原子のマニピュレーション(トピックス, あんてな)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本化学会の論文
- 1993-11-20
著者
関連論文
- 12p-DH-7 Si(001)2×1表面上の欠陥周辺からの異方的な電界蒸発
- 30p-H-2 STMにおけるSi(001)2×1表面からの電界蒸発
- 原子単位での加工とその機構(「超」を実現するテクノロジー)
- 28a-Y-8 STMにおける電界蒸発の機構
- 28a-Y-6 STMによる電界イオン放出の理論
- 30p-ZF-4 STMにおける電界蒸発と表面加工 II
- 27p-E-6 STMにおける電界蒸発と表面加工
- 日本の基礎研究はこれからどうなるか(これからの日本の基礎研究)
- イオンビーム利用の基礎と現状 IV. イオンビームアナリシス 8. 同軸型直衝突イオン散乱スペクトロメトリ
- 4a-PS-39 Si(111)√3x√3-Ag構造におけるAg原子の位置 : CAICISSによる定量解析
- 表面におけるドミノ倒し現象 : STM誘起連鎖重合反応
- 連鎖重合反応のナノスケール制御による導電性分子ワイヤーの作成
- ナノスケールの物性や機能をどう測るか -ナノ構造の「構築」から「計測」へ-
- 走査プローブ法によるリソグラフィーの方向性-ナノ構造の構築からその物性や機能の計測へ-
- 液晶分子を用いたクーロンブロケイド : 単一電子トランジスター
- 液晶分子における常温での単一電子トンネリング
- 514 渦電流法による異材接合界面の微小部電気抵抗測定
- 23aW-12 水素終端Si(001)表面のナノ構造からのSTM発光
- シリコンダングリングボンドからなるナノ構造のSTM誘起発光
- STMリソグラフィーによるシリコンダングリングボンド細線の形成とその修飾
- 水素終端Si(001)表面からのSTMによる水素脱離II
- 1a-YA-3 水素終端Si(100)表面からのSTMによる水素脱離
- 原子のマニピュレーション(トピックス, あんてな)
- 表面計測技術
- 表面解析装置への利用 : 真空を物質解明に利用する
- 低速イオンの固体表面における電荷交換
- 直衝突イオン散乱法 (ICISS)
- 中エネルギー同軸型直衝突イオン散乱分光装置(ME-CAICISS) : 特性と今後の展望
- 電解研磨ステンレス鋼XHV (極高真空) 槽の試作 (I)
- 有機導体β-(ET)_2I_3表面ステップの安定性と走査トンネル顕微鏡探針による分子除去
- 電解研磨および電解複合研磨処理によるステンレス鋼真空槽のガス放出特性
- イオン散乱法 (ISS)
- 走査トンネル顕微鏡 (STM) による表面原子像観察と探針材質
- 新しい材料表面・界面評価法-同軸型直衝突イオン散乱分光法 (CAICISS)
- アトムクラフト (原子層制御から原子制御へ)
- 室温排気の試験容器における極高真空の発生 (極高真空シンポジュ-ムプロシ-ディングス)