速水 渉 | 物材機構物質研
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概要
関連著者
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速水 渉
物材機構物質研
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速水 渉
無機材研
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左右田 龍太郎
無機材質研究所
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石沢 芳夫
無機材研
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左右田 龍太郎
無機材研
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相沢 俊
無機材研
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大谷 茂樹
無機材研
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石沢 芳夫
無機材質研究所
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大谷 茂樹
無機材質研究所
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大谷 茂樹
物質・材料研究機構
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相澤 俊
無機材質研究所
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相澤 俊
無機材研
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大谷 茂樹
物材機構
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大谷 茂樹
科学技術庁無機材質研究所企画課
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相澤 俊
物質・材料研究機構 ナノ物質ラボ
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相澤 俊
物材機構
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田中 高穂
無機材研
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山本 一雄
神奈川工科大学一般科
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大谷 茂樹
物質・材料研究機構 ナノ物質ラボ
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山本 一雄
無機材研
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黄 演
無機材研
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相澤 俊
物材機構物質研
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大谷 茂樹
物材機構物質研
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相沢 俊
無機材質研究所
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浅利 英治
無機材研
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Tilley B
無機材研
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朴 順子
ソウル大工大
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速水 渉
無機材質研究所
著作論文
- 31a-J-10 WC(1010)への酸素吸着
- 30p-BPS-27 ICISSによるHfB2表面の構造解析2
- 24a-PS-21 ICISSによるHfB_2表面の構造解析
- 2p-PSA-18 イオン結晶表面における低速H^+イオンの中性化と負イオン化
- 19pPSB-53 ZrB_2(0001)表面のフォノン分散
- 25pTA-15 NbB_2(0001)表面フォノン
- 28p-YR-12 WB_2(0001)表面フォノン分散
- 24aPS-30 3次元N原子モデルによる直衝突イオン散乱分光(ICISS)のシミュレーション
- 31p-PSB-76 TiC 単結晶上へのMgOエピタキシャル膜の研究
- 31p-PSB-35 WB_2(0001)上の単原子層グラファイトのフォノン分散
- 31a-J-9 NbC(111)表面の酸素, 重水素吸着構造の解析
- 28p-PSB-6 低エネルギーイオン散乱における電子昇位機構
- 28p-PSB-2 3次元3原子モデルによるICISSスペクトルの計算
- 28a-WB-13 低速D^+散乱によるアルカリ土類酸化物の研究
- 13a-PS-38 TiC(100)、(111)表面における遷移金属不純物の偏析
- 29p-G-5 アルカリ吸着TiO(110)表面の低速D^+散乱による解析
- 29p-G-4 NbC(111)表面の窒素吸着構造の解析
- 28p-Z-13 He^+入射によるCs/W(110)表面からの電子放出
- 28p-Z-12 低速D^+散乱によるアルカリ及びアルカリハライド吸着表面の研究
- 28a-Z-2 NbC(111)上の分子状吸着種
- 28a-Z-1 NbC(111)表面のAl吸着構造の解析
- 29p-PS-22 ICISSによるHfC(111)表面の構造解析
- 27a-E-4 遷移金属炭化物上の単原子層グラファイトのフォノンと電子構造
- 29p-PS-12 K吸着Si(100)、Pt(111)、W(110)表面のD^+散乱による研究
- 30a-E-10 低速D^+イオン散乱による表面原子の結合状態の研究
- 24a-PS-11 Pt(111)上の単原子層グラファイトのフォノン
- 4a-PS-12 低速D^+イオンと固体表面との相互作用II