大島 忠平 | 無機材研
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概要
関連著者
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大島 忠平
無機材研
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石沢 芳夫
無機材研
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左右田 龍太郎
無機材研
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大谷 茂樹
無機材研
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青野 正和
無機材質研究所
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青野 正和
無機材研
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青野 正和
無機材質研
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大島 忠平
早稲田大学理工学部応用物理学科
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大島 忠平
早稲田大学理工学部
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大島 忠平
無機材質研
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大島 忠平
早稲田大学 各務記念材料技術研究所
-
大島 忠平
早稲田大学
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相沢 俊
無機材研
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田中 高穂
無機材研
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河合 七雄
無機材研
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侯 印春
無機材研
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大島 忠平
早稲田大学応用物理学科
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二瓶 好正
東京理科大学総合研究機構
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石川 剛
早稲田大学理工学部応用物理学科
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財満 鎮明
東北大工
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二瓶 好正
東京理科大学
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大島 忠平
早稲田大学理工学術院応用物理学科:早稲田大学各務記念材料技術研究所
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西谷 龍介
大阪大学産業科学研究所
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趙 福來
(独)科学技術振興機構 さきがけ研究
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三浦 浩治
愛教大物理
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石井 秀司
京都大学大学院工学研究科材料工学専攻:(現)(株)イオン工学研究所
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大島 忠平
早大理工
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大谷 茂樹
物材機構
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田中 高穂
無機材質研究所
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田村 圭司
大阪府立大学大学院工学研究科電子物理工学
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六田 英治
名城大学理工学部材料機能工学科
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大谷 茂樹
無機材質研究所
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石井 秀司
東京大学生産技術研究所
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中島 健
早稲田大学理工学部応用物理学科
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志水 隆一
大阪工業大学情報科学部
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大谷 茂樹
物質・材料研究機構 ナノ物質ラボ
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田村 圭司
東京大学生産技術研究所
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柳沢 啓史
早大理工
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田中 崇之
早大理工
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石田 康親
早大理工
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大谷 茂樹
科学技術庁無機材質研究所企画課
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石井 秀司
東京大学 生産技術研究所
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大谷 茂樹
物質・材料研究機構
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小田原 玄樹
早稲田大学応用物理学科
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趙 福來
早稲田大学各務記念材料技術研究所
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田中 崇之
東工大院理工:jst-crest
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趙 福来
早稲田大学各務記念技術研究所
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河合 七雄
無機材質研
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小田原 玄樹
早稲田大学先進理工学部応用物理学科
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小田原 玄樹
早稲田大学
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Wuttig M.
無機材研
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青野 正和
理研
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越川 孝範
大阪電通大
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神田 誠
電気化学工業 株式会社
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本間 芳和
東京理科大学
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三浦 大介
早稲田大学理工学部応用物理学科
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越川 孝範
大阪電気通信大学
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安江 常夫
大阪電気通信大学
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岩井 秀夫
アルバック・ファイ株式会社
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岡野 達雄
東京大学生産技術研究所
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白木 将
東京大学生産技術研究所
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岩井 秀夫
アルバック・ファイ株式会社技術本部商品開発室
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寺倉 清之
東大物性研
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尾張 真則
東京大学環境安全研究センター
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尾張 真則
東京大学生産技術研究所
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二瓶 好正
東京大学生産技術研究所
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大谷 茂樹
物質材料研究機構
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志水 隆一
阪大工
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坂内 英典
無機材研
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柴田 幸男
東北大学工学部
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柴田 幸男
東北大工
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後藤 正博
早稲田大学理工学部応用物理学科
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鈴木 俊哉
早大理工
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志水 隆一
大阪工業大学
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山村 健太
早稲田大学理工学部応用物理学科
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河合 七雄
大阪大学工学部
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米澤 彬
株式会社 ホロン
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齋藤 秀一
株式会社 アプコ
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田口 雅美
アルバック・ファイ株式会社 技術部
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田口 雅美
アルバックファイ
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六田 英治
早稲田大学各務記念材料技術研究所
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河合 七雄
大阪大学産業科学研究所
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加藤 周平
早大理工
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中村 仁
東京理科大学理工学部
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天野 幹也
東京大学生産技術研究所
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田村 理恵
東京大学生産技術研究所
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堂井 真
理学電機
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塚本 勝美
理学電機
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松田 恭司
阪大工
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大島 忠平
科学技術庁無機材質研究所
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西谷 龍介
大阪大学
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西谷 龍介
無機材研
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裏田 友洋
早稲田大学各務記念材料技術研究所
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KUO H.
台湾中央研究院
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HWANG I.
台湾中央研究院
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TSONG T.
