ヒ素のドハース・ファンアルフェン効果 : 低温・金属
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1966-03-31
著者
関連論文
- 29p-PS-23 角度分解型電子分光法によるTaC(100)面上の単原子層グラファイトの観察
- 27a-Q-11 CeB_6のスピン構造-^B NMR
- 30p-B-8 CeB_6のNMR II
- 5a-BJ-12 遍歴ヘリカル磁性体CrB_2中11_BのNMR III
- CeB_6の核磁気共鳴(II. CeB_6の特性,価数揺動状態の総合的研究,科研費研究会報告)
- 27p-L-4 CeB_6単結晶の^BNMR
- 4a-AG-9 SmB_6中の^BのNMR
- 25a-A-9 遷移金属炭化物の電気的性質の組成依存性
- 27p-PS-47 Ln_xBa_CuO_y(Ln=La, Na)固溶体の超伝導
- 27p-PS-46 Y(Ba_Sr_x)_2Cu_3O_の合成と超伝導特性
- 31a-J-10 WC(1010)への酸素吸着
- 29aA3 FZ法によるLaB_6単結晶の育成と高温硬度(融液成長III)
- 28a-ZJ-6 浮遊帯域法で育成した炭化タングステン(WC)のドハース・ファンアルフェン効果
- 30p-BPS-27 ICISSによるHfB2表面の構造解析2
- FZ法によるPrB_6添加LaB_6単結晶の育成 : 融液成長IV
- 1E02 LaB_6 単結晶への稀土類ホウ化物の添加効果
- 24a-PS-21 ICISSによるHfB_2表面の構造解析
- FZ法によるMo単結晶の自動育成 : 融液成長V
- 31p-Y-14 HfB_2のドハース・ファンアルフェン効果(III)
- 3p-B4-6 WC(0001)表面上のグラファイトのEELS
- FZ法によるTiC単結晶の育成条件と結晶性
- 5p-L-6 YB_4のドハース・ファンアルフェン効果(III)
- 14p-D-6 YB_4の横磁気抵抗
- FZ法による高融点物質の単結晶育成時における温度分布 : 融液成長
- 28a-HE-6 YB_4のドハース・ファンアルフェン効果(II)
- 2p-PSA-18 イオン結晶表面における低速H^+イオンの中性化と負イオン化
- 3a-BC-10 LaB_6の比熱
- 5p-H-13 半金属のShubunikov-de Haas振動に及ぼす圧力効果 I
- 5p-H-10 半金属アンチモン,ヒ素のドハース・ファンアルフエン効果
- 5a-D-6 ヒ素のドハース・ファンアルフェン効果II
- ヒ素のドハース・ファンアルフェン効果 : 低温・金属
- 28a-ZF-8 LaB_6(100)の表面フォノン
- 27p-R-12 STMによる遷移金属上の単原子層グラファイトの観察
- 5a-PS-13 STMによる遷移金属炭化物上の上の単原子層グラファイトの観察
- 6a-M-3 SnS_2の新しいポリタイプ
- 4a-NM-9 ICISS(およびISS)における多重散乱の解析
- 4a-NM-8 ICISSによる表面電子空間分布の研究
- 4a-NM-7 ICISSによる表面原子配列の定量的決定
- 27a-E-3 LaB_6(100)の表面フォノン
- 27a-E-6 角度分解型電子分光法によるTiC(111)面上の単原子層グラファイトの観察
- 2a-T-10 STMによるTiC(111)上の単原子層グラファイトの観察
- 1p-Z-2 化合物の表面フォノンポラリトン
- 5a-E-4 Mn_2As単結晶の磁性(その2)
- 5p-E-4 CrB_2の磁気構造
- FZ法によるZrB_2単結晶の育成 : バルク成長 IV フローティングゾーン法
- 31p-PSB-76 TiC 単結晶上へのMgOエピタキシャル膜の研究
- 31p-PSB-35 WB_2(0001)上の単原子層グラファイトのフォノン分散
- FZ法によるα-Mo_2C単結晶の育成 : 無機結晶I
- 31a-J-9 NbC(111)表面の酸素, 重水素吸着構造の解析
