30a-E-10 低速D^+イオン散乱による表面原子の結合状態の研究
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
-
29p-PS-23 角度分解型電子分光法によるTaC(100)面上の単原子層グラファイトの観察
-
高ホウ化物のB_正20面体構造
-
31a-J-10 WC(1010)への酸素吸着
-
29aA3 FZ法によるLaB_6単結晶の育成と高温硬度(融液成長III)
-
30p-BPS-27 ICISSによるHfB2表面の構造解析2
-
24a-PS-21 ICISSによるHfB_2表面の構造解析
-
3p-B4-6 WC(0001)表面上のグラファイトのEELS
-
ペロブスカイト型類似Ba-Y-Cu-O系超伝導体の合成
-
単結晶炭化物(HfC, ZrC, TiC)の酸化による界面でのカーボン析出とその評価
-
2p-PSA-18 イオン結晶表面における低速H^+イオンの中性化と負イオン化
-
30p-BPS-6 金属(Ni、Pt) の単原子層グラファイト薄膜およびその成長過程のSTMによる観察
-
27p-R-12 STMによる遷移金属上の単原子層グラファイトの観察
-
5a-PS-13 STMによる遷移金属炭化物上の上の単原子層グラファイトの観察
-
19pPSB-26 Te/Ni(111)表面の√構造
-
01pA02 FZ法による(Ti_Zr_x)C単結晶の育成(機能性結晶(1),第36回結晶成長国内会議)
-
19pPSB-53 ZrB_2(0001)表面のフォノン分散
-
25pTA-15 NbB_2(0001)表面フォノン
-
28p-YR-12 WB_2(0001)表面フォノン分散
-
27pPSA-14 NbB_2(0001)およびZrB_2(0001)表面の内殻準位シフトの第一原理計算(領域9ポスターセッション)(領域9)
-
27pPSA-13 NbB_2(0001)とZrB_2(0001)のXPS(領域9ポスターセッション)(領域9)
-
炭化ケイ素の液相焼結に及ぼす粉末特性の影響
-
2a-T-10 STMによるTiC(111)上の単原子層グラファイトの観察
-
1p-Z-2 化合物の表面フォノンポラリトン
-
27a-Z-11 遷移金属炭化物上の単原子層グラファイトの電子状態と2次元プラズモン
-
26a-P-7 イオン励起オージェ電子分光法によるSi(111)表面構造の研究
-
27p-C-10 イオン励起AESによるSi表面の吸着構造の研究
-
1p-S-9 Si(111)-Auの光電子回折
-
1p-S-3 Si(111)√×√-Gaの光電子回折
-
亜酸化膜形成によるZrC(100)面の活性化
-
HfC ( 111 ) 清浄表面および水素吸着面の電子状態
-
2p-YF-6 Ni(755)上の単原子層六方晶系窒化ホウ素膜
-
31a-PS-39 Li^+イオンの電子的エネルギー損失
-
8a-B-9 イオン散乱によるLaB_6(001)表面からのAuger電子放出
-
CVDダイヤモンド成長表面の水素吸着
-
グラファイト・ナノリボンの電子構造
-
グラファイト・ナノクリスタルおよびグラファイト・ナノリボンの作製
-
2a-Q-8 Ni(111)表面上の単結晶hーBNの電子状態
-
15aPS-21 エピタキャシャル BC_3 薄膜のフォノン構造(領域 9)
-
イットリアコンセントレート使用による希土類酸化物含有超伝導セラミックスの合成(セラミック・レター)
-
TiB_2, VB_2, CrB_2結晶の高温硬度とフラックス育成
-
Ni_2P(1010)単結晶表面の角度分解・共鳴光電子分光
-
29p-PS-24 Tic(111)、(100)-酸素吸着面の角度分解光電子分光
-
21aPS-3 NbB_2(0001)面上にエピタキシャル成長した準安定状態BC_3薄膜(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
-
Pt(755)とTic(755)上に成長させた単原子層グラフェンの電子状態
-
27aY-9 中エネルギーイオン散乱によるTiC(001)、Ta(001)表面緩和とランブリングの決定
-
24aA5 FZ法におけるホウ化物結晶の育成と高温硬度(バルク成長VI)
-
FZ法によるVa族ニホウ化物単結晶の育成 : バルク成長IV
-
ホウ素過剰LaB_6・CeB_6単結晶の育成と熱電子放射特性
-
FZ法によるZrB_2単結晶の育成 : バルク成長 IV フローティングゾーン法
