低速イオンの固体表面における電荷交換
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
低速イオンと固体表面との間の電子の授受はイオンの種類や表面の電子状態により著しく異なる. 例えば, イオンが表面電子を捕獲して中性化される確率は入射イオンのイオン化エネルギーに強く依存する. また, イオン種によっては, イオンが入射軌道で一度中性化された後に, 表面原子との衝突の過程で再びイオン化される現象が顕著に観測される. 本稿では, イオン化エネルギーが最大と最小の両極端にある希ガスイオンとアルカリ金属イオンを例にとり, 固体表面における電子交換の研究の現状を紹介する.
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1986-08-05
著者
関連論文
- 12p-DH-7 Si(001)2×1表面上の欠陥周辺からの異方的な電界蒸発
- 30p-H-2 STMにおけるSi(001)2×1表面からの電界蒸発
- 原子単位での加工とその機構(「超」を実現するテクノロジー)
- 28a-Y-8 STMにおける電界蒸発の機構
- 28a-Y-6 STMによる電界イオン放出の理論
- 30p-ZF-4 STMにおける電界蒸発と表面加工 II
- 27p-E-6 STMにおける電界蒸発と表面加工
- 31a-J-10 WC(1010)への酸素吸着
- 30p-BPS-27 ICISSによるHfB2表面の構造解析2
- 24a-PS-21 ICISSによるHfB_2表面の構造解析
- 2p-PSA-18 イオン結晶表面における低速H^+イオンの中性化と負イオン化
- 27p-R-12 STMによる遷移金属上の単原子層グラファイトの観察
- 5a-PS-13 STMによる遷移金属炭化物上の上の単原子層グラファイトの観察
- 4a-NM-9 ICISS(およびISS)における多重散乱の解析
- 4a-NM-8 ICISSによる表面電子空間分布の研究
- 4a-NM-7 ICISSによる表面原子配列の定量的決定
- 31p-J-3 TiC(001)とTiC(111)表面の観察
- 日本の基礎研究はこれからどうなるか(これからの日本の基礎研究)
- 2a-T-10 STMによるTiC(111)上の単原子層グラファイトの観察
- 1p-Z-2 化合物の表面フォノンポラリトン
- イオンビーム利用の基礎と現状 IV. イオンビームアナリシス 8. 同軸型直衝突イオン散乱スペクトロメトリ
- 4a-PS-39 Si(111)√3x√3-Ag構造におけるAg原子の位置 : CAICISSによる定量解析
- 31a-PS-39 Li^+イオンの電子的エネルギー損失
- 29pPSA-30 酸化チタンTiO_2(110)面の(1×1)から(1×2)への構造変化過程の研究
- 24aPS-30 3次元N原子モデルによる直衝突イオン散乱分光(ICISS)のシミュレーション
- 27a-PS-27 光触媒Pt/TiO_2(110)の表面構造と電子状態
- 2p-YF-9 イオン散乱によるアルカリ吸着W表面からのAuger型電子放出
- 8a-B-9 イオン散乱によるLaB_6(001)表面からのAuger電子放出
- 表面におけるドミノ倒し現象 : STM誘起連鎖重合反応
- 連鎖重合反応のナノスケール制御による導電性分子ワイヤーの作成
- ナノスケールの物性や機能をどう測るか -ナノ構造の「構築」から「計測」へ-
- 走査プローブ法によるリソグラフィーの方向性-ナノ構造の構築からその物性や機能の計測へ-
- 27aY-9 中エネルギーイオン散乱によるTiC(001)、Ta(001)表面緩和とランブリングの決定
- ホウ素過剰LaB_6・CeB_6単結晶の育成と熱電子放射特性
- 31p-PSB-76 TiC 単結晶上へのMgOエピタキシャル膜の研究
- 31p-PSB-35 WB_2(0001)上の単原子層グラファイトのフォノン分散
- 31a-J-9 NbC(111)表面の酸素, 重水素吸着構造の解析
- 固体表面におけるHe+イオンの中性化と再イオン化
- 24pPSA-22 単純金属二ホウ化物表面構造と電子状態
- 22aT-5 第一原理計算によるWB_2(0001)表面の振動解析
- イオンでセラミックス表面をみる
- イオンビーム利用の基礎と現状 IV. イオンビームアナリシス 4. 低エネルギーイオン散乱スペクトロメトリ