台湾中央研究院
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坂内 英典
無機材質研究所
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白木 將
理化学研究所
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日比野 浩樹
Ntt物性基礎研
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鄭 錫〓
Pohang University of Science and Technology
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六田 英治
名城大学理工学部
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青野 正和
科学技術庁無機材質研究所
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塚本 勝美
リガク
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河合 七雄
無機材質研究所
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住吉 義博
群大工
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中村 仁
東京理科大学理工学部:東京大学生産技術研究所
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赤嶺 雄太
早稲田大学応用物理学科
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藤原 和人
早稲田大学応用物理学科
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趙 福来
日立ハイテクノロジーズ
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大島 忠平
無機材質研究所
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越川 孝範
大阪電気通信大学エレクトロニクス基礎研究所学術フロンティア推進センター
-
安江 常夫
大阪電気通信大学エレクトロニクス基礎研究所学術フロンティア推進センター
-
鈴木 雅彦
大阪電気通信大学エレクトロニクス基礎研究所学術フロンティア推進センター
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岩井 秀夫
アルバック・ファイ(株)
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河合 七雄
大阪大学 産業科学研究所
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石田 浩
東大物性研
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本間 芳和
東京理科大
-
鈴木 雅彦
大阪電気通信大学エレクトロニクス基礎研究所
著作論文
- 電界放出電子のエネルギー分布
- 金属表面上のグラフェン,h-BNおよびBC_3膜(グラフェンの成長と応用)
- 3p-B4-6 WC(0001)表面上のグラファイトのEELS
- 大立体角電子エネルギー分析器の試作
- 4a-NM-9 ICISS(およびISS)における多重散乱の解析
- 4a-NM-8 ICISSによる表面電子空間分布の研究
- 4a-NM-7 ICISSによる表面原子配列の定量的決定
- 31p-J-3 TiC(001)とTiC(111)表面の観察
- 単原子電子源を搭載した低速走査型電子顕微鏡の開発
- 極高真空の発生・計測・利用技術の開発に関する研究プロジェクト
- 15aPS-21 エピタキャシャル BC_3 薄膜のフォノン構造(領域 9)
- 21aPS-3 NbB_2(0001)面上にエピタキシャル成長した準安定状態BC_3薄膜(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 大立体角電子エネルギー分析器の試作(II)
- 単分子吸着したNi(111)表面のCr-Lα, Al-Kα線光電子回折における光源依存性
- 回折面アパーチャを用いた X 線光電子回折パターンの高角度分解能測定
- 2p-D-5 He^+に対するTiのシャドーコーン(実験と計算)
- オ-ジェ電子分光法(AES) (セラミックスの表面,界面を探る)
- 表面フォノン
- 遷移金属炭化物の表面物性
- グラフェンとh-BNの化学気相堆積膜
- カーボンナノチューブからのコヒーレント電子ビームの放出 : FEM像内のヤング干渉縞
- 29a-U-8 ISSによるTiC(001)面の観察
- 4)LaB_6熱陰極とその表面(テレビジョン電子装置研究会(第85回))
- LaB_6熱陰極とその表面(カソードの最近の進歩)
- 3p-AC-13 固体-気体平衡界面の温度・圧力依存性
- 六ホウ化ランタンとその応用(新結晶新物質)
- LaB6単結晶の表面と熱電子放射
- ランタンヘキサボライドの熱陰極への応用(研究ノ-ト)
- 高輝度電子線源材料--LaB6 (期待される機能材料)
- 実用極高真空電子銃
- 単原子電子源の電子放出特性
- 解説記事 コヒーレント電子ビームの開発
- 電界電子放出と表面科学
- 低エネルギ-希ガスイオン散乱分光法
- 低速電子エネルギー損失分光法による表面フォノンの研究 (日本IBM科学賞)
- 遷移金属炭化物 (100) 表面の表面フォノン
- 極高真空電界電子放出と韓国の極高真空技術
- 14pYB-2 微小バイプリズムを用いた電子ビームのコヒーレンス長測定(量子ドット・量子閉じ込め : 実験, 領域 4)
- ナノ領域から電界放出される電子波の干渉
- 27p-C-8 低速希ガスイオンの固体表面における中性化と再イオン化
- 3a-S-6 CaF_2(111)面のICISS
- 3a-S-5 散乱軌道に依存したHe^+イオンの中性化
- 3a-E-5 微視的光学表面フォノン
- 2p-E-2 低エネルギー希ガスイオンの表面における中性化機構
- 2p-E-1 低エネルギーHe^+イオンと表面の電荷交換
- 1a-RJ-3 ISSにおけるイオン中性化II・TaC(100)
- 13a-Y-6 Si(111)-7×7表面のICISS(構造と安定性)
- 11p-A-8 ICISSによるTiC(111)面への酸素吸着
- 11p-A-7 ISSにおけるイオン中性化・TiC(100)
- 30a-Y-6 ICISSによる表面原子空孔の構造と化学活性の解析 I
- 30a-Y-5 ICISSによる表面原子空孔の構造と化学活性の解析 II
- 電子源
- 電子エネルギー損失分光法 (EELS, HREELS)
- LaB6の電子放射特性と表面物性
- 30a-Y-4 ICISSによる表面原子空孔の構造と化学活性の解析 I
- 30a-BE-7 Si(111)-7×7の直衝突イオン散乱分光(ICISS)
- 30a-A-3 TiC(100)表面の直衝突イオン散乱分光(ICISS) : 表面原子空孔構造の解析
- LaB6の熱電子放射特性
- 26a-O-10 グラファイト(0001)面の2次元的フォノン
- 4a-NM-6 ICISS(直衝突イオン散乱分光法):表面原子配列の定量的決定のための新手法
- 単原子電子源周辺の新物理現象
- 超平坦金属表面上におけるグラフェン成長その場観察
- 2p-K3-12 遷移金属炭化物の酸素吸着(表面・界面)
- 27p-GA-4 低速希ガスイオンの固体表面における中性化と再イオン化 II(表面・界面)
- 28a-H-13 TiC(100)表面の表面フォノン(表面・界面)
- 2p-F4-11 Mo(111)表面フォノン(表面・界面)
- 2p-K3-13 CaF2/Si(111)のISSによる研究(表面・界面)
- 28a-H-12 TiC(310)表面の表面フォノン(表面・界面)
- 1p-A2-3 Si(111)-√×√Ag表面のICISSuによる構造解析(1p A2 表面・界面,量子エレクトロニクス)
- 1p-A2-2 低エネルギーH^+_eイオンと表面の電荷交換II(1p A2 表面・界面,量子エレクトロニクス)
- 29p-TC-1 LiF(001)面の表面フォノン(29pTC 表面・界面)
- 30p-TJ-7 表面電子励起に伴うHe^+の非弾性散乱(30pTJ 表面・界面)