Shave-off深さ方向分析法におけるメモリー効果の低減
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概要
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Memory effect was observed in shave-off depth profiling as same as in conventional SIMS analysis. To avoid the influence of memory effect, deposit elements were displaced by other sputtered elements. Using the method, memory effect was reduced on the long tail of shave-off depth profile between hetro-interface.
- 社団法人日本分析化学会の論文
- 2008-01-05
著者
-
尾張 真則
東京大学生産技術研究所
-
二瓶 好正
東京理科大学総合研究機構
-
二瓶 好正
東京理科大学
-
野島 雅
東京理科大学総合研究機構
-
藤井 麻樹子
東京理科大学理工学部工業化学科:東京大学生産技術研究所
-
石崎 泰裕
東京理科大学理工学部工業化学科
-
石崎 泰裕
東京理科大学理工学部工業化学科:東京大学生産技術研究所
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