- FZ法によるTiB_2単結晶の育成 : 融液成長(一般)II
- 5a-D-7 Ytterbiumのドーハース・ファンアルフェン効果
- 28p-PSB-6 低エネルギーイオン散乱における電子昇位機構
- 28p-PSB-2 3次元3原子モデルによるICISSスペクトルの計算
- 28a-WB-13 低速D^+散乱によるアルカリ土類酸化物の研究
- 3G33 溶媒移動 FZ 法による LaB_6 単結晶の育成
- FZ法による定比組成に近いTiC単結晶の育成
- 2p-D-5 He^+に対するTiのシャドーコーン(実験と計算)
- 13a-PS-38 TiC(100)、(111)表面における遷移金属不純物の偏析
- 29p-G-5 アルカリ吸着TiO(110)表面の低速D^+散乱による解析
- 29p-G-4 NbC(111)表面の窒素吸着構造の解析
- 28p-Z-13 He^+入射によるCs/W(110)表面からの電子放出
- 28p-Z-12 低速D^+散乱によるアルカリ及びアルカリハライド吸着表面の研究
- 28a-Z-2 NbC(111)上の分子状吸着種
- 5p-E-5 遍歴磁性体CrB_2中の^BのNMR
- 7a-C-10 ZrB_2のドハース・ファンアルフェン効果(II)
- 6p-N-1 V_5S_8の磁性
- 13a-Z-4 V_5S_8単結晶の磁気的及び電気的性質II
- 5a-KG-2 V_5S_8単結晶の磁気的及び電気的性質
- 1p-Z-1 Ni表面上の単原子層グラファイトのフォノン
- 10a-R-2 陽電子の寿命 : 硫化物
- 28a-Z-1 NbC(111)表面のAl吸着構造の解析
- 29p-PS-22 ICISSによるHfC(111)表面の構造解析
- 27a-E-4 遷移金属炭化物上の単原子層グラファイトのフォノンと電子構造
- 1a KH-8 LaB_6長周期振動
- 4a-AG-7 GdB_6単結晶の反強磁性領域における磁気相転移
- 4a-U-10 CrB_2単結晶の電気的、磁気的性質
- 31a-BJ-8 1T-TaS_2 の電気的性質
- 7p-A-4 de Haas-van Alphen effect, Shubnikov-de Haas effect and magnetothermal effect
- PbTeのドハース・ファンアルフェン効果 : 半導体 : 測定法
- テルルおよびスズを添加したアンチモンのドハース・ファンアルフェン効果
- 5p-H-5 Biにおけるde Haas van Alphen効果とShubnikov効果との比較
- Biの横磁気抵抗への形状効果 : 低温
- 29p-PS-12 K吸着Si(100)、Pt(111)、W(110)表面のD^+散乱による研究
- 24a-PS-11 Pt(111)上の単原子層グラファイトのフォノン
- 4a-PS-12 低速D^+イオンと固体表面との相互作用II
- 5a-H-12 化学輸送法で作成したSnS_2のルミネッセンス
- 1a-H-14 YB_4のドハース・ファンアルフェン効果
- 31p-L-1 炭化タングステン(WC)のドハース・ファンアルフェン効果(II)
- 30p-L-14 炭化タングステン(WC)のドハース・ファンアルフェン効果の観測
- 5a-H-6 TiB_2のドハース・ファンアルフェン効果(II)
- 6a-AB-5 TiBzのドハース・ファンアルフェン効果
- 8a-G-14 ReO_3ドハース・ファンアルフェン効果
- 5a-W-3 LaB_6の新しいドハース・ファンアルフェン振動
- 10p-B-4 LaB_6のドハース・ファンアルフェン効果 III
- 2p-L-4 LaB_6のドハース・ファンアルフェン効果
- 12p-P-9 LaB_6のドハース・ファンアルフェン効果
- 9a-H-2 Tlのドハース・ファンアルフェン効果II.長周期振動
- 9a-H-1 Tlのドハース・ファンアルフェン効果I.短周期振動
- 27p-C-8 低速希ガスイオンの固体表面における中性化と再イオン化
- 3a-S-6 CaF_2(111)面のICISS