大谷 茂樹 | 無機材研
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概要
関連著者
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大谷 茂樹
無機材研
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石沢 芳夫
無機材研
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左右田 龍太郎
無機材研
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大島 忠平
無機材研
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大谷 茂樹
無機材質研究所
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大谷 茂樹
物質・材料研究機構
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相沢 俊
無機材研
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大谷 茂樹
物材機構
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大谷 茂樹
科学技術庁無機材質研究所企画課
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青野 正和
無機材研
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青野 正和
無機材質研究所
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青野 正和
無機材質研
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速水 渉
無機材研
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速水 渉
物材機構物質研
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左右田 龍太郎
無機材質研究所
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大島 忠平
早大理工
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石沢 芳夫
無機材質研究所
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田中 高穂
無機材研
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大島 忠平
早稲田大学 各務記念材料技術研究所
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大島 忠平
早稲田大学理工学部
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長島 礼人
早大理工
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相澤 俊
無機材研
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長島 礼人
東京工業大学理学部物理学科
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相澤 俊
無機材質研究所
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大谷 茂樹
物質・材料研究機構 ナノ物質ラボ
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手嶋 憲彦
早大理工
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市ノ川 竹男
早大理工
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奴賀 謙治
早大理工
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市ノ川 竹男
早稲田大学 理工学部
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東北大工
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侯 印春
無機材研
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相澤 俊
物質・材料研究機構 ナノ物質ラボ
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相澤 俊
物材機構
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小出 常晴
高エ研PF
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小出 常晴
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設楽 哲夫
高エ研PF
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筑波大物理
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早大理工
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早大理工
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早大理工
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東北大理
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本間 茂
無機材質研
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本間 茂
無機材研
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飯塚 義尚
早大材研
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長尾 忠昭
早大理工
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飯塚 義尚
早大理工
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市ノ川 竹男
Department Of Applied Physics Waseda University
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黄 演
無機材研
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重信 毅
早大理工
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Wuttig M.
無機材研
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藤森 淳
東大理
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青野 正和
理研
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三浦 浩治
愛教大物理
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梅内 誠
日本電信電話株式会社NTTアクセスサービスシステム研究所
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小出 常晴
高工研PF
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工藤 正博
東北大工材研
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笠村 秀明
MST
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工藤 正博
MST
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藤森 淳
無機材研
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野崎 浩司
無機材研
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弘前大理工
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佐藤 繁
高工研
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大島 忠平
早稲田大学理工学部応用物理学科
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設楽 哲夫
高工研
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六田 英治
名城大学理工学部材料機能工学科
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寺倉 清之
東大物性研
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福谷 博仁
筑波大 物
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大沢 俊一
無機材研
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志水 隆一
阪大工
