STMリソグラフィーによるシリコンダングリングボンド細線の形成とその修飾
スポンサーリンク
概要
著者
-
青野 正和
理化学研究所
-
櫻井 亮
物材機構MANA
-
櫻井 亮
理化学研究所表面界面工学研究室
-
THIRSTRUP Carsten
理化学研究所表面界面工学研究室
-
CARSTEN Thirstrup
理化学研究所表面界面工学研究室
-
Thirstrup C.
Vir-tech
-
櫻井 亮
理化学研究所
関連論文
- 23pGP-4 走査型トンネル顕微鏡誘起発光法を用いた磁性研究(23pGP ナノ構造・局所光学現象,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 12p-DH-7 Si(001)2×1表面上の欠陥周辺からの異方的な電界蒸発
- 30p-H-2 STMにおけるSi(001)2×1表面からの電界蒸発
- 原子単位での加工とその機構(「超」を実現するテクノロジー)
- 28a-Y-8 STMにおける電界蒸発の機構
- 28a-Y-6 STMによる電界イオン放出の理論
- 30p-ZF-4 STMにおける電界蒸発と表面加工 II
- 27p-E-6 STMにおける電界蒸発と表面加工
- 日本の基礎研究はこれからどうなるか(これからの日本の基礎研究)
- イオンビーム利用の基礎と現状 IV. イオンビームアナリシス 8. 同軸型直衝突イオン散乱スペクトロメトリ
- 4a-PS-39 Si(111)√3x√3-Ag構造におけるAg原子の位置 : CAICISSによる定量解析
- 表面におけるドミノ倒し現象 : STM誘起連鎖重合反応
- 連鎖重合反応のナノスケール制御による導電性分子ワイヤーの作成
- ナノスケールの物性や機能をどう測るか -ナノ構造の「構築」から「計測」へ-
- 走査プローブ法によるリソグラフィーの方向性-ナノ構造の構築からその物性や機能の計測へ-
- 27pY-7 Si(001)2x1Ag吸着表面の第一原理計算による評価
- 29a-PS-5 Si(001)表面上におけるAg吸着構造の第一原理計算による評価
- 液晶分子を用いたクーロンブロケイド : 単一電子トランジスター
- 液晶分子における常温での単一電子トンネリング
- 514 渦電流法による異材接合界面の微小部電気抵抗測定
- 21aTG-4 ナノ細線の局所発光特性(ナノチューブ・ナノワイヤー,表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 23aYC-8 STM誘起発光法によるスピン偏極計測(23aYC 表面局所光学現象,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 28aWR-1 ナノ構造からのSTM誘起発光の偏光解析(表面局所光学現象/表面界面ダイナミクス)(領域9)
- 23pWB-6 水素終端Si(001)表面のナノ構造からのSTM誘起発光
- 23aW-12 水素終端Si(001)表面のナノ構造からのSTM発光
- シリコンダングリングボンドからなるナノ構造のSTM誘起発光
- 27pZ-9 水素終端Si(001)表面上のナノ構造からのSTM発光
- 28a-Q-2 Si表面上の原子スケール構造からのSTMによる発光
- STMリソグラフィーによるシリコンダングリングボンド細線の形成とその修飾
- 28p-YR-10 STMによる原子スケールでの発光とその機構
- 5a-B-7 水素終端Si(001)表面を用いたSTMによる原子操作
- 31p-T-5 水素終端Si(001)表面での原子操作
- 水素終端Si(001)表面からのSTMによる水素脱離II
- 1a-YA-3 水素終端Si(100)表面からのSTMによる水素脱離
- 原子のマニピュレーション(トピックス, あんてな)
- 表面計測技術
- 表面解析装置への利用 : 真空を物質解明に利用する
- 低速イオンの固体表面における電荷交換
- 直衝突イオン散乱法 (ICISS)
- 中エネルギー同軸型直衝突イオン散乱分光装置(ME-CAICISS) : 特性と今後の展望
- 電解研磨ステンレス鋼XHV (極高真空) 槽の試作 (I)
- 有機導体β-(ET)_2I_3表面ステップの安定性と走査トンネル顕微鏡探針による分子除去
- 電解研磨および電解複合研磨処理によるステンレス鋼真空槽のガス放出特性
- イオン散乱法 (ISS)
- 走査トンネル顕微鏡 (STM) による表面原子像観察と探針材質
- 新しい材料表面・界面評価法-同軸型直衝突イオン散乱分光法 (CAICISS)
- アトムクラフト (原子層制御から原子制御へ)
- 室温排気の試験容器における極高真空の発生 (極高真空シンポジュ-ムプロシ-ディングス)
- 27aXZA-8 応力と電圧印加による単結晶酸化すずワイヤの欠陥生成・消滅(27aXZA 表面界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))