単分子吸着したNi(111)表面のCr-Lα, Al-Kα線光電子回折における光源依存性
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概要
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強力なCr-Lα線(572.8eV),Al-Kα線(1486.6eV)の2種の光源を用いて軽元素単原子層薄膜系であるh-BN/Ni(111)における両者の光電子回折パターンの詳細な比較を行い,その励起光源依存性を明らかにした.同時に実測と理論計算との詳細な比較により表面の詳細な構造解析を行うことを目的とし,第一段階として下地Ni(111)だけに注目した光電子回折法による解折々行った.実測,理論計算結果共にAl-Kα線励起ではCr-Lα線励起と比べ,前方散乱ピークやKikuchi-like bandなど下地Ni(111)に由来する明りょうなパターンを得ることができた.このことから,光電子回折法による超薄膜材料の構造解析において低エネルギー光源の利用が有効であることを示した.
- 社団法人日本分析化学会の論文
- 2003-10-05
著者
-
石井 秀司
京都大学大学院工学研究科材料工学専攻:(現)(株)イオン工学研究所
-
大島 忠平
早稲田大学理工学部応用物理学科
-
田村 圭司
大阪府立大学大学院工学研究科電子物理工学
-
尾張 真則
東京大学生産技術研究所
-
大島 忠平
無機材研
-
大島 忠平
早稲田大学 各務記念材料技術研究所
-
大島 忠平
早稲田大学理工学部
-
二瓶 好正
東京理科大学総合研究機構
-
石井 秀司
東京大学生産技術研究所
-
二瓶 好正
東京理科大学
-
田村 圭司
東京大学生産技術研究所
-
石井 秀司
東京大学 生産技術研究所
-
中村 仁
東京理科大学理工学部
-
大島 忠平
早稲田大学
-
中村 仁
東京理科大学理工学部:東京大学生産技術研究所
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