31a-J-9 NbC(111)表面の酸素, 重水素吸着構造の解析
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1995-03-16
著者
-
大谷 茂樹
無機材研
-
石沢 芳夫
無機材研
-
大谷 茂樹
物材機構
-
石沢 芳夫
無機材質研究所
-
相澤 俊
無機材質研究所
-
速水 渉
無機材研
-
左右田 龍太郎
無機材研
-
相沢 俊
無機材研
-
大谷 茂樹
無機材質研究所
-
速水 渉
物材機構物質研
-
左右田 龍太郎
無機材質研究所
-
大谷 茂樹
科学技術庁無機材質研究所企画課
-
大谷 茂樹
物質・材料研究機構
関連論文
- 29p-PS-23 角度分解型電子分光法によるTaC(100)面上の単原子層グラファイトの観察
- 27a-Q-11 CeB_6のスピン構造-^B NMR
- 30p-B-8 CeB_6のNMR II
- 5a-BJ-12 遍歴ヘリカル磁性体CrB_2中11_BのNMR III
- CeB_6の核磁気共鳴(II. CeB_6の特性,価数揺動状態の総合的研究,科研費研究会報告)
- 27p-L-4 CeB_6単結晶の^BNMR
- 4a-AG-9 SmB_6中の^BのNMR
- 25a-A-9 遷移金属炭化物の電気的性質の組成依存性
- 27p-PS-47 Ln_xBa_CuO_y(Ln=La, Na)固溶体の超伝導
- 27p-PS-46 Y(Ba_Sr_x)_2Cu_3O_の合成と超伝導特性
- 31a-J-10 WC(1010)への酸素吸着
- 29aA3 FZ法によるLaB_6単結晶の育成と高温硬度(融液成長III)
- 28a-ZJ-6 浮遊帯域法で育成した炭化タングステン(WC)のドハース・ファンアルフェン効果
- 30p-BPS-27 ICISSによるHfB2表面の構造解析2
- FZ法によるPrB_6添加LaB_6単結晶の育成 : 融液成長IV
- 1E02 LaB_6 単結晶への稀土類ホウ化物の添加効果
- 24a-PS-21 ICISSによるHfB_2表面の構造解析
- FZ法によるMo単結晶の自動育成 : 融液成長V
- 31p-Y-14 HfB_2のドハース・ファンアルフェン効果(III)
- 3p-B4-6 WC(0001)表面上のグラファイトのEELS
- FZ法によるTiC単結晶の育成条件と結晶性
- 5p-L-6 YB_4のドハース・ファンアルフェン効果(III)
- 14p-D-6 YB_4の横磁気抵抗
- FZ法による高融点物質の単結晶育成時における温度分布 : 融液成長
- 28a-HE-6 YB_4のドハース・ファンアルフェン効果(II)
- 2p-PSA-18 イオン結晶表面における低速H^+イオンの中性化と負イオン化
- 3a-BC-10 LaB_6の比熱
- 5p-H-13 半金属のShubunikov-de Haas振動に及ぼす圧力効果 I
- 5p-H-10 半金属アンチモン,ヒ素のドハース・ファンアルフエン効果
- 5a-D-6 ヒ素のドハース・ファンアルフェン効果II
- ヒ素のドハース・ファンアルフェン効果 : 低温・金属
- 28a-ZF-8 LaB_6(100)の表面フォノン
- 27p-R-12 STMによる遷移金属上の単原子層グラファイトの観察
- 5a-PS-13 STMによる遷移金属炭化物上の上の単原子層グラファイトの観察
- 6a-M-3 SnS_2の新しいポリタイプ
- 25pTA-15 NbB_2(0001)表面フォノン
- 28p-YR-12 WB_2(0001)表面フォノン分散
- 4a-NM-9 ICISS(およびISS)における多重散乱の解析
- 4a-NM-8 ICISSによる表面電子空間分布の研究
- 4a-NM-7 ICISSによる表面原子配列の定量的決定
- 31p-J-3 TiC(001)とTiC(111)表面の観察
- 27a-E-3 LaB_6(100)の表面フォノン
- 27a-E-6 角度分解型電子分光法によるTiC(111)面上の単原子層グラファイトの観察
- 2a-T-10 STMによるTiC(111)上の単原子層グラファイトの観察
- 1p-Z-2 化合物の表面フォノンポラリトン
- 27a-Z-11 遷移金属炭化物上の単原子層グラファイトの電子状態と2次元プラズモン
- 2p-YF-6 Ni(755)上の単原子層六方晶系窒化ホウ素膜
- 31a-PS-39 Li^+イオンの電子的エネルギー損失
