顕微鏡 (STM) による表面原子像観察と探針材質
- 新しい材料表面・界面評価法-同軸型直衝突イオン散乱分光法 (CAICISS)
- アトムクラフト (原子層制御から原子制御へ)
- 室温排気の試験容器における極高真空の発生 (極高真空シンポジュ-ムプロシ-ディングス)