-
31p-PSB-76 TiC 単結晶上へのMgOエピタキシャル膜の研究
-
31p-PSB-35 WB_2(0001)上の単原子層グラファイトのフォノン分散
-
FZ法によるα-Mo_2C単結晶の育成 : 無機結晶I
-
31a-J-9 NbC(111)表面の酸素, 重水素吸着構造の解析
-
FZ法によるTiB_2単結晶の育成 : 融液成長(一般)II
-
28p-PSB-36 アルカリ吸着に伴う単原子層グラファイトの電子状態の変化
-
28p-PSB-6 低エネルギーイオン散乱における電子昇位機構
-
28p-PSB-2 3次元3原子モデルによるICISSスペクトルの計算
-
28a-WB-13 低速D^+散乱によるアルカリ土類酸化物の研究
-
単原子層グラファイトの性質とその応用
-
13a-PS-38 TiC(100)、(111)表面における遷移金属不純物の偏析
-
29p-G-5 アルカリ吸着TiO(110)表面の低速D^+散乱による解析
-
29p-G-4 NbC(111)表面の窒素吸着構造の解析
-
28p-Z-13 He^+入射によるCs/W(110)表面からの電子放出
-
28p-Z-12 低速D^+散乱によるアルカリ及びアルカリハライド吸着表面の研究
-
28a-Z-2 NbC(111)上の分子状吸着種
-
1p-Z-1 Ni表面上の単原子層グラファイトのフォノン
-
12p-DJ-2 TaC(111), (100)表面上の単原子層及び2原子層グラファイトのプラズモン
-
28a-Z-1 NbC(111)表面のAl吸着構造の解析
-
29p-PS-22 ICISSによるHfC(111)表面の構造解析
-
29a-G-11 TaC(100)、(111)面上の単原子層グラファイトの電子構造
-
27a-E-4 遷移金属炭化物上の単原子層グラファイトのフォノンと電子構造
-
29p-PS-12 K吸着Si(100)、Pt(111)、W(110)表面のD^+散乱による研究
-
30a-E-10 低速D^+イオン散乱による表面原子の結合状態の研究
-
24a-PS-11 Pt(111)上の単原子層グラファイトのフォノン
-
4a-PS-12 低速D^+イオンと固体表面との相互作用II
-
表面(サブゼミ,サブゼミの報告,1985年度物性若手夏の学校報告)
-
無機材質研究所
-
YB_の良質単結晶育成と放射光軟X線分光結晶への応用
-
液相焼結によるSiC-AlN複合材料の作製と微細組織
-
極高真空電界放射型電子銃の試作
-
表面処理TiCフィールドエミッターの特性
-
10-10 Paの到達真空度をもつ強電界電子放射測定装置の試作
-
5p-W-8 TiC, TaC(111)上の単原子層グラファイト
-
26a-O-10 グラファイト(0001)面の2次元的フォノン
-
27pPSA-34 円偏光二次元光電子回折法によるZrB_2の原子構造解析(27pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
-
5a-E-6 RHEEDによるSi(111)面上へのAl吸着系の構造研究
-
遷移金属炭化物表面上の単原子層グラファイトとフィ-ルドエミッタ-への応用 (新しい形態の炭素)
-
23pPSB-19 円偏光二次元光電子分光回折法によるZrB_2の原子構造解析(23pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
-
高融点化合物の単結晶育成技術
-
31a-T-11 低速D^+、 He^+イオンと固体表面との相互作用
-
2p-K3-12 遷移金属炭化物の酸素吸着(表面・界面)
-
27p-GA-4 低速希ガスイオンの固体表面における中性化と再イオン化 II(表面・界面)
-
28a-H-13 TiC(100)表面の表面フォノン(表面・界面)
-
2p-F4-10 NiO(100)とMgO(100)の表面フォノン(表面・界面)
-
2p-F4-11 Mo(111)表面フォノン(表面・界面)
-
2p-K3-13 CaF2/Si(111)のISSによる研究(表面・界面)
-
28a-H-12 TiC(310)表面の表面フォノン(表面・界面)
-
29p-TC-1 LiF(001)面の表面フォノン(29pTC 表面・界面)
-
30p-TJ-7 表面電子励起に伴うHe^+の非弾性散乱(30pTJ 表面・界面)
-
新しいイットリウムホウ化物YB^
もっと見る
閉じる
スポンサーリンク