- 2a-Q-8 Ni(111)表面上の単結晶hーBNの電子状態
- 29p-PS-24 Tic(111)、(100)-酸素吸着面の角度分解光電子分光
- 24aA5 FZ法におけるホウ化物結晶の育成と高温硬度(バルク成長VI)
- FZ法によるVa族ニホウ化物単結晶の育成 : バルク成長IV
- FZ法によるZrB_2単結晶の育成 : バルク成長 IV フローティングゾーン法
- 31p-PSB-76 TiC 単結晶上へのMgOエピタキシャル膜の研究
- 31p-PSB-35 WB_2(0001)上の単原子層グラファイトのフォノン分散
- FZ法によるα-Mo_2C単結晶の育成 : 無機結晶I
- 31a-J-9 NbC(111)表面の酸素, 重水素吸着構造の解析
- FZ法によるTiB_2単結晶の育成 : 融液成長(一般)II
- 28p-PSB-36 アルカリ吸着に伴う単原子層グラファイトの電子状態の変化
- 3G33 溶媒移動 FZ 法による LaB_6 単結晶の育成
- FZ法による定比組成に近いTiC単結晶の育成
- 2p-D-5 He^+に対するTiのシャドーコーン(実験と計算)
- 13a-PS-38 TiC(100)、(111)表面における遷移金属不純物の偏析
- 29p-G-4 NbC(111)表面の窒素吸着構造の解析
- 28p-Z-13 He^+入射によるCs/W(110)表面からの電子放出
- 28p-Z-12 低速D^+散乱によるアルカリ及びアルカリハライド吸着表面の研究
- 28a-Z-2 NbC(111)上の分子状吸着種
- 12p-DJ-2 TaC(111), (100)表面上の単原子層及び2原子層グラファイトのプラズモン
- 28a-Z-1 NbC(111)表面のAl吸着構造の解析
- 29p-PS-22 ICISSによるHfC(111)表面の構造解析
- 29a-G-11 TaC(100)、(111)面上の単原子層グラファイトの電子構造
- 27a-E-4 遷移金属炭化物上の単原子層グラファイトのフォノンと電子構造
- 29p-PS-12 K吸着Si(100)、Pt(111)、W(110)表面のD^+散乱による研究
- 31p-L-1 炭化タングステン(WC)のドハース・ファンアルフェン効果(II)
- 27p-C-8 低速希ガスイオンの固体表面における中性化と再イオン化
- 3a-S-6 CaF_2(111)面のICISS
- 3a-S-5 散乱軌道に依存したHe^+イオンの中性化
- 3a-E-5 微視的光学表面フォノン
- 2p-E-2 低エネルギー希ガスイオンの表面における中性化機構
- 2p-E-1 低エネルギーHe^+イオンと表面の電荷交換
- 1a-RJ-3 ISSにおけるイオン中性化II・TaC(100)
- 11p-A-8 ICISSによるTiC(111)面への酸素吸着
- 11p-A-7 ISSにおけるイオン中性化・TiC(100)
- 30a-Y-6 ICISSによる表面原子空孔の構造と化学活性の解析 I
- 30a-Y-5 ICISSによる表面原子空孔の構造と化学活性の解析 II
- 6a-C3-15 遷移金属炭化物の反射スペクトルとバンド構造II
- 28p-D-2 遷移金属炭化物の反射スペクトルとバンド構造
- 30a-Y-4 ICISSによる表面原子空孔の構造と化学活性の解析 I
- 30a-A-3 TiC(100)表面の直衝突イオン散乱分光(ICISS) : 表面原子空孔構造の解析
- 5p-W-8 TiC, TaC(111)上の単原子層グラファイト
- 26a-O-10 グラファイト(0001)面の2次元的フォノン
- 31a-T-11 低速D^+、 He^+イオンと固体表面との相互作用
- 2p-K3-12 遷移金属炭化物の酸素吸着(表面・界面)
- 27p-GA-4 低速希ガスイオンの固体表面における中性化と再イオン化 II(表面・界面)
- 28a-H-13 TiC(100)表面の表面フォノン(表面・界面)
- 2p-F4-11 Mo(111)表面フォノン(表面・界面)
- 28a-H-12 TiC(310)表面の表面フォノン(表面・界面)
- 1p-A2-2 低エネルギーH^+_eイオンと表面の電荷交換II(1p A2 表面・界面,量子エレクトロニクス)
- 30p-TJ-7 表面電子励起に伴うHe^+の非弾性散乱(30pTJ 表面・界面)
- ホウ素過剰LaB_6・CeB_6単結晶の電子放射特性