Direct Atomic Site Determination of Foreign Atoms in a Crystal Surface Layer by X-Ray Photoelectron Diffraction

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概要

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• X-ray photoelectron diffraction (XPED) patterns for A12p, Ga3d and As3d from Ga_<1-x>Al_xAs(l10) are measured. XPED patterns for Ga3d and As3d show characteristic differences due to the difference in atomic sites of Ga and As atoms in Ga_<1-x>Al_xAs crystal. On the other hand, the XPED pattern for Al2p is almost identical to that for Ga3d. The results show a clear corresondence between XPED patterns and sites of photoelectron emitter atoms in the crystal. Based on the results, applicability of XPED measurements to direct atomic site determination of foreign atoms in a crystal surface layer is discussed.

• 社団法人応用物理学会の論文
• 1981-06-05

著者

• 二瓶 好正

  東京理科大学総合研究機構

• Kudo M

  Hitachi Ltd. Tokyo Jpn

• Kamada Hitoshi

  Faculty Of Engineering Yamagata University

• KUDO Masahiro

  Institute of Industrial Science, University of Tokyo

• NIHEI Yoshimasa

  Institute of Industrial Science, University of Tokyo

• Nihei Yoshimasa

  Institute Of Industrial Science The University Of Tokyo

• Kamada Hitoshi

  Department Of Industrial Chemistry Faculty Of Engineering University Of Tokyo

• Kudo Masahiro

  Institute Of Industrial Science University Of Tokyo

• Owari Masanori

  Institute Of Industrial Science University Of Tokyo

• Kamada H

  Yamagata Technopolis Foudation Yamagata

• KAMADA Hitoshi

  Faculty of Engineering, Yamagata University

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