01pA02 FZ法による(Ti_<1-x>Zr_x)C単結晶の育成(機能性結晶(1),第36回結晶成長国内会議)
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概要
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(Ti_<1-x>Zr_x)C crystals were prepared by the floating zone method, x<0.4. Subgrain boundaries were removed by adding more than several mol% of ZrC. The group-III nitrides, GaN and AlN, were epitaxially grown on the (111) planes of the (Ti,Zr)C crystals by AP-MBE method.
- 日本結晶成長学会の論文
- 2006-11-01
著者
-
大谷 茂樹
物質・材料研
-
大谷 茂樹
物材機構
-
相澤 俊
無機材質研究所
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大谷 茂樹
無機材質研究所
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大谷 茂樹
物質・材料研究機構 ナノ物質ラボ
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相澤 俊
物質・材料研究機構 ナノ物質ラボ
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大谷 茂樹
科学技術庁無機材質研究所企画課
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大谷 茂樹
物質・材料研究機構
-
相澤 俊
物材機構
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