- 28p-PSB-6 低エネルギーイオン散乱における電子昇位機構
- 2p-D-5 He^+に対するTiのシャドーコーン(実験と計算)
- 29a-U-8 ISSによるTiC(001)面の観察
- 4)LaB_6熱陰極とその表面(テレビジョン電子装置研究会(第85回))
- LaB_6熱陰極とその表面(カソードの最近の進歩)
- 液晶分子を用いたクーロンブロケイド : 単一電子トランジスター
- 液晶分子における常温での単一電子トンネリング
- 514 渦電流法による異材接合界面の微小部電気抵抗測定
- 23aW-12 水素終端Si(001)表面のナノ構造からのSTM発光
- シリコンダングリングボンドからなるナノ構造のSTM誘起発光
- STMリソグラフィーによるシリコンダングリングボンド細線の形成とその修飾
- 水素終端Si(001)表面からのSTMによる水素脱離II
- 1a-YA-3 水素終端Si(100)表面からのSTMによる水素脱離
- 表面科学からの一現状報告--シリコンの表面はどこまで分ったか
- 低速イオン散乱分光による表面格子欠陥の解析 (極限技術と応用物理特集号) -- (分析・計測技術の極限)
- 原子のマニピュレーション(トピックス, あんてな)
- 表面計測技術
- 表面解析装置への利用 : 真空を物質解明に利用する
- 27p-C-8 低速希ガスイオンの固体表面における中性化と再イオン化
- 低速イオンの固体表面における電荷交換
- 2a-Y-2 低エネルギー希ガスイオンと固体表面の電荷交換
- 3a-S-6 CaF_2(111)面のICISS
- 3a-S-5 散乱軌道に依存したHe^+イオンの中性化
- 2a-Y-2 低エネルギー希ガスイオンと固体表面の電荷交換
- 3a-E-5 微視的光学表面フォノン
- 2p-E-2 低エネルギー希ガスイオンの表面における中性化機構
- 2p-E-1 低エネルギーHe^+イオンと表面の電荷交換
- 直衝突イオン散乱分光による表面原子構造の解析(表面に特有な超格子構造の解析とその新しい方法の開発,科研費研究会報告)
- 2a-RJ-10 高性能EELSスペクトロメーターの試作
- 1a-RJ-3 ISSにおけるイオン中性化II・TaC(100)
- 13a-Y-6 Si(111)-7×7表面のICISS(構造と安定性)
- 11p-A-8 ICISSによるTiC(111)面への酸素吸着
- 11p-A-7 ISSにおけるイオン中性化・TiC(100)
- 28a-Y-4 低速イオン散乱と表面研究
- 30a-Y-6 ICISSによる表面原子空孔の構造と化学活性の解析 I
- 30a-Y-5 ICISSによる表面原子空孔の構造と化学活性の解析 II
- 直衝突イオン散乱法 (ICISS)
- 中エネルギー同軸型直衝突イオン散乱分光装置(ME-CAICISS) : 特性と今後の展望
- LaB6の電子放射特性と表面物性
- 31a-J-6 高Tc超伝導体V_3Siの光電子分光 : SOR-ARPES
- 30a-Y-4 ICISSによる表面原子空孔の構造と化学活性の解析 I
- 30a-BE-7 Si(111)-7×7の直衝突イオン散乱分光(ICISS)
- 31a-L-7 Si表面の直衝突イオン散乱分光(ICISS)
- 30a-A-3 TiC(100)表面の直衝突イオン散乱分光(ICISS) : 表面原子空孔構造の解析
- 電解研磨ステンレス鋼XHV (極高真空) 槽の試作 (I)
- 有機導体β-(ET)_2I_3表面ステップの安定性と走査トンネル顕微鏡探針による分子除去
- 電解研磨および電解複合研磨処理によるステンレス鋼真空槽のガス放出特性
- イオン散乱法 (ISS)
- 走査トンネル顕微鏡 (STM) による表面原子像観察と探針材質
- 新しい材料表面・界面評価法-同軸型直衝突イオン散乱分光法 (CAICISS)
- 28a-Y-4 低速イオン散乱と表面研究
- 低速イオン散乱
- 光電子分光(表面物性 II. 表面を探る)
- 3p-NS-3 光電子分光
- 4a-NM-6 ICISS(直衝突イオン散乱分光法):表面原子配列の定量的決定のための新手法
- 二次元表示型電子分光器
- アトムクラフト (原子層制御から原子制御へ)
- 室温排気の試験容器における極高真空の発生 (極高真空シンポジュ-ムプロシ-ディングス)