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井藤 浩志
早稲田大学応用物理学科
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設楽 哲夫
高工研PF
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後藤 芳彦
東京理科大学基礎工学部
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柴田 幸男
東北大学工学部
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柴田 幸男
東北大工
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梅内 誠
早大材研
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梅内 誠
Nttアクセスサービスシステム研究所
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梅内 誠
早大理工
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松沢 英久
早大理工
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志水 隆一
大阪工業大学情報科学部
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伊藤 淳
早稲田大学各務記念材料技術研究所
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宮崎 栄三
東工大理
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枝元 一之
東工大理
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鈴木 克己
早大理工
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鈴木 克己
早稲田大学各務記念材料技術研究所
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六田 英治
早大理工
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伊藤 淳
早大理工
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川野輪 仁
東理大基礎工
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蒲生 康男
早稲田大学理工学部応用物理学科
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蒲生 康男
早大理工
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川合 孝尚
早大理工
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穴沢 俊久
東工大理
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板倉 時生
東工大理
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加藤 博雄
高エネ研
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松田 恭司
阪大工
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川合 孝尚
早大・理工・応用物理
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朴 順子
ソウル大工大
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川野輪 仁
物質・材料研究機構:東京理科大学
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佐藤 繁
高エ研PF
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住吉 義博
群大工
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石田 浩
東大物性研
著作論文
- 29p-PS-23 角度分解型電子分光法によるTaC(100)面上の単原子層グラファイトの観察
- 25a-A-9 遷移金属炭化物の電気的性質の組成依存性
- 29aA3 FZ法によるLaB_6単結晶の育成と高温硬度(融液成長III)
- FZ法によるPrB_6添加LaB_6単結晶の育成 : 融液成長IV
- 1E02 LaB_6 単結晶への稀土類ホウ化物の添加効果
- FZ法によるMo単結晶の自動育成 : 融液成長V
- FZ法によるTiC単結晶の育成条件と結晶性
- FZ法による高融点物質の単結晶育成時における温度分布 : 融液成長
- 28a-ZF-8 LaB_6(100)の表面フォノン
- 25pTA-15 NbB_2(0001)表面フォノン
- 28p-YR-12 WB_2(0001)表面フォノン分散
- 4a-NM-9 ICISS(およびISS)における多重散乱の解析
- 4a-NM-8 ICISSによる表面電子空間分布の研究
- 4a-NM-7 ICISSによる表面原子配列の定量的決定
- 31p-J-3 TiC(001)とTiC(111)表面の観察
- 27a-E-3 LaB_6(100)の表面フォノン
- 27a-E-6 角度分解型電子分光法によるTiC(111)面上の単原子層グラファイトの観察
- 27a-Z-11 遷移金属炭化物上の単原子層グラファイトの電子状態と2次元プラズモン
- 2p-YF-6 Ni(755)上の単原子層六方晶系窒化ホウ素膜
- 31a-PS-39 Li^+イオンの電子的エネルギー損失
- 2a-Q-8 Ni(111)表面上の単結晶hーBNの電子状態
- 29p-PS-24 Tic(111)、(100)-酸素吸着面の角度分解光電子分光
- 24aA5 FZ法におけるホウ化物結晶の育成と高温硬度(バルク成長VI)
- FZ法によるVa族ニホウ化物単結晶の育成 : バルク成長IV
- FZ法によるZrB_2単結晶の育成 : バルク成長 IV フローティングゾーン法
- 31p-PSB-76 TiC 単結晶上へのMgOエピタキシャル膜の研究
- 31p-PSB-35 WB_2(0001)上の単原子層グラファイトのフォノン分散
- FZ法によるα-Mo_2C単結晶の育成 : 無機結晶I
- 31a-J-9 NbC(111)表面の酸素, 重水素吸着構造の解析
- FZ法によるTiB_2単結晶の育成 : 融液成長(一般)II
- 28p-PSB-36 アルカリ吸着に伴う単原子層グラファイトの電子状態の変化
- 3G33 溶媒移動 FZ 法による LaB_6 単結晶の育成
- FZ法による定比組成に近いTiC単結晶の育成
- 2p-D-5 He^+に対するTiのシャドーコーン(実験と計算)
- 13a-PS-38 TiC(100)、(111)表面における遷移金属不純物の偏析
- 29p-G-4 NbC(111)表面の窒素吸着構造の解析
- 28p-Z-13 He^+入射によるCs/W(110)表面からの電子放出
- 28p-Z-12 低速D^+散乱によるアルカリ及びアルカリハライド吸着表面の研究
- 28a-Z-2 NbC(111)上の分子状吸着種
- 12p-DJ-2 TaC(111), (100)表面上の単原子層及び2原子層グラファイトのプラズモン
- 28a-Z-1 NbC(111)表面のAl吸着構造の解析
- 29p-PS-22 ICISSによるHfC(111)表面の構造解析
- 29a-G-11 TaC(100)、(111)面上の単原子層グラファイトの電子構造
- 27a-E-4 遷移金属炭化物上の単原子層グラファイトのフォノンと電子構造
- 29p-PS-12 K吸着Si(100)、Pt(111)、W(110)表面のD^+散乱による研究
- 31p-L-1 炭化タングステン(WC)のドハース・ファンアルフェン効果(II)
- 27p-C-8 低速希ガスイオンの固体表面における中性化と再イオン化
- 3a-S-6 CaF_2(111)面のICISS
- 3a-S-5 散乱軌道に依存したHe^+イオンの中性化
- 3a-E-5 微視的光学表面フォノン
- 2p-E-2 低エネルギー希ガスイオンの表面における中性化機構
- 2p-E-1 低エネルギーHe^+イオンと表面の電荷交換
- 1a-RJ-3 ISSにおけるイオン中性化II・TaC(100)
- 11p-A-8 ICISSによるTiC(111)面への酸素吸着
- 11p-A-7 ISSにおけるイオン中性化・TiC(100)
- 30a-Y-6 ICISSによる表面原子空孔の構造と化学活性の解析 I
- 30a-Y-5 ICISSによる表面原子空孔の構造と化学活性の解析 II
- 6a-C3-15 遷移金属炭化物の反射スペクトルとバンド構造II
- 28p-D-2 遷移金属炭化物の反射スペクトルとバンド構造
- 30a-Y-4 ICISSによる表面原子空孔の構造と化学活性の解析 I
- 30a-A-3 TiC(100)表面の直衝突イオン散乱分光(ICISS) : 表面原子空孔構造の解析
- 5p-W-8 TiC, TaC(111)上の単原子層グラファイト
- 26a-O-10 グラファイト(0001)面の2次元的フォノン
- 31a-T-11 低速D^+、 He^+イオンと固体表面との相互作用
- 2p-K3-12 遷移金属炭化物の酸素吸着(表面・界面)
- 27p-GA-4 低速希ガスイオンの固体表面における中性化と再イオン化 II(表面・界面)
- 28a-H-13 TiC(100)表面の表面フォノン(表面・界面)
- 2p-F4-11 Mo(111)表面フォノン(表面・界面)
- 28a-H-12 TiC(310)表面の表面フォノン(表面・界面)
- 1p-A2-2 低エネルギーH^+_eイオンと表面の電荷交換II(1p A2 表面・界面,量子エレクトロニクス)
- 30p-TJ-7 表面電子励起に伴うHe^+の非弾性散乱(30pTJ 表面・界面)
- ホウ素過剰LaB_6・CeB_6単結晶の電子放射特性