イオン・電子デュアル収束ビームを用いる三次元局所分析法の開発
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概要
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集積回路(IC)の不良解析や製造プロセスにおける混入微小粒子の起源解析においては, 任意の形状と組成分布を持つ試料の三次元分析法の開発が求められている. 著者らは, ガリウム収束イオンビーム(Ga FIB)の微細加工機能と電子ビーム(EB)を用いたオージェマッビングを細み合わせた三次元分析法を考案した. OafIBを用いれば, 試料の任意箇所に平滑な断面を削り出すことができる. この断面を分析面としながら深さ方向に向かってオージェマッピングを繰り返すことによって三次元元素分布が得られる. この概念に基づき, Ga FIBとEBを備えたイオン・電子デュアル収束ビーム装置を設計・試作した. 開発段階ではあるが, オージェマッピングの代わりにEB励起試料電流像を利用し, ICパターンの三次元画像を構築した. 又, 粒子試料において分析面(断面)の汚染を調べ, 断面加工時のGa注入量及び基板からの再付着量が従来法に比べて格段に少ないことが分かった.
- 社団法人日本分析化学会の論文
- 1998-06-05
著者
-
坂本 哲夫
東京大学環境安全研究センター
-
尾張 真則
東京大学環境安全研究センター
-
坂本 哲夫
東京大学生産技術研究所
-
二瓶 好正
東京大学生産技術研究所
-
程 朝暉
東京大学生産技術研究所
-
高橋 正典
東京大学生産技術研究所
-
倉本 靖之
東京大学生産技術研究所
-
二瓶 好正
東京理科大学総合研究機構
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