遷移金属炭化物表面上の単原子層グラファイトとフィ-ルドエミッタ-への応用 (新しい形態の炭素<特集>)
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
- 高ホウ化物のB_正20面体構造
- 31a-J-10 WC(1010)への酸素吸着
- 29aA3 FZ法によるLaB_6単結晶の育成と高温硬度(融液成長III)
- 30p-BPS-27 ICISSによるHfB2表面の構造解析2
- 24a-PS-21 ICISSによるHfB_2表面の構造解析
- 3p-B4-6 WC(0001)表面上のグラファイトのEELS
- ペロブスカイト型類似Ba-Y-Cu-O系超伝導体の合成
- 2p-PSA-18 イオン結晶表面における低速H^+イオンの中性化と負イオン化
- 30p-BPS-6 金属(Ni、Pt) の単原子層グラファイト薄膜およびその成長過程のSTMによる観察
- 27p-R-12 STMによる遷移金属上の単原子層グラファイトの観察
- 5a-PS-13 STMによる遷移金属炭化物上の上の単原子層グラファイトの観察
- 19pPSB-26 Te/Ni(111)表面の√構造
- 27pPSA-14 NbB_2(0001)およびZrB_2(0001)表面の内殻準位シフトの第一原理計算(領域9ポスターセッション)(領域9)
- 2a-T-10 STMによるTiC(111)上の単原子層グラファイトの観察
- 1p-Z-2 化合物の表面フォノンポラリトン
- 26a-P-7 イオン励起オージェ電子分光法によるSi(111)表面構造の研究
- 27p-C-10 イオン励起AESによるSi表面の吸着構造の研究
- 1p-S-9 Si(111)-Auの光電子回折
- 1p-S-3 Si(111)√×√-Gaの光電子回折
- CVDダイヤモンド成長表面の水素吸着
- イットリアコンセントレート使用による希土類酸化物含有超伝導セラミックスの合成(セラミック・レター)
- ホウ素過剰LaB_6・CeB_6単結晶の育成と熱電子放射特性
- FZ法によるZrB_2単結晶の育成 : バルク成長 IV フローティングゾーン法
- 31p-PSB-76 TiC 単結晶上へのMgOエピタキシャル膜の研究
- 31p-PSB-35 WB_2(0001)上の単原子層グラファイトのフォノン分散
- FZ法によるα-Mo_2C単結晶の育成 : 無機結晶I
- 31a-J-9 NbC(111)表面の酸素, 重水素吸着構造の解析
- FZ法によるTiB_2単結晶の育成 : 融液成長(一般)II
- 28p-PSB-6 低エネルギーイオン散乱における電子昇位機構
- 28p-PSB-2 3次元3原子モデルによるICISSスペクトルの計算
- 28a-WB-13 低速D^+散乱によるアルカリ土類酸化物の研究
- 単原子層グラファイトの性質とその応用
- 13a-PS-38 TiC(100)、(111)表面における遷移金属不純物の偏析
- 29p-G-5 アルカリ吸着TiO(110)表面の低速D^+散乱による解析
- 29p-G-4 NbC(111)表面の窒素吸着構造の解析
- 28p-Z-13 He^+入射によるCs/W(110)表面からの電子放出
- 28p-Z-12 低速D^+散乱によるアルカリ及びアルカリハライド吸着表面の研究
- 28a-Z-2 NbC(111)上の分子状吸着種
- 1p-Z-1 Ni表面上の単原子層グラファイトのフォノン
- 28a-Z-1 NbC(111)表面のAl吸着構造の解析
- 29p-PS-22 ICISSによるHfC(111)表面の構造解析
- 27a-E-4 遷移金属炭化物上の単原子層グラファイトのフォノンと電子構造
- 29p-PS-12 K吸着Si(100)、Pt(111)、W(110)表面のD^+散乱による研究
- 30a-E-10 低速D^+イオン散乱による表面原子の結合状態の研究
- 24a-PS-11 Pt(111)上の単原子層グラファイトのフォノン
- 4a-PS-12 低速D^+イオンと固体表面との相互作用II
- 表面(サブゼミ,サブゼミの報告,1985年度物性若手夏の学校報告)
- YB_の良質単結晶育成と放射光軟X線分光結晶への応用
- 極高真空電界放射型電子銃の試作
- 表面処理TiCフィールドエミッターの特性
- 10-10 Paの到達真空度をもつ強電界電子放射測定装置の試作
- 5p-W-8 TiC, TaC(111)上の単原子層グラファイト
- 26a-O-10 グラファイト(0001)面の2次元的フォノン
- 5a-E-6 RHEEDによるSi(111)面上へのAl吸着系の構造研究
- 遷移金属炭化物表面上の単原子層グラファイトとフィ-ルドエミッタ-への応用 (新しい形態の炭素)
- 高融点化合物の単結晶育成技術
- 31a-T-11 低速D^+、 He^+イオンと固体表面との相互作用
- 2p-K3-12 遷移金属炭化物の酸素吸着(表面・界面)
- 27p-GA-4 低速希ガスイオンの固体表面における中性化と再イオン化 II(表面・界面)
- 28a-H-13 TiC(100)表面の表面フォノン(表面・界面)
- 2p-F4-10 NiO(100)とMgO(100)の表面フォノン(表面・界面)
- 2p-F4-11 Mo(111)表面フォノン(表面・界面)
- 2p-K3-13 CaF2/Si(111)のISSによる研究(表面・界面)
- 28a-H-12 TiC(310)表面の表面フォノン(表面・界面)
- 29p-TC-1 LiF(001)面の表面フォノン(29pTC 表面・界面)
- 30p-TJ-7 表面電子励起に伴うHe^+の非弾性散乱(30pTJ 表面・界面)
- 新しいイットリウムホウ